Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov

 

46 

sürətlə  təkmilləşdirilməsi  və  istehsalı  başlandı.  Silisium  Vadi‐

sinin yaradılması Stenford Universitetinin mühəndislik fakül‐

təsinin dekanı F.Termenin adı ilə bağlıdır. İkinci Dünya Mü‐

haribəsi  ərəfəsində  Termenin  tələbələri  Xyulett,  Pakkard  və 

Varian qardaşları həmin vadidə məşhur firma yaratdılar. 

Şokli BTL laboratoriyasını tərk edərək Kaliforniya Politexnik 

İnstitutunun əməkdaşı A.Beckmanın köməyi ilə yeni bir firma 

yaradır.  Onlar  silisiumlu  tranzistorların  istehsalı  ilə  məşğul 

olurlar.  1955‐ci  ilin  payızından  Paolo‐Alto  hərbi  hissədə 

Beckman  İnstruments  adlı  daha  bir  firma  fəaliyyətə  başlayır. 

Şokli  firmaya  12  nəfər  ixtisasçı  dəvət  edir  (Xorsli,  Noys,  Mur, 

Qriniç,  Roberts,  Xorni,  Last,  Cons,  Kleyner,  Blenk,  Nepik  və 

Sa).  1957‐ci  ildən  firma  öz  adını  dəyişərək  Shockly  Transistor 

Corporation  adlandırır.  Tezliklə  8  nəfər  ixtisasçı  Noys,  Mur, 

Qriniç,  Roberts,  Xorni,  Last,  Kleyner  və  Blenk  Beckmanla 

danışaraq  yeni  müstəqil  Fairchild  Semicondustor  Corporation 

firmasının təməlini qoyurlar. Bu firma yüksək keyfiyyətliyi ilə 

seçilən  bipolyar  silisium  tranzistorlar  istehsal  edir.  İlk  məhsul 

satışa  1957‐ci  ildə  buraxılır.  Bu  cihaz  silisium  (2N696  tipli) 

mezatranzistoru idi. Həmin tranzistor emitter və metal kontak‐

tların  qoyulması  üçün  iki  fotolitoqrafiya  prosesindən  keçirdi. 

Mezatranzistor  termini  BTL‐dən  olan  Erli  tərəfindən  irəli 

sürülmüşdü. Xorni əlavə litoqrafiya əməliyyatlarından istifadə 

edərək, mezastrukturun kollektorunu diffuziya cibliyi ilə əvəz 

etdi  və  emitter‐kollektor  keçidini  bir‐birindən  ayırdı.  Sonra 

1000°C‐də termik oksidləşmə üsulundan istifadə etdi. Xorni bu 

üsulla alınan tranzistorların texnologiyasını planar texnologiya 

adlandırdı. Tranzistorların hazırlanması ilə məşğul olan firma 

1961‐ci  ildən  2N613  (n‐p‐n)  və  2N869  (p‐n‐p)  tipli  silisium 

bipolyar planar tranzistorların kütləvi istehsalına başladı. 

 

47 

Last  və  Xorni  1961‐ci  ildə  Amelcomin  firmasının  əsasını 

qoydular. Sonralar bu firma Teledyne Semiconductor adını aldı. 

Xorni  1964‐cü  ildə  Union  Corbide  Electronics,  1967‐ci  ildə  isə 

İntersil firmasına başçılıq etdi. 1957‐ci ildən 1983‐cü ilə qədər 

silisium vadisində 100‐dən artıq firmalar fəaliyyət göstərirdi. 

Hal‐hazırda  da  yeni‐yeni  firmalar  yaranmaqdadır.  Bütün  bu 

firmaların  yaranmasında  ABŞ‐ın  Stenford  və  Kaliforniya 

Universitetlərinin əməkdaşları fəal iştirak edirlər (cədvəl 2.1). 

 

Cədvəl 2.1. Silisium Vadisinin inkişaf dinamikası 

 

1914‐1920 Xeynlett‐Pakard (Varian qardaşlarının iki dostu) 

1955‐1957 BTL Shockley Semiconductor Laboratory (Beckman  

İnstruments) Paolo Alto (h/hissə) və. b. cəmi: 12 nəf. 

1960 

Fairchild Semicondustor Corporation Noys, Mur,  

Qriniç, Roberts, və b. cəmi: 8 nəf. 

1961 

Amolcot Uenless Snou Endryu Qroub Dil 

1968 

İntel (İnter‐qreyt ed elektroniks) 12 nəfər (Mauntin  

Byo) 

 

Rusiyada  tranzistorların  istehsalı.  Rusiyada  sənayedə  is‐

tehsal  olunan  tranzistordan  biri  nöqtəvi  tranzistorlar  olmuş‐

dur. Bu tranzistorlar 5 MHs tezliyə qədər rəqsləri gücləndirə 

və  generasiya  edə  bilirdi.  Tranzistorların  ayrı‐ayrı  texnoloji 

proseslərinin  hazırlanmasında  və  parametrlərə  nəzarət  üsul‐

larının işlənməsində rus alimlərinin rolu əvəzsizdir. Rusiyada 

uzun  müddət  toplanan  təcrübə  daha  əlverişli  cihazların 

yaranmasına  səbəb  oldu.  Hazırlanan  cihazlar  artıq  10  MHs 

tezliklərdə  istifadə  edilə  bilərdi.  Sonrakı  dövrdə  nöqtəvi 

tranzistorları  ondan  fərqli  olan  yüksək  keyfiyyətli  müstəvi 

tranzistorlar  əvəz  etdi.  P1  və  P2  tipli  ilkin  tranzistorlar  100 

---

 

48 

kHs‐ə  qədər  elektrik  rəqslərini  gücləndirir  və  generasiya 

edirdi.  Sənayedə  P1  və  P2  tipli  tranzistorları  P3,  P4,  P5,  P6, 

P13‐P16,  P201‐P203,  P401‐P403  tipli  tranzistorlar  sıxışdırıb 

aradan çıxartdı. Bununla da, diffuziya üsulu ilə tranzistorların 

hazırlanmasının  əsası  qoyuldu  və  onların  işçi  tezlik 

diapazonu  100  MHs‐i  aşdı.  Tranzistorların  sonrakı  inkişaf 

dövrü  ərinti  və  diffuziya  yolu  ilə  alınan  tranzistorların 

təkmilləşdirilməsi istiqamətində aparılırdı. 

 

§2.3. Yarımkeçirici cihazların impuls  

və rəqəm texnikasında tətbiqi 

 

Keçən  əsrin  ortalarında  tranzistorun  ixtirasından  sonra 

onların  kombinasiyalarından  müxtəlif  əməliyyatları  icra  edə 

bilən çoxlu sayda yarımkeçirici cihazlar işlənib hazırlandı. Bu 

cihazlardan  triggerlər,  multivibratorlar  və  impuls  diodları 

sənayedə geniş tətbiq edildi. 

Yarımkeçirici  triggerlər.  Xarici  açıcı  impulsun  təsiri  ilə  bir 

haldan digər hala sıçrayışla keçən iki dayanıqlı hala malik olan 

elektron  qurğularına  triggerlər  deyilir.  Triggerlər  avtomat  və 

elektron  hesablama  qurğularında  düzbücaqlı  şəkilli  impulslar 

almaq,  ikili  informasiyanı  yaddaşında  saxlamaq,  impulsları 

bölmək və digər məqsədlər üçün istifadə olunur. 

Trigger – kaskadlar arasında dərin müsbət əks rabitə yara‐

dılmış  ikikaskadlı  sabit  cərəyan  gücləndiricisindən  ibarətdir. 

Trigger sxemlərində olan elektron cihazları (tranzistorlar) açar 

rejimində işləyir və ona ümumi halda sxemə ardıcıl qoşulmuş 

iki  elektron  açarı  kimi  baxmaq  olar.  Cihaz  işləyərkən  birinci 

açarın çıxış gərginliyi ikinci açarın giriş gərginliyini və əksinə, 

ikinci  açarın  çıxış  gərginliyi  birincinin  giriş  gərginliyini  idarə 

 

49 

edir. 

Triggerlərin iş prinsipini bipolyar tranzistorlu trigger sxemi 

üzərində  izah  edək  (şəkil 

2.9).  R

K1

=R

K2

,  R

1

=R

2

,  R

3

=R

4

 

olduqda bu sxem simmet‐

rik  trigger  adlanır.  Tutaq 

ki,  T

1

  tranzistoru  doyma, 

T

2

  isə  bağlı  rejimlərdədir, 

yəni  trigger  birinci  daya‐

nıqlı  haldadır.  Onda  T

1

 

tranzistoru  açıq  olduğun‐

dan onun kollektor, emit‐

ter və bazasında potensial 

təxminən  eyni  olur,  T

2

 

tranzistorunun  isə  emit‐

ter‐baza keçidi bağlı oldu‐

ğundan  onun  kollektor 

dövrəsində  I

b

=0  qiymətinə  uyğun  olan  I

K0

  başlanğıc  cərəyanı 

olur. T

1 

tranzistoru doyma rejimində işlədiyindən onun baza‐

sı,  emitteri  və  R

1

  rezistoru  qısa  qapanır.  T

2

  tranzistorunun 

bağlı vəziyyətdə olması üçün onun bazasının potensialı mənfi 

(U

b2

<0)  olmalıdır.  Bu  halda  T

2

  tranzistorunun  baza  dövrəsi 

üçün  Kirxhofun  ikinci  qaydasına  görə  E

b

=I

K0

R

4

+U

b2

  yazmaq 

olar.  U

b2

<0  olduğunu  nəzərə  alıb,  T

2

  tranzistorunun  bağlan‐

ması şərtini 

4

0

R

E

K

b

⋅

Ι

≥

 və ya 

0

4

K

b

E

R

Ι

≤

.                            (2.1) 

şəklində  də  yazmaq  olar.  Bu  bərabərsizlik  E

b

‐nin  minimum, 

I

K0

‐ın  maksimum  qiymətlərində  daha  asan  ödənilir.  (2.1) 

+Е

К

 

Е

0

 

Р

4

 

Р

3

 

Т

2

 

Т

1

 

Р

2

 

Р

1

 

Ъ

2

 

Ъ

1

 

Р

К2

 

Р

К1

 

Şəkil 2.9. Kollektor‐baza rabitəli 

triggerin prinsipial sxemi 

---