Абшерон игтисади ъоьрафи районун шящярляринин

Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may  2015-ci il 
 
 
 
15 
Bu  məqsədlə 
2
2
TlGdTe
TlJnTe

 sisteminin  ətraflı  fiziki-kimyəvi,  rentgenoqrafik  tədqiqi  həyata 
keçirilmiş və sistemin hal diaqramı qurulmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, 
2
2
TlGdTe
TlJnTe

 sistemində 
2
TlJnTe  ilkin  birləşməsi  əsasında  otaq  temperaturunda  tərkibin  0’10  mol    %   
2
TlGdTe  intervalında 
həllolma mövcuddur.  
2
1
Te
Gd
TlJn
x
x

 tərkibli    bu  məhlullar    ilkin   
2
TlJnTe  birləşməsi    kimi    tetraqonal  qəfəsdə 
kristallaşır, qəfəs parametrləri tərkibdə qadoliniumun nisbi  miqdarı artdıqca Veqard qaydasına müvafiq 
olaraq artır.  
2
2
TlGdTe
TlJnTe

 sisteminin    bərk    məhlullarının  elektrik  keçiriciliyinin,  Holl  və  termoelektrik 
əmsallarının temperatur asılıqları üçün 300-1100 k temperatur intervalında tədqiq edilmişdir. Nümunələr 
ölçüləri  8x5x4  mm
3
  olan  paralelepiped  formasında  hazırlanmış,  elektrik  cərəyanı  monokristalın  layları 
boyu, maqnit sahəsi isə laylara perpendikulyar istiqamətdə yönəlmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, bütün 
nümunələr tədqiq olunan temperatur intervalında p – tip keçiriciliyinə malikdir.  
Baxılan  bütün  nümunələrdə  Holl  və  elektrik  keçiriciliyi  əmsallarının  temperatur  asılıqları  bir-biri 
ilə  kifayət  qədər  yaxşı  uzlaşır. 
)
/
10
(
lg
3
T
f


 və 
)
/
10
(
lg
3
2
/
3
T
f
RT

 asılıqlarının  yüksək 
temperaturlu  hissələrinin  meylinə  görə 
2
1
Te
Gd
TlJn
x
x

 bərk  məhlulların  qadağan  zolaqlarının  eni  
müəyyən  edilmişdir.  
Müəyyən olunmuşdur ki, 
2
2
TeGdTe
TeJnTe

 sistem ərintilərində indium atomlarının qadolinium 
atomları ilə əvəz olunması hesabına qadağan olunmuş zonanın  eni  azalır.  
2
1
Te
Gd
TlJn
x
x

)
10
,
0
0
(


x
 tərkibli  bərk  məhlulların  elektrik  keçiriciliyi  sırf  yarımkeçirici  
xarakterə  malikdir. 
)
/
10
(
lg
3
T
f


 asılıqlarından aydın  olur  ki,   ~ 500-600 k temperatur  intervalında 
aşqar  səviyyələrdən  olan  keçidlər  ―tükənir‖  və  məxsusi  keçiricilik  oblastı  başlayır.  Holl  əmsalının 
temperatur  asılılığından  məlum  olur  ki,  otaq  temperaturundan  ~  500  K  temperaturadək  sərbəst 
yükdaşıyıcıların  konsentrasiyası  praktik  olaraq  dəyişməz  qalır  və  hər  iki  asılılığın  yüksək  temperatur 
oblastındakı  meylinə  görə  hesablanmış  qadağan  olunmuş  zonaların  eni  ~  0,02eV  dəqiqliyi  ilə  üst-üstə 
düşür.  Holl  yürüklüyünün  temperatur  asılılığına  əsasən  demək  olar  ki,  yükdaşıyıcılar  əsasən  akustik 
fononlardan səpilirlər və yürüklük temperaturdan asılı olaraq 
2
/
3
~ T

 qanunu ilə dəyişir. Belə dəyişmə 
yükdaşıyıcıların uzundalğalı akustik fononlardan səpilməsinə uyğun gəlir.  
 
 
 METAL ORQANĠK KĠMYƏVĠ QAZ FAZA EPĠTAKSĠYA ( MOCVD -Metal Organic 
Chemical Vapor Deposition) ÜSULU ĠLƏ InGaN/GaN ÇOXQAT  KVANT ÇUXURLU MAVĠ  
LED ÇĠPLƏRĠN ALINMASI VƏ TƏDQĠQĠ 
 
Məmmədxanova S.A. 
Sumqayıt Dövlət Universiteti  
 
Son illərdə yarımkeçiricilər texnologiyası sahəsində  III-N əsaslı birləşmələr daha çox öyrənilir və 
tətbiq olunur. Ağ işıq mənbələri üçün III-N  birləşmələrin istifadəsinin iki əsas səbəbi var. Birinci səbəb 
bu  birləşmələrin  qadağan  olunmuş  zonasının  eninin  (E
g 
)  AlN,  GaN  və  InN  üçün  uyğun  olaraq  6.2eV, 
3.4eV  və  0.7eV  olmasıdır[1,2].  Belə  ki,  onların  spektrləri  ulturabənövşəyi  oblastdan  (UB)  görünən 
oblasta  qədər  bütün  dalğa  uzunluğunu  əhatə  edir.  III-N  birləşmələrinin  digər  gen  zonalı 
yarimkeçiricilərdən  əsas  üstünlüyü  güclü  kimyəvi  rabitəyə  malik  olmasıdır,  hansı  ki,  nitrid  yüksək  
elektrk cərəyanı və yüksək temperaturda  stabilliyi və deqredasiyaya davamlılığı təmin edir. LED-lərdən 
müxtəlif  işıqlanmalarda,  küçə  işıqlanmasında,  reklam  lövhələrinin  işıqlanmasında,  TV  və  böyük 
ekranlarda  və.s.    geniş  istifadə  olunur.  Mavi  LED-lərin  digər  tətbiqlərinə  tibbi  diaqnostik  avadanlıq  və 
fotlitoqrafiya  da  daxildir.  Hal-hazırda,  xüsusilə  ümumi  işıqlanmada  tətbiqlər  üçün  mavi  və  UB-LED-
lərdən fosfor çevirici ağ işıq diodlarının (LED)  yaradılmasına başlanılmışdır[3,4]. 
Yüksək  keyfiyyətli  LED  çiplərin  yetişdirilməsinin  iki  müasir  üsulu  mövcuddur;  Molekulyar  Şüa 
Epitaksiya -MBE (molecular beam epitaxy) və  Metal Orqanik Kimyəvi Qaz Faza Epitaksiya –MOCVD 
(metal organic chemical vapor deposition). Biz bu məqalədə  MOCVD üsulu ilə əldə edilmiş strukturun 
optik xassələrindən və həmçinin də GaN əsaslı mavi LED-lərin alınma texnalogiyasından danışırıq. 

---

Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may  2015-ci il 
 
 
 
16 
Nümunələr  MOCVD    üsulu  ilə  yetişdirilmişdir.  Bu  tədqiqatda  (c-müstəvi)    sapfir  altlıq  üzərində  
(0001) kristalloqrafik istiqamətində yetişdirilmiş nümunələrdən istifadə edilmişdir. Alüminium, qallium, 
indium  və  azot  mənbəyi  kimi  uyğun  olaraq  trimetilalüminium  (TMAl),  trimetilqallium  (TMGa), 
trimetilindium (TMIn) və ammonyak (NH
3
), istifadə olunur. p-tip və n-tip aşqar
 
mənbələri kimi  uyğun 
olaraq Biscyclopentadienyl  maqnizium (CP
2
Mg) və disilan (Si
2
H
6
) istifadə olunmuşdur.  
Yetişmə  prosesi  zamanı  əvvəlcə    altlıq  H
2
SO
4
:H
2
O
2
  (3:1)  məhlulunda  10  dəqiqə  muddətində 
təmizlənmişdir,  sonra  2%-li  HF  məhlulunda  oyulmuşdur  və  deionizə  olunmuş  suda  yaxalandırılmış  və 
daha sonra N
2
 mühitində qurudulmuşdur. Bu prosesdən sonra 1080
0
C temperaturda 10 dəq meddətində H
2 
atmosferi  altında  təbii  halda  olan  oksigeni  kənar  etməklə  sapfir  altlıqa  termik  təmizləmə  prosesi  tətbiq 
edilmişdir.  Termik  təmizləmədən  sonra  525
0
C-də  təxminən  30  nm  ölçülü  GaN  qoruyucu  təbəqəsi 
çökdürülmüşdür. Daha sonra temperaturu 1020
0
C-yə yüksəltməklə 1mkm qalınlıqlı  Si-aşqarlı
 
n-tip
 
GaN 
layı yetişdirilmişdir. Növbəti mərhələdə altlıqın temperaturu aşağı salınmışdır, 715
0
C-də  InGaN  layı  və 
840
0
C-də  GaN  barrier
 
layı yetişdirilmişdir. InGaN/GaN çoxqat kvant çuxurunun  aktiv zonası  3 cüt  3 
nm qalınlıqlı In
0.4
Ga
0.6
N laylarından və 10nm qalınlıqlı GaN
 
barrier laylarından ibarətdir. Aktiv zonanın 
yetişdirilməsindən  sonra  30  nm  qalınlıqlı    GaN  örtük  layı  yetişdirilmişdir  və  altlıqın  temperaturunu 
727
0
C-yə yüksəltməklə 250 nm qalınlıqlı Mg-aşqarlı
  
p-tip  GaN layı yetişdirilmişdir (şəkil 1).   
Alınmış nümunədə  p-tip GaN-ə p-elektrodu kimi 200 nm Au kontakt qoyulmuşdur. Digər tərəfdən, 
n-  tip  GaN-ə    Au  (100  nm)    n-elektrodu  kimi  daxil  edilmişdir.  Nümunənin  strukturu  sxematik  olaraq 
şəkil-2də göstərilmişdir. 
 
 
Şəkil 1. Nümunənin strukturunun sxematik təsviri 
 
 
Şəkil 2 Mavi LED Çipinin strukturu 
 

---