Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov



Yüklə 0,99 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə10/40
tarix05.02.2018
ölçüsü0,99 Mb.
#25168
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   40

 

38 

hazırladılar.  Müxtəlif  ölkələrin  alimləri  tərəfindən  yaradılan 

tədqiqat  proqramı  əvvəlcə  nöqtəvi,  sonra  isə  müstəvi 

tranzistorun yaranmasına səbəb oldu. 

Elektronikanın üçüncü inkişaf mərhələsi – nöqtəvi tranzis‐

torun kəşfi və diskret yarımkeçirici cihazların yaradılması ilə 

başlanır.  1946‐cı  ildə  Bell  telefon  laboratoriyasında  Uilyam 

Şoklinin  başçılığı  ilə  bir  qrup  alimlər  Si  və  Ge  yarımke‐

çiricilərinin  xassələrini  nəzəri  və  təcrübi  yolla  öyrənməyə 

başladılar. Təcrübələr müxtəlif elektrik keçiriciliyinə malik iki 

yarımkeçirici  sərhədində  aparılırdı.  Çoxsaylı  təcrübələr 

nəticəsində üçelektrodlu yarımkeçirici cihaz – tranzistor ixtira 

edildi.  Yükdaşıyıcıların  müxtəlifliyinə  görə  tranzistorlar  iki 

qrupa bölündü: 

 

unipolyar (eyniadlı yükdaşıyıcıya malik sahə tranzistoru); 



 

bipolyar  (yükdaşıyıcıları  elektronlardan  və  deşiklər‐dən 



ibarət olan tranzistor). 

Sahə  tranzistorlarının  yaradılması  ideyası  bipolyar  tran‐

zistorların  yaradılmasından  xeyli  əvvəl  irəli  sürülmüşdü. 

Lakin  praktiki  olaraq  bu  ideyanı  həyata  keçirmək  mümkün 

deyildi.  İlk  müvəffəqiyyət  1947‐ci  il  23  dekabr  tarixində 

Şoklinin  rəhbərliyi  altında  Bell  telefon  laboratoriyasının 

əməkdaşları  Bardin  və  Bratteyn  tərəfindən  qazanıldı.  Bardin 

və  Bratteyn  çoxsaylı  təcrübələrdən  sonra  bu  yarımkeçirici 

cihaz  haqqında  məlumatı  1948‐ci  il  iyul  ayında  The  Physical 

Review  jurnalında  verdilər.  Müəlliflər  yazırdılar:  «Əsası 

yarımkeçiricidən  ibarət  olan  üçelementli  elektron  qurğusu 

təsvir  edilir.  Qurğu  gücləndirici,  generator  kimi  işləməkdən 

əlavə,  həm  də  məlum  elektrovakuum  lampalarını  əvəz  edə 

bilər.  Qurğu  Ge  –  germanium  blokunda  yerləşdirilmiş  üç 

elektroddan  ibarətdir  (şəkil  2.2).  Elektrodlardan  biri  emitter 

 

39 

(E),  digəri kollektor  (K)  adlanır və  tranzistorun  yuxarı hissə‐

sində nöqtəvi kontakt şəkilində yerləşir. Üçüncü elektrod isə 

baza  (B)  adlanır  və  tranzistorun  əsasını  təşkil  edir.  Tranzis‐

torların  hazırlanmasında  n–tipli  Ge‐dan  istifadə  edilirdi. 

Nöqtəvi  kontaktlar  həm  volframdan,  həm  də  fosforlu  latun‐

dan hazırlanırdı. Düzləndirici cərəyan deşiklər vasitəsi ilə ya‐

radılır. İki nöqtəvi kontakt bir‐birinə yaxın olduqca, onlar ara‐

sında qarşılıqlı təsir meydana çıxır. Bu təsirdən istifadə edərək 

tranzistorlar  dəyişən  cərəyanın  gücləndirilməsində  tətbiq 

edilə  bilər.  Şəkil  2.2‐dən  göründüyü  kimi,  emitterə  müsbət 

potensial,  kollektora  isə mənfi potensial  verilir.  Bu  halda  nə‐

zərə almaq lazımdır ki, elektrodlardan keçən cərəyan 

e

k

Ι



Ι

 

şərtini ödəməlidir. Kollektor emitterdən gələn deşikləri özünə 



cəzb etdiyinə görə, cərəyanın çox hissəsi onun üzərinə düşür. 

Kollektor  yarımkeçiricidən  axan  elektronlara  qarşı  böyük 

müqavimət  göstərir  və  əksinə  deşiklərin  hərəkətinə  mane 

olmur. Yuxarıdakı şərt daxilində emitter cərəyanını modullaş‐

dırsaq, onda kollektordakı cərəyan dəyişəcək və çıxış gərginli‐

yinin  giriş  gərginliyinə  olan  nisbəti  artacaq.  Yəni  çıxışda 

alınan  siqnal  bir  neçə  dəfə  güclənəcəkdir.  Bu  üsulla  tranzis‐

tordan  keçən  siqnalları  100  dəfə  artırmaq  mümkündür. 

Yaradılan cihaz 10 MHs tezliklərdə də normal işləyə bilər». 

 

Şəkil 2.2. Tranzistorun elektrik dövrəsinə qoşulması. 





Б 

Е 



К 

Р

й



 

Эе 



 

40 

Bardin və Bratteyn tərəfindən yaradılan tranzistor nöqtəvi 

tranzistor adlandırıldı (şəkil 2.3). Nöqtəvi tranzistor germani‐

um  kristalından  (1),  emitter  çıxışından  (2),  bazadan  (3)  və 

kollektordan  (4)  ibarətdir.  Çıxış  yüksəkomlu  (əks  istiqamət‐

də),  giriş  isə  aşağıomlu  (düz  istiqamətdə)  işlədicidən  ibarət 

olduğundan  siqnalda  güclənmə  alınırdı.  Bütün  bu  xassələrə 

görə yaradılan cihaz qısa olaraq – tranzistor (ingilis dilindən 

tərcüməsi «müqavimət çeviricisi» deməkdir) adlandırıldı. 

 

Şəkil 2.3. Nöqtəvi tranzistor 

 

Müstəvi bipolyar tranzistorun ixtirası. 1947‐ci ilin aprelin‐

dən – 1948‐ci ilin yanvarına qədər olan ərəfədə Şokli müstəvi 

bipolyar  tranzistorların  nəzəriyyəsi  haqqında  məlumatı  açıq 

mətbuatda dərc etdi. O, p‐ və n‐keçidli yarımkeçirici diodların 

düzləndirmə xassələrinin olmasını aşkar etdi (şəkil 2.4). 

Şəkil  2.4‐də  göstərilmiş  müstəvi  yarımkeçirici  qurğuda  p‐

oblastına müsbət, n‐oblastına mənfi potensial verdikdə cihaz 

özünün düzləndirmə xassəsini üzə çıxarır. Nöqtəvi düzləndi‐





 

41 

riciyə  nisbətən  müstəvi  düzləndirici  daha  böyük  yük  müqa‐

vimətə  malikdir.  Müstəvinin  sahəsini  artırdıqda  şuntlayıcı 

kontakt tutumu da artır. 

 

 



Şəkil  2.4.  Yarımkeçirici  diodun 

iki ölçülü sxemi

 

Şəkil 2.5. p‐n‐p tipli Yarımkeçi‐

rici  tranzistorun  iki  ölçülü  sxe‐

mi  E  –  emitter,  K  –  kollektor,  B 

– baza, n – oblastı isə bazadır. 

 

Yarımkeçiricilər  üzərində  tədqiqat  işlərini  davam  etdirən 



Şokli  çox  keçmədən,  iki  p‐n  keçidli  yarımkeçiricidən  ibarət 

müstəvi tranzistor nəzəriyyəsini irəli sürdü. Şəkil 2.5‐də təsvir 

edilmiş p‐n‐p tipli tranzistorda müsbət p‐oblast emitter, mənfi 

p‐oblast kollektor, n‐oblast isə baza adlanır. Göründüyü kimi, 

nöqtəvi metal kontaktlar əvəzinə iki p‐n oblastı istifadə edilir. 

Baza  oblastının  qalınlığı  25  mkm‐dir.  Nəzəri  olaraq  müstəvi 

tranzistorlar daha asan təhlil olunur, küylərin səviyyəsi aşağı, 

gücləndirmə  keyfiyyəti  isə  yüksəkdir.  Tranzistorun  normal 

işləməsi üçün bazaya nisbətən emitterə düz, kollektora isə əks 

potensial  verilməlidir.  Məsələn,  p‐n‐p  tip  tranzistorda 

emitterə müsbət,  kollektora mənfi,  n‐p‐n  tip tranzistorda  isə, 

emitterə mənfi, kollektora müsbət potensial vermək lazımdır. 

Elektronikanın  inkişaf  tarixində  tranzistorların  ixtirası 

elmdə böyük inqilab idi və ona görə də onun müəllifləri Con 

Bardin,  Uolter  Bratteyn  və  Uilyam  Şokli  1956‐cı  ildə  Nobel 

mükafatına layiq görüldülər. 

 

н 

п 



 В 

К 

Е 



п 

н 

п 



 Шякил 2.4. Йарымкечириъи диодун  

 ики юлчцлц схеми 




Yüklə 0,99 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   40




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə