Elektronika : ilmu yang mempelajari sifat dan pemakaian devais yang kerjanya berdasarkan aliran elektron di dalam ruang hampa atau gas serta hole (lubang) di dalam semikonduktor. Elektronika



Yüklə 445 b.
tarix18.05.2018
ölçüsü445 b.
#44955





Elektronika : ilmu yang mempelajari sifat dan pemakaian devais yang kerjanya berdasarkan aliran elektron di dalam ruang hampa atau gas serta hole (lubang) di dalam semikonduktor.

  • Elektronika : ilmu yang mempelajari sifat dan pemakaian devais yang kerjanya berdasarkan aliran elektron di dalam ruang hampa atau gas serta hole (lubang) di dalam semikonduktor.



Proton (Q+)

  • Proton (Q+)

  • Inti Atom

  • mengitari atom

  • Neutron (Q=nol)

  • Atom

  • Elektron (Q -)



Model dasar atom menurut BOHR :

  • Model dasar atom menurut BOHR :

  • “ Elektron mengelilingi inti atom pada orbitnya masing – masing”



Konduktor

  • Konduktor

  • Isolator

  • Semikonduktor :

    • Germanium
    • Silikon






Semikonduktor : suatu atom yang berisi 4 elektron valensi (4 eV). Jumlah elektron valensi di dalam semikonduktor antara konduktor dan isolator, maka atom semikonduktor bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang baik.

  • Semikonduktor : suatu atom yang berisi 4 elektron valensi (4 eV). Jumlah elektron valensi di dalam semikonduktor antara konduktor dan isolator, maka atom semikonduktor bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang baik.











Hukum–hukum dasar hubungan antara elektron dan kulit orbit :

  • Hukum–hukum dasar hubungan antara elektron dan kulit orbit :

  • Elektron pada kulit orbit tidak dapat berada pada ruang antara 2 kulit orbit

  • Setiap kulit orbit sesuai dengan suatu energi. Semua elektron pada kulit orbit yang sama mempunyai energi yang sama. Jumlah energi akan naik jika jauh dari inti. Jadi elektron valensi mempunyai jumlah energi paling tinggi.

  • Elekton yang meloncat dari kulit ke kulit maka elektron harus menyerap energi untuk mengatasi perbedaan energi antara jumlah enegi awal dan akhir.

  • Bila no 3 terpenuhi maka elektron dapat melepas energi yang diserap dan kembali ke kulit yang berenergi rendah.









Pada temperatur tinggi, elektron keluar dari ikatan kovalen menjadi elektron bebas dan terbentuk hole (lubang)

  • Pada temperatur tinggi, elektron keluar dari ikatan kovalen menjadi elektron bebas dan terbentuk hole (lubang)





Kekosongan pada ikatan kovalen elektron keluar harus bermuatan Q (+) kaena kristal harus netral. Kekosongan itu disebut hole atau lubang.

  • Kekosongan pada ikatan kovalen elektron keluar harus bermuatan Q (+) kaena kristal harus netral. Kekosongan itu disebut hole atau lubang.







dilakukan doping dengan memasukan atom asing bervalensi 5 atau 3 disebut semikonduktor ekstrinsik, untuk menyusun devais elektronik yang kaya akan satu jenis pembawa muatan : hole atau elektron saja.

  • dilakukan doping dengan memasukan atom asing bervalensi 5 atau 3 disebut semikonduktor ekstrinsik, untuk menyusun devais elektronik yang kaya akan satu jenis pembawa muatan : hole atau elektron saja.



Beda semikonduktor intrinsik dengan

  • Beda semikonduktor intrinsik dengan

  • semikonduktor jenis-n

  • Semikonduktor intrinsik, elektron bebas di sertai hole bergerak sebagai pembawa muatan.

  • Semikonduktor jenis-n berbentuk elektron bebas, tidak disertai hole tetapi ion (+) yang tidak dapat bergerak.











Partikel yang menghantarkan arus dalam semikonduktor adalah: elektron dan hole.

  • Partikel yang menghantarkan arus dalam semikonduktor adalah: elektron dan hole.





























1). Hitunglah konsentrasi hole dan elektron didalam germanium (Ge) tipe-p dengan suhu 3000 K bila resitivitas 0,02 Ω.cm dan mobilitas hole (µp) 1800 cm2 /volt .dtk

  • 1). Hitunglah konsentrasi hole dan elektron didalam germanium (Ge) tipe-p dengan suhu 3000 K bila resitivitas 0,02 Ω.cm dan mobilitas hole (µp) 1800 cm2 /volt .dtk

  • 2). Sama dengan no.1 tetapi untuk silikon (Si) tipe-n bila resitivitasnya 20 Ω.cm dan mobilitas elektron silikon (µn) 1300 cm2 /volt. detik

  • 3). SK doping berundak dimana konsentrasi atom donor = 102 konsentrasi atom akseptor, konsentrasi atom akseptor 1 atom akseptor per 108 atom Ge. Hitunglah potensial kontak Vo pada suhu 300oK jika diketahui konsentrasi atom Ge 4,4 x 1028 atom⁄ m3 dan konsentrasi atom intrinsik = ni = 2,5 x 1013 serta potensial VT = 0,0259 Volt. Konsentrasi atom akseptor 10-8 konsentrasi atom Ge.



Solusi pr :

  • Solusi pr :

  • 8. Bab III Semikonduktor.doc



Yüklə 445 b.

Dostları ilə paylaş:




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə