Elm dunyasi 7 mehi++2++++ Layout 1


Handbook of Porous Silicon



Yüklə 23,26 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə4/53
tarix08.11.2018
ölçüsü23,26 Mb.
#79426
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   53

7. Handbook of Porous Silicon (Ed. Leigh Can‐
ham), Chapter‐Tayyar Dzhafarov, Porous Silicon
and Solar cells. Springer, 2014.
8. T.D. Dzhafarov, S. Aydin Yuksel. Porous Sili‐
con‐based Direct Hydrogen Sulphide Fuel Cells.
9. Journal of Nanoscience and Nanotechnol‐
ogy, 11, No 10 (2011) 9012‐9015. 
10. T.D. Dzhafarov, S. Aydin Diffusion of Hy‐
drogen in Porous Silicon‐based Sensors, Journal
of  Porous Media, 13 (2) (2010)  p.97‐102.
Əsas nəticələri: T.C.Cəfərovun elmi maraqları
(a) yarımkeçiricilərdə və yarımkeçirici cihaz 

larında diffuziya hadisələri və (b) nano‐strukturlu
silisium əsaslı fotovoltaik günəş elementləri və
hidrogen elementləri ilə əlaqədərdir. Onun
rəhbərliyi ilə yarımkeçirici geterostrukturlarda
aşkarların diffuziya və elektrodiffuziya hadi 

sələrinə radiasiya və işığın təsiri araşdırılmışdır,
miqrasiya və deqradasiya hadisələrinin me 

xanizm ləri müəyyən edilmişdir və bir sıra stabil
parametrli yarımkeçirici cihazların (getero 
la 

zerlər, işıq diodları, tunnel diodları, infraqırmızı
detektorlar, günəş elementləri və s.)  texno ‐
logiyası işlənmişdir və tətbiq olunmuşdur. Nano ‐
məsaməli silisium əsasında yüksək effektivliyə
sahib silisium günəş elemenlərinin və hidrogen
enerjisini birbaşa elektrik enerjisinə  çevirən və
ətraf mühitə zərər verməyən, yeni tip hidrogen
elementlərin əldə etmə texnologiyası işlənmişdir.
Müəlliflik şəhadətnaməsi və patentlərinin
sayı: 15 
Kadr hazırlığı:
elmlər doktorlarının sayı: 5;
fəlsəfə doktorlarının sayı: 32
Elmi‐pedaqoji fəaliyyəti: 
1981–1993‐cü illər – Azər baycan Neft Aka ‐
demiyası (0.5 ştat pro 
fessor). 1995–2005‐ci
illər – Yıldız Texniki Universiteti, İstanbul (pro ‐
fessor, müqa vilə).
Təltif və mükafatları:
SSRİ  Elmlər  Aka de mi ya sının  və  Azərbaycan
Milli Elmlər Akademiyasının Rəyasət Heyətinin
Fəxri Fərmanı. 
10
ELM DÜNYASI
/ Elmi‐kütləvi jurnal / 03 (07) 2014
İşlədiyi illər
Təşkilatın adı
Vəzifəsi
1961–1970
SSRİ EA-nın Yarımkeçiricilər
İnstitutu, Leninqrad (Sankt-Pe-
terburq)
Aspirant, kiçik elmi işçi
1970–1978
SSRİ EA-nın Fizika-Texnika İn-
stitutu, Leninqrad (Sankt-Pe-
terburq)
Böyük elmi işçi, Sektor rəhbəri
1978–1994
AMEA-nın Fizika İnstitutu
Direktor müavini, laboratoriya
rəhbəri
1995–2005
Yıldız Texniki Universiteti, İs-
tanbul
Professor (müqavilə)
2006–davam
AMEA-nın  Fizika İnstitutu
Baş elmi işçi, laboratoriya rəhbəri
Əmək fəaliyyəti haqqında qısa məlumat:


11
ELM DÜNYASI
/ Elmi‐kütləvi jurnal / 03 (07) 2014
Tağıyev Bahadur Hüseyn oğlu
13 mart 
1934‐cü ildə anadan olmuşdur.
Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universitetinin
fizika fakültəsini bitirmişdir. Fizika‐riyaziyyat
elmləri doktoru, pro fessordur.
2001‐ci ildə fizika ixtisası üzrə AMEA‐nın
müxbir üzvü seçilmişdir.
Elmi əsərlərinin sayı 300‐dən artıq, xaricdə
çap olunan əsərlərinin sayı 208‐dir.
30 iyun 2014‐cü ildə fizika ixtisası üzrə
AMEA‐nın həqiqi üzvü seçilmişdir.
Əsas elmi əsərlərinin siyahısı: 
1. Электрические и фотоелектрические
свойства монокристалла PbGa
2
Se
4
“Неорган.
мат.”, 1999, т.35, №1, стр. 33‐35
2. Коэффициент оптического поглощения
в монокристаллах PbGa
2
Se
4
ФТП, 1999, т.33,
№1, стр. 39‐41
3. Оптические свойства соединения
Ca
4
Ga
2
S
7
:Eu
2+
ФТП, 2000, т.34, b.10, стр. 1170‐
1173
4. Electrical conductivitu of p‐GaSe single
crystals in strong elec.field. Phus. st. Sol.16,
205, 1966
5. Электропоглощение в GaSe. ФТП, 12,
1350, 1970, изд . “Наука”
6. Raman investigation of orthorhombic
“Ga
2
(S,Se)
4
compounds”. J.Phys: Conders Mat‐
ter 2002, 14.p.13693‐13703. 
7. Анализ механизмов заряда в монокри‐
сталлах Ga
4
Ga
2
S
7
:Eu, определяющих форму
вольтамперных характеристик. ФТТ, т.45, в.3,
стр.403‐408.
8. Photoluminescence of EuGa
2
Se
4
: Nd
3+
,
Optics and Photonics Journal 2012,2,59‐63.
9. “Observation of laser Oscillation from
CaGa
2
S
4
: Eu
2
+” Japanese Journal Applied
Physics, Vol.36,№ 7a,1997, pp.857‐859.
10. “Luminescence Properties of Barium
Thio‐ and Selenogallates Doped with Eu, Ce,
and Eu+ Ce’. Japanese Journal Appliied Physics,
Vol.50,5,2011,pp.05FG02‐05FG02‐2.
Əsas nəticələri: Müxtəlif kristal quruluşu olan
(zəncirvari, laylı, kubik və s.) elementar (selen)
və mürəkkəb yarımkeçiricilərdə (GaSe, Ga
2
Se
3
,
EuGa
2
Se
4
, CaGa
2
S
4
və s.) 77‐ 300K temperatur
intervalında, qüvvətli elektrik sahəsində (10‐10
5
V/sm) elektrikkeçirmə mexanizminin elektrik
yükdaşıyıcıların injeksiyası və termoelektron ion ‐
laşma ilə əlaqədar olması müəy yən ləş diril mişdir.
Yüksək müqavimətli və enli zolaqlı yarım 
ke 

çiricilərdə injeksiya olunmuş yük 
da 
şıyıcıların
dərin tələlər tərəfindən tutulmaları ilə bağlı olan
elektret və fotoelektret effekti aşkar edilmiş, bu
effektlər əsasında müxtəlif çeviricilər hazır lan ‐
mışdır (mikrofon, seysmoqəbuledici və s.). Nadir
torpaq elementləri ilə aktiv ləş diril miş CaGa
2
S
4
tipli birləşmələr əsasında mexanizmi atomdaxili
elektron keçidləri ilə bağlı olan sarı, mavi, yaşıl
və qırmızı rəngli effektiv şüalanma alınmış, Bakı
“Azərelektrik işıq” istehsalat birliyində həmin
rənglərdə lümenessent lampaları istehsal
olunmuşdur. Yapon alimləri ilə birlikdə dünyada
ilk dəfə CaGa
2
S
4
:Eu
2+
monokristallarında lazer
alınmışdır.
Çox parlaq işıq diodları ilə kombinasiya
əsasında istifadə olunan yüksək effektli lü 

minoforların sintez texnologiyası işlənmiş və
müxtəlif işıq mənbələri (ağ, yaşıl, sarı və s)
yaradılmışdır. 
Müəlliflik şəhadətnaməsi və patentlərinin
sayı: 40


Yüklə 23,26 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   53




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə