Elmi ƏSƏRLƏR, 2016, №3 (77) nakhchivan state university. Scientific works, 2016, №3 (77)

 

21 

 

hissəsinin  kiçik  olmasına  gətirir.Nəticədə  bu,  kinetik  tənlikdə  paylanma  funksiyasının  anizotrop 

hissəsindən  toqquşma  inteqralının  rekombinasiya  və  ionlaşma  ilə  əlaqədar  hədlərinin  nəzərə 

alınmasını,izotrop hissədə isə həmin hədlərin nəzərə alınmasını tələb edir. 

 

 

 

Şokli  modelinə  əsasən  n-tip  yarımkeçiricilərdə  kənar  yüklü  dislokasiyalar  özlərini  sonsuz 

uzun  akseptor  xətti  kimi  apararaq  qadağan  zonasının  ortasında  enerji  səviyyələrinin  yaranmasına 

səbəb olar.Ümumilikdə baxıldıqda belə səviyyələr artıq yüklərin effektiv rekombinasiyasına təkan 

verir. Buna görə də rekombinasiyaionlaşma proseslərini xarakterizə edən kəmiyyətləri hesablamaq 

zərurəti  yaranır.  Həmin  kəmiyyətlərə  tutulmanın  ehtimalını,yükdaşıyıcıların  ionlaşması-

nı,rekombinasiyanın  effektiv  kəsiyini  və  s.  göstərmək  olar.  Kənar  yüklü  dislokasiyalı  yarım-

keçiricilərdə elektronların və deşiklərin rekombinasiyasına [

 ]  də baxılaraq elektron- deşik cütünün 

yaşama  müddətinin  artıq  yükdaşıyıcıların  konsentrasiyasından  asılığı  alınmışdır.  Xarici  elektik, 

kvantlayıcı maqnit və elektromaqnit sahələrində müxtəlif fiziki şəraitlərdə rekombinasiya-ionlaşma 

proseslərinin  nəzəriyyəsi  isə[

 ]-  işlərində  qurulmuşdur.  Baxılan  işdə  isə  güclü  maqnit  sahəsində- 

deşiklərin qıraq yüklü dislokasiyalarla tutulmasına baxılmış və onun effektiv kəsiyi heasblanmışdır. 

Bu  məqsədlə  dislokasiyanın  oxu  polyar  ox  qəbul  edilərək  (

       )  slindrik  koordinat  sistemində 

Şredinger tənliyindən dalğa funksiyasının radial hissəsi üçün 

 

 

 

                               

 

  

  

 

  

̃

 

 

(   

 

̃  

 

 

 

 

)                                         (1)      

tənliyi alınıb. 

Burada     

 

̃        

 

 

,

   

 

 

 

 

    [  (   

 

 

 

)]  

(   

 

)

 

   

 

    [  (   

 

 

 

)]  

 

 

 

 

   

 

 

 

 

 

 

 

̃

[ 

 

 

(   

 

)

 

   

 

    [  (   

 

 

 

)]]       [  (   

 

 

 

)] 

 

 

   

 

 

 kənar  yüklü  dislokasiyanın  elektrostatik  potensialı, -  dislokasiyada  elektronlar  arası 

məsafədir. 

 

 

-dislokasiya  potensialının  ekranlaşma  radiusudur.

   və     parametrləri  üçün 

tənliklərdən       √

  (   

 

 

)   (   

 

 

)  

 

 

   

 

(   

 

 

)  

 

 

   

 

(   

 

 

)

 

 

  

 

  

 

 

 

 

(2) 

 

   

alınır.Burada 

 

 

-maqnit sahəsində deşiklərin tsiklotron tezliyi, n-səviyyələrin nömrəsidir.

 -

parametri üçün (2) transendent tənlikdən güclü maqnit sahəsi halında  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                      

     

  

 

  

 

 

 

 

  

 

 

 

                                (3) 

 

  alınır.(3) ifadəsinə  görə deşiklərin  tutulmasının effektiv kəsiyi üçün  

 

 

            

 

     

 

  

 

    ( 

 

   

)   (

 

 

 

)

   

                  

   (4)  alınır.  Burada

  

 

 

    

 

 

 

 

 

 √  

 

  

 

  xarici 

sahə  olmayanda  effektiv  kəsik, 

   deşiklərin  finit  hərəkətini    infinit  hərəkətdən  ayıran  enerjidir. 

D

   olan vuruqdur, 

 

 deşiklərin temperaturudur. 

 

 

 

 

 

 

 Ədədi  qiymətləndirmə  etsək,  Germanium  kristalı  üçün 

    

   

                    

 

 

  

  

  

  

                      

  

   alınır. Bu qiymətlər təcrübü məlumatlarla uyğun gəlir. 

 

ƏDƏBİYYAT 

 

            1.Shokly    W,  Read  W  Statistic  of  the  recombinations  of  holes  and  electrons,  Phys,  Rev, 

1952, V.87,  5, p 835-842 

 

 

 

 

  2. Велиев З.А,  Сечения захвата дырок заряженной дислокацией в полупроводниках в 

электрическом поле, ФТП 1983,Т

 17, в.7,с.1351-1353 

 

 

 

 

 

---

 

22 

 

ABSTRACT 

Khanali Hasanov 

                                                                                                               Leyla Jafarli 

Filling the holes in the edge loaded dislocated semiconductors in the pocverful magnetic filed 

The article focuses on the concentration dependency of lifetime of electronic-hole couple on 

electric  carries  in  the  edge  loaded  dislocosted  semoconductors.  İt  is  found  the  ionization  and 

recombination depend on the lifetime of a charge carrier in the free state. Also it is determined that 

if electrons are scattered quasi-elasticalyy through the lattice defects, and if the frequency of energy 

transfer is less than the frequency of the impulse return, then the lifetime of electrons is less than the 

time charagterizing the supply of energy to the lattice from the charge carrier system. 

 

РЕЗЮМЕ 

Ханали Гасанов 

Лейла Джафарлы 

Захват дырок в краевых дислокационных полупроводниках в сильном 

магнитном поле 

В  работе  получена  зависимость  временной  жизни  пары  электрон-дырок  от 

концентрации  избыточных  носителей  в  караевом    дислокационном  полупроводнике. 

Выяснено,  что  и  рекомбинация  эависят  от  периода  существования  носителя  заряда  в 

свободном  состоянии.  Также  определено,  что  если  электроны  квазиэластично 

рассеиваюются    через  дефекты  кристаллической  решетки,  и  если  частота  отдачи  энергии 

меньше  частоты  отдачи  импульса,  тогда  срок  жизни  электронов  меньше  срока, 

характеризующего подачу энергии в решетку из системы носителей заряда.   

 

 

NDU-nun Elmi Şurasının 25 may 2016-cı il tarixli qərarı ilə çapa tövsiyə 

olunmuşdur (protokol № 10) 

         Məqaləni  çapa  təqdim  etdi:  Fizika  üzrə  fəlsəfə  doktoru,  dosent  

E.Ağayev 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---