Elmi ƏSƏRLƏR, 2016, №3 (77) nakhchivan state university. Scientific works, 2016, №3 (77)

 

11 

 

NAXÇIVAN DÖVLƏT UNİVERSİTETİ.  ELMİ ƏSƏRLƏR,  2016,  № 3 (77) 

 

NAKHCHIVAN STATE UNIVERSITY.  SCIENTIFIC WORKS,  2016,  № 3 (77) 

 

НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТЕТ.  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2016,  № 3 (77) 

 

 

FİZİKA 

                                                                                          МУБАРИЗ  НУРИЕВ                                                                         

                                 Hахчыванский Государственный Университет 

УДК:548.74 

 

КИНЕТИКА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК 

CuIn(Ga)S

2

(Se

2

,Te

2

) , КОНДЕНСИРОВАННЫХ В УСЛОВИЯХ  ВОЗДЕЙСТВИЯ  

ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ 

 

 

Açar sözlər: təbəqə, amorf, kinetika, kristallaşma,  faza 

 

Key words: films, amorphous, kinetics, crystallization, phase 

 

Ключевые слова: пленок, аморф, кинетика, кристаллизация, фаз 

 

 

В  статье  приводятся  результаты  исследований    кинетики  кристаллизации  аморфных 

пленок  составов  CuIn(Ga)S

2

(Se

2

,Te

2

),    полученных  в  условиях  воздействия  внешнего 

электрического поля напряженностью 1500 В/см 

-1

.  

 

Постоянные  и  переменные  электрические  поля    существенно  влияют  на  процессы 

кристаллизации, 

что 

было 

неоднократно 

подтверждены 

экспериментальными 

исследованиями в работах [1, 2 ,3]. 

 

Одной  из  основных  задач  в  выращивании  пленок  является  создание  физических 

методов  управления  процессами  канденсации.  Наиболее  ценными  являются  методы, 

позволяющие регулировать стадию  образования зародышей конденсируемой фазы. 

 

Изменение  интенсивностей  начальной  фазы  связано  с  изменением  количества  этой 

фазы, поскольку общее количество рассеивающего материала в объеме, который облучается, 

остается неизменным: между ними существует прямая зависимость. 

 

Согласно  [4]  локальной  интенсивности  дебаевского  кольца,  приходящаяся  на  малой  

участок 



  равна: 

 

 

 

 

P

L

d

V

I

I

hkl

hkl

hkl



















4

2

2

2

0

,                              (1) 

где 

0

I

-интенсивность  первичного  электронного  пучка 



-длина  электронной  волны,  Ф-

структурная амплитуда, V -объем ЭЯ, 



-облучаемый электронами объем, 



-малый участок 

дифракционного  отражения,  Р-фактор  повторимости  структурных  амплитуд, 



L -

калибировочная постоянная электронографа при данном ускоряющем напряжении. 

 

Таким образом, отсюда видно, что, определив изменение интенсивности для того или 

иного  дифракционного  отражения  с  индексами  hkl ,  можно  найти  изменения  количества 

закристаллизованного материала 

 

 

 

 

 

hkl

I



V                                                                               (2) 

 

 Наряду  с  другими  методами  в  этом  направлении  успешно  используются  методы 

воздействия  электрическим  полем.  Известно,  что  эпитаксиальный  рост  тонких  пленок  

определяется    образованием  на  самых  ранних  стадиях,  трехмерных  зародышей,  которые 

растут,  и  на  более  поздних  стадиях  осаждения  сливаются  в  некоторые  “ocтровки”, 

коалесцирующие затем с образованием сплошной пленки. На процессы зародышеобразования  и 

роста  пленок  существенное    влияние    может  оказать    электрическое  поле,  приложенное  в 

---

 

12 

 

процессе  конденсации  [1,  3].  В  пленках,  образующихся  при  кристаллизации  во  внешнем 

электрическом  поле,  наблюдается  повышение  плотности  осажденных  частиц,  ускорение 

процесса  кристаллизации,  понижение  температуры  кристаллизации,  улучшение  структуры, 

физических  и  других  свойств  полупроводник-  полупроводниковых,  полупроводник-

металлических, полупроводник- диэлектрических  тонких слоев. 

 

Таким образом, авторы вышеприведенных работ подтверждают, что такие физические 

воздействия,  как  электрическое  поле  и  ионизация  конденсируемого  пучка  имеют 

существенное значение как для практики выращивания пленок высокого совершенства, так и 

кинетики  фазовых  превращений,  претерпивающих  в  результате  внешних  воздействий, 

включая и для изучения кинетики кристаллизации аморфных пленок, в которых наблюдается 

увеличение скорости кристаллизации под влиянием электрического поля. 

 

Исследование  кинетики  кристаллизации  аморфных  пленок  CuIn(Ga)S

2

(Se

2

,Te

2

), 

полученных  при  воздействии  внешнего  электрического  поля,  проводилось    анологично 

таковому для тонких слоев, полученных в обычных условиях, т.е. без воздействия  поля. 

 

В  процессе  кристаллизации  наблюдались  образование  поликристаллических  фаз  с 

тетрагональными  решетками.  На  рис.1.  приведена  кинематическая  электронограмма, 

показывающая  кристаллизацию  CuGaS

2

  при  448  К.  Нижние  диффузные  линии  относятся  к 

аморфной фазе, а резкие дифракционные отражения – к поликристаллической фазе. 

 

                     

 

 

Рис.1. Кинематическая электронограмма от CuGa S

2

 

 

 

Следует  отметить,  что  аморфные  фазы  соединения    CuGaTe

2

  также  как  и  CuInTe

2

  в 

отличие от других соединений группы А

1

В

3

С

6

2

 [CuInS

2

(Se

2

), CuGaS

2

(Se

2

)],образующихся при 

комнатной  температуре,  формируются  только  лишь  на  предварительно  охлажденных  до 

температуры  223-213  К  подложках,  которыми  служили  свежесколотые  монокристаллы 

.

,

,

LiF

KCl

NaCl

 

 

Интенсивности  дифракционных  линий  растущей  фазы,  соответствующей  различным 

моментам времени отжига, определялись микрофотометрически. ( Рис.2) 

                  

 

 

 

 

 

 

 

---