Абшерон игтисади ъоьрафи районун шящярляринин

Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may  2015-ci il 
 
 
 
7 
 (TlGaSe
2
)
0.7
 (TlInS
2
)
0.3
 BƏRK MƏHLULUNUN QADAĞAN OLUNMUġ  
ZOLAĞININ ENĠNĠN TƏYĠNĠ 
 
Əliyeva V.E. 
Sumqayıt Dövlət Universiteti 
 
Son  dövrlərdə  yeni  mürəkkəb  yarımkeçirici birləşmələrin alınmasına  və tədqiqinə maraq  çox  
böyükdür.  Laylı    quruluşa  malik  olan  A
3
B
3
C
2
6 
  (hardakı  A-Tl;B-In,Ga;C-S,Se,Te)    və  onların  əsasında 
alınan  birləşmələrdəndir.  (TlGaSe
2
)
0.7
  (TlInS
2
)
0.3 
bərk  məhlulu  da  bu  sinfə  daxildir.(1).Bu  kristalın  eyni 
elektron enerji spektr parametrlərinə  malik olan başqa birləşmələrdən  bir çox üstünlükləri vardır. Belə 
ki,  bunlar  laylı  quruluşa  malikdirlər.  Bunları  laylar  istiqamətində    doğrayanda    səthləri  çox  yüksək 
dərəcədə hamar  nümunələr alınır. Bu isə çox böyük praktiki əhəmiyyət kəsb edir. 
(TlGaSe
2
)
0.7
 (TlInS
2
)
0.3
 bərk məhlulunun monokristalı Brijmen-Stokbarqer üsulu ilə alınmışdır. 
Fotoelektrik  xassələrini  öyrənmək  üçün  nümunələr  ölçmələrə  uyğun  dəqiqliklə  seçilib 
hazırlanmışdır.  Qeyd  etdiyimiz  kimi  (TlGaSe
2
)
0.7
  (TlInS
2
)
0.3 
  bərk  məhlulu  laylı  quruluşa  malikdir.  Ona 
görə də nümunələri hazırlayarkən bu xüsusiyyət nəzərə alınmışdır.Belə ki, fotoelektrik ölçmələr aparmaq 
üçün nümunələr kristalları paralel lövhələrə bölməklə  hazırlanmışdır.  
Tədqiq  olunan  kristallar  deşik  keçiriciliyinə    malik  olmuşlar.  Bu  nümunələr    keçirici  olmayan  
xüsusi    altlıqlar  üzərində    epoksid    yapışdırıcı  vasitəsilə  bərkidilmişdir.  Omik  kontaktlar  almaq    üçün  
indium elementindən istifadə edilmişdir. Nümunələrə elektrik sahəsi təbii laylar istiqamətində, işıq laylara 
perpendikulyar istiqamətdə salınmışdır. 
Fotokeçiricilik  spektri  həm  77K,    həm  də  300K  temperaturda  öyrənilmişdir.  Ölçmələr  üçün  elə 
nümunələr  seçilmişdir  ki,  onların  kontaktları  aşağı  temperaturlarda  sabit  fotorezistiv  xarakteristikaları 
stabil  saxlamışlar.  Nümunələrdə  kontaktlar  arasındakı  məsafə  0,25-0.45  sm,  nümunələrin  sahələri  isə  
2,7*10
-3
 – 1,2*10
-2 
sm
2
 tərtibində olmuşlar. Elektrik sahəsinin gərginliyi elə seçilmişdir ki,  nümunələrin  
volt-amper xarakreristikasının omik hissəsinə uyğun gəlsin. 
Bərk məhlululun fotokeçiriciliyinin düşən işığın enerjisindən asılılığı, yəni spektral xarakteristikası 
çıxarılmışdır. Bu spektral əyridən istifadə edərək nümunənin bəzi parametrləri, o cümlədən  yarımkeçirici  
kristallar  üçün  ən    xarakteristik  parametr  olan  qadağan  olunmuş  zonanın  eni  təyin  olunmuşdur. 
(TlGaSe
2
)
0.7
  (TlInS
2
)
0.3
  bərk  məhlulunun  qadağan  olunmuş  zolağının  eni  otaq  temperaturunda  Eg=2,12 
ev,; 77 K-də isə Eg=2,27 ev olmuşdur. 
 
2
 
 
S
In
Tl
  KRĠSTALININ  ALINMASI  VƏ  BƏZĠ  FOTOELEKTRĠK  
PARAMETRLƏRĠNĠN  TƏYĠNĠ 
 
İsmayılov M.H. 
Sumqayıt Dövlət Universiteti 
                                                                                               
6
2
3
3
C
B
A
 
)
Te
  
Se,
 
S,
-
С
  
Ga;
 
In,
-
B
  
Tl
-
A
(
 sifinə  daxil  olan  kristallardan  biri  də  çox  böyük  maraq 
kəsb edən və enli zonaya malik olan 
2
 
 
S
In
Tl
-dir. Bu kristalın eyni elektron enerji spektr parametrlərinə 
malik  olan  başqa  birləşmələrdən  bir  çox  üstünlükləri  vardır.  Belə  ki,  bunlar  laylı  quruluşa  malikdirlər. 
Bunları    laylar  istiqamətində  doğrayanda  səthləri  çox  yüksək  dərəcədə  hamar  nümunələr  alınır.  Bu  isə 
praktiki nöqteyi nəzərdən çox mühüm əhəmiyyət kəsb edir.  
2
 
 
S
In
Tl
 kristalının  sintezi,  diferensial  –  termik  analizi,  tablaşdırılması,  monokristalının 
yetişdirilməsi üçün kvans ampulalardan istifadə olunmuşdur. Bu ampulalar  əvvəlcə təmizlənərək distilə 
edilmiş  su  ilə  yuyulur.  Yuyulduqdan  sonra  onlar  xüsusi  dolablarda  qurudulur.  Bu  cür  diqqətlə 
təmizlənmiş  ampulalara    başlanğıc  komponentlər  böyük  dəqiqliklə  stexiometrik  tərkibə  uyğun  olaraq 
analitik  tərəzidə  çəkilərək  yerləşdirilir.  Doldurulmuş  ampula  rezin  boru  vasitəsi  ilə  vakuum  yaradan 
sistemə  qoşulur.  Ampulanın  içərisində  təzyiq  10
-4
  mm  c.s.  qiymətinə  çatdıqda  metan-oksigen  odluğu 
vasitəsi ilə onun ağzı bağlanır. Ampulaların diametri 2 ’ 2,3 sm, uzunluğu isə 23-25 sm olmuşdur. Hər 
dəfə  ampulalara  30  ’  50  q  maddə  doldurulmuşdur. 
2
 
 
S
In
Tl
 kristalının  sintezi  xüsusi  hazırlanmış 
sobalarda tədqiq olunmuşdur. Bu üsul yüksək temperaturlarda  ampulanın partlamasının qarşısını almaq 

---

Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may  2015-ci il 
 
 
 
8 
üçün tətbiq olunmuşdur. Təcrübələr göstərir ki, sintez zamanı ampulanın partlaması təkcə xalkogenlərin 
buxarlarının təzyiq yaratmasından asılı deyildir.  
O,  həmçinin  bu  maddələrin  yaranması  zamanı  reaksiyanın  intensiv  şəkildə  getməsi,  ərimə 
temperaturundan (1023 k) xeyli aşağı temperaturlarda böyük istiliyin ayrılması ilə əlaqədardır.  
2
 
 
S
In
Tl
 
birləşməsinin  monokristalları  müəyyən  qədər  dəyişdirilmiş  Brijmen  –  Stokbarqer    üsulu  ilə 
yetişdirilmişdir. Bu üsulun seçilməsi yetişdirilən kristalların fiziki və kimyəvi xassələrindən başqa onların 
laylı  quruluşa  malik  olması  ilə əlaqədardır.  Alınmış monokristalların  keyfiyyətini  yoxlamaq  üçün  Laue 
üsulundan istifadə edilmişdir.  
2
 
 
S
In
Tl
 kristalının  fotokeçiriciliyini  öyrənmək  üçün  nümunələr    ölçmələrə  uyğun  dəqiqliklə 
seçilib  hazırlanmışdır.  Fotoelektrik  spektri    həm  77  K,  həm  də  300  k-də  öyrənilmişdir.  Otaq 
temperaturunda 
2
 
 
S
In
Tl
 monokristalının spektral əyrisindən təyin olunmuş qadağan olunmuş zolağının 
eni  E
g
=2,34 ev,  77 K-də isə 2,53 ev olmuşdur. Kristalın xüsusi müqaviməti hesablanmış 
6
10
1
,
1



 
Om ∙ sm olmuşdur. Bundan başqa kristalın  qaranlıqda və işıqda (100 lüks) müqaviməti təyin olunmuş və 
onların  nisbəti   
7000

i
q
R
R
 tapılmışdır.   
2
 
 
S
In
Tl
 kristalının  qadağan  olunmuş  zolağının  eninin 
temperatur əmsalı da təyin olunmuşdur.  
k
ev
dT
dE
g
4
10
5
,
8




. 
 
 
TĠRĠSTOR  TEZLĠK  ÇEVĠRĠCĠLƏRĠ ĠLƏ ĠDARƏ  OLUNAN 
VĠBROTƏSĠRLƏNDĠRĠCĠLƏRĠN  DARTMA SÜRƏTĠNĠN TƏNZĠMLƏNMƏSĠ 
 
Cəfərov Ş.O. 
Sumqayıt Dövlət Universiteti 
 
Statiki  tezlik  çeviricilərinin  layihələndirilməsi  və  tətbiqi  elektromaqnit  vibrotəsirləndirici 
intiqalların  imkanlarını    genişlənmişdir.  Elektromaqnit  vibrotəsirləndiricilərin  işləmə  sürətinin  tiristor   
çeviriciləri  ilə  tənzimlənməsi  sabit  cərəyan    vibrotəsirləndiricilərinə    nəzərən  onların  imkan  intervalını 
böyütmüşdür. Statiki tezlik çeviricilərinin iki növü müasir sənaye sahələrində daha geniş istifadə olunur: 
Sabit cərəyan manqası olan fərdi invertorlardır ki, onların çıxışında minlərlə hers tezlik almaq olur. İkinci 
çıxış  tezliyi şəbəkə tezliyindən adətən aşağı olan, əlaqəli çeviricilərdir.   
Avtonom invertorlar əsas etibarilə induksion qızdırmada metalları əritmək, möhkəmlətmək  dəmirçi 
sexlərində  metalları  qızdırmaq  və  ultra-qısa  qurğuların  idarə  olunmasında  istifadə  olunur.  Çeviricilər 
dəzgah, maşın və alətlərin sürətlərini tənzimlədikdə əvəzsizdir.   
Tiristor    tezlik    çeviriciləri  (TTÇ)  sənaye  müəssisələrində    bir  istiqamətdə  fırlanan  asinxron 
mühərrikləri  elektromaqnit      vibrotəsirləndiriciləri  qidalandıran    amplitudu  və    tezliyi  tənzimlənən  üç 
fazalı dəyişən cərəyan dövrələridir.  
Mühərrikin  və    elektromaqnit    təsirləndiricilərin  başlanğıc  momentinə    bərabər  sabit  momentdə   
1:12 intervalında  fırlanma  və dartma  sürətlərini axımlı tənzimləyən  (TTÇ)  mövcuddur.  Gərginliyin və 
tezliyin stabilləşdirilmə dəqiqliyi normal işləmə rejimində  20% -ə qədər çatır.  
Tezlik    çeviriciləri    A,  A
0
,  4A,  MTK,  BAO  tipli  asinxron  mühərrikləri, KMT, TQ  elektromaqnit 
təsirləndiriciləri  ilə  işləyə  bilər.  Sənaye  tipli  ələklərdə,  kənd  təsərrüfatı  məhsullarının  yuyulması, 
qabaritlərinə  görə  seçilməsi  və  çeşidlənməsində  vibrotəsirləndiricilərin  sürətlərinin  tənzimlənməsi  vacib 
məsələlərdən biridir. Çeviricilər axımlı işə salınmanı yerinə yetirdikləri kimi şəbəkəyə heç bir mənfi təsir  
göstərmədən tezlik tormozlanmasını  da təmin edir. Tiristor  tezlik  çeviricisinin prinsipial  sxemi  şəkil 1-
də verilmişdir.  
 
 
 
 

---