Elmi ƏSƏRLƏR, 2016, №3 (77) nakhchivan state university. Scientific works, 2016, №3 (77)

 

15 

 

5.Нуриев  М.А,  Алекперова  Э.Э,  Исмаилов  Д.И.  Электронографическое  исследование  

сверхструктурной  фазы      Cu  Ga  S

2

  /XIII  национальная  конференция    по  росту  кристаллов 

НКРК. Москва, 2008:17-21 ноября, c.390. 

6. Нуриев М.А Электронографическое  исследование фазообразования системы  Сu-Ga-Se и 

кинетика  кристаллизации  CuGaSe

2

.  //  NDU  elmi  əsərlər  (fizikа-riyaziyyat  və  texniki  elmlər) 

2012.N1(43).с.89-91.                                        

 

                                                                           XÜLASƏ 

 

Xarici elektrik sahəsinin təsiri altında kondensə olunmuş amorf  CUIN(GA)S

2

(SE

2

,TE

2

)  

təbəqələrinin kristallaşma kinetikası 

 

 

Məqalədə CuIn(Ga)S

2

(Se

2

,Te

2

) birləşmələrinin kondensə olunmuş nazik amorf təbəqələrinin  

elektrik sahəsinin  təsiri ilə kristallaşma kinetikası parametrləri tədqiq olunmuş  və bu parametrlər 

cədvəl  şəklində  verilərək      adi  şəraitdə  aparılan  kristallaşma  kinetikası  parametrləri  ilə  müqayisə 

edilmişdir.   

        Müəyyən  edilmişdir  ki,  tətbiq  olunma  istiqamətinin  kondensasiya  müstəvisinə  paralel  və  ya 

perpendikulyar  olmasından    asılı  olmayaraq  1500  v/sm  elektrik  sahəsinin  tətbiqi  ilə  bütün 

nümunələrdə  ümumi  aktivləşmə  enerjisinin  qiyməti    aşağı  düşür  ki,  bu  da  kristallaşma  sürətinin 

artması anlamına gəlir. 

 

ABSTRACT 

 

The crystallization kinetics under the influence electric field amorphous condensed layers 

CUIN(GA)S

2

(SE

2

,TE

2

) 

 

        In the article Cu In(Ga) S

2

 (Se

2

, Te

2

) compounds condensed thin layers of amorphous 

crystallization kinetics parameters were researched under the influence of an electric field and the 

crystallization kinetics of these parameters under normal circumstances, given the  table form was 

compared with the settings. 

         It was determined that parallel or perpendicular to the plane of application, regardless of the 

direction of the condensation of 1500 W / cm electric field activation energy at all the samples, with 

the introduction of the price goes down, it means an increase of time of the crystallization. 

 

NDU-nun Elmi Şurasının 25 may 2016-cı il tarixli qərarı ilə çapa tövsiyə 

olunmuşdur (protokol № 10) 

          

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---

 

16 

 

NAXÇIVAN DÖVLƏT UNİVERSİTETİ.  ELMİ ƏSƏRLƏR,  2016,  № 3 (77) 

 

NAKHCHIVAN STATE UNIVERSITY.  SCIENTIFIC WORKS,  2016,  № 3 (77) 

 

НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТЕТ.  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2016,  № 3 (77) 

 

 

ƏLİ BABAYEV 

                                                                                TÜRKAN MƏMMƏDOVA 

                                                                                Naxçıvan Dövlət Universiteti      

UOT:548                                

                                                                                                                                     

CU

2

SE VƏ AGCUSE-DƏ POLİMORF ÇEVRİLMƏLƏRİN QURULUŞ ASPEKTLƏRİ 

 

       

Key words: ortorombic structure, polymorphic transformations, diamond-like structure, 

thermal identity of multiphase composition, crystalline directions 

Ключевые  слова:  орторомбические  структура,  полиморфные  превращения, 

алмазаподобные структура, термические стойкость, многофазовой состав, идентический, 

кристаллические направления 

 

Temperatur difraktometrik tədqiqatlar 10

-2

 Pa vakuumu təmin edən URVT-2000 başlıqlı 

DRON-3M  (CuK

α

-şüalanma,  λ

α

=1.5418Å,  Ni-süzgəc)  difraktometrində  aparılmışdır.Yazılışın 

bucaq  genişlənməsi  ≈0.1

0

  təşkil  etmişdir.Qayıtma  bucaqlarının  təyinində  xəta  ∆θ=±0.02

0

-ni 

aşmamışdır.  

     Cu

2

Se  monokristalları    [011]  istiqamətində  asanlıqla  yönəlir.Belə  kristallardan  otaq 

temperaturunda  10

0

≤2θ≤90

0

  bucaq  intervalında  (011),  (022),  (027),  (040),  (055),  (0.0.18)  və 

(400)  indeksli  çox  aydın  yeddi  difraksiya  pikləri  qeyd  olunmuşdur  (cədv.1).Tozların 

rentgenoqrammasından  olan  bütün  difraksiyalar  elementar  özəyinin  parametrləri  a=4.118Å, 

b=7.032Å,  c=20.360Å,  Z=12  monokristalından  olan  qeyd  olunanlar  aşağıtemperaturlu 

ortorombik quruluşda induksiya olunur  

                                                                                                          Cədvəl 1. 

Müxtəlif temperaturlarda Cu

2

Se-in difraktoqrammasının  hesabatı 

K

α

 (λ

α

-1.5418Å),süzgəc-Ni, rejim: 35kV, 10mA 

 

 

T

təcr.

 

    θ 

I ⁄ I

0

 

 d

təcr.

Å  

   d

hesab.

   

 hkl 

Qəfəsin parametrləri 

 

298 

6

0

39´ 

13

0

24´ 

20

0

05´ 

26

0

01´ 

35

0

27´ 

43

0

00´ 

48

0

30´ 

 30 

  40 

100     

50 

  40  

  40 

  20 

6,6572 

3.3271 

2.2449 

1.7580 

1.3291 

1.1304 

1.0292 

 

6.6519 

3.3260 

2.2423 

1.7579 

1.3296 

11.1323 

1.0295 

011 

022 

027 

040 

055 

0.0.18 

400 

Ortorombik,  

a=4.1168Å 

b=7.0320Å 

c=20.3472Å 

      Z=12,  

fəz.qr.

2

2

D

-P222

1

 

V=589.038Å

3

 

ρ=6.968 q ⁄ sm

3

 

---