Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov



Yüklə 0,99 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə15/40
tarix05.02.2018
ölçüsü0,99 Mb.
#25168
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   40

 

58 

III FƏSİL 

İNTEQRAL MİKROSXEMLƏRİN KƏŞFİ. 

MİKROELEKTRONİKANIN İNKİŞAF MƏRHƏLƏLƏRİ 

 

Yeni  tipli  tranzistorların  yaranması  və  onların  impuls  və 

rəqəm  texnikasında  tətbiqi,  eləcədə  kiçik  ölçülü  hesablama 

maşınlarının yaradılması, yeni‐yeni kiçik həcmli yarımkeçirici 

cihazlarının  birləşdirilərək  elektron  qurğularının  yaradılma‐

sında istifadə edilməsi elektronikanın yeni sahəsinin – mikro‐

elektronikanın meydana gəlməsinə zəmin yaratdı. 

 

§3.1. İlk inteqral mikrosxemlər 



 

İnteqral  mikrosxemlər.  Amerikan  mühəndisi  C.Kilbinin 

rezistorlar,  kondensatorlar,  tranzistorlar  və  diodlar  kimi  bü‐

tün sxemlər üçün bir parça təmiz silisium üzərində ekvivalent 

elementləri  almaq  təklifi  elektronikada  inteqrallaşmanın  baş‐

lanmasına  təkan  oldu.  İlk  inteqral  yarımkeçirici  sxemi  Kilbi 

1958‐ci ildə yaratdı və artıq 1961‐ci ildə Fairchild Semiconductor 



Corp firması EHM üçün mikrosxemlərin ilk kütləvi buraxılışı‐

na başladı. 

Mikrosxemlər üçün xam material olaraq adətən emal edil‐

miş  təmiz  silisiumdan  hazırlanmış  lövhə  götürülürdü.  Belə 

lövhə nisbətən böyük ölçüyə malik olduğundan onun üzərin‐

də eyni zamanda bir neçə yüz eyni tipli mikrosxem yaratmaq 

mümkün olurdu. 

1959‐cu ildə Fairchild firmasının əməkdaşı Xorni çoxlu sayda 

sınaqlar apararaq oksidləşmə texnologiyasını hazırladı. O, bor 

və  fosfor  atomlarının  optimal  diffuziya  dərinliyini  müəyyən 

etdi. Xorni hətta gecələr və istirahət günləri də qaranlıq otaqda 

 

59 

işləyərək,  alüminium  oksidli  silisium  lövhələrinin  üzərinə 

çoxlu  sayda  fotorezist  ekspozisiya  edərək,  alüminiumun 

optimal  aşınma  rejimini  axtarırdı.  Qriniç  şəxsən  cihazlarla 

işləyərək  tranzistorların  və  inteqral  mikrosxemlərin  xarakte‐

ristikalarını çıxarırdı. Təcrübi məlumatların azlığından ən qısa 

çıxış yolu – özün düzəlt kəlamı idi. Bu yolu da – Qriniç, Xorni, 

Mur və Noys seçdilər. 

İnteqral  mikrosxemlərin  tətbiqi  artıq  1960‐cı  ildən  həyata 

keçirildi.  Fairchild  firmasından  olan  Robert  Noysın  monolit 

inteqral  sxemin  yaradılması  ideyası  patent  qeydiyatından 

keçdi  (ABŞ‐ın  2981877  nömrəli  patenti)  və  planar  texnologiya 

tətbiq  edilərək  ilk  monolit  silisium  inteqral  sxemi  hazırlandı. 

Monolit  inteqral  sxemdə  silisium  bipolyar  tranzistorlar  və 

rezistorlar  bir‐biri  ilə  passiv  oksid  üzərində  yerləşən  nazik 

ensiz alüminium zolaqları ilə birləşirdi. Birləşdirici alüminium 

naqilləri  fotolitoqrafiya  üsulu  ilə  oksidin  bütün  səthində  toz‐

lanma  ilə  çökdürülmüş  alüminium  təbəqəsini  aşındırmaqla 

hazırlanırdı. Bu cür texnologiya inteqral mikrosxemlərin (İMS) 

monolit  texnologiyası  adlanırdı.  Robert  Noyslə  eyni  zamanda 

Texas  İnstruments  firmasından  olan  Kilbi  qızıl  naqillərdən 

istifadə  edərək  germanium  kristalı  üzərində  trigger  hazırladı. 

Bu  cür  texnologiya  isə  hibrid  inteqral  sxem  texnologiyası 

adlandırıldı.  Kilbi  və  Noys  öz  ixtiraları  haqqında  hökumətə 

müraciət  etdilər.  ABŞ‐ın  apelyasiya  məhkəməsi  Kilbinin 

ərizəsini rədd edərək, Noysun ixtirasını qəbul etdi. Yəni oksid 

üzərindəki  alüminium  təbəqəsini  aşındırmaqla  fotolitoqrafiya 

üsulu  əsasında  hazırlanmış  birləşdirici  naqillərlə  elementlər 

arasında əlaqə yaradılan monolit texnologiyanı tanıdı. 

1960‐cı  ilin  fevralında  isə  Fairchild  firması  silisium  kristalı 

üzərində  4  ədəd  bipolyar  tranzistor  yerləşən  monolit  sxem 



 

60 

yaratdı  və  onu  mikrologiya  adlandırdılar.  Xorni  və  Noysun 

monolit  texnologiyası  1960‐cı  ildə  inteqral  mikrosxemlərin 

əsasını  qoydu.  Sxemlərdə  əvvəlcə  bipolyar,  sonra  isə  sahə 

tranzistorlarından  istifadə  edildi.  Mikrosxemlərə  olan  maraq 

sürətlə artırdı. Odur ki, artıq onların kütləvi istehsal texnolo‐

giyasının hazırlanması tələbi yaranırdı. 

1961‐1962‐ci  illərdə  qəbul  edilən  iki  təklif  silisiumlu 

inteqral  mikrosxemlərin  kütləvi  istehsalının  inkişafına  güclü 

təkan verdi: 

1)  Nyu‐Yorkun  İBM  firmasına  EHM  maşınlarında  ferro‐

maqnit  yaddaş  qurğularından  deyil,  n‐kanallı  sahə  tranzis‐

torlarından  (metal‐oksid‐yarımkeçirici  və  ya  qısa  olaraq 

MOY) istifadə etmək təklifini verdilər. Bu təklifin nəticəsində 

1973‐cü  ildə  universal  MOP  ZU‐İBM‐370/158  EHM  maşını 

yaradıldı; 

2)  Fairchild  firmasına  inteqral  sxemlər  (İS)  üçün  elmi‐

tədqiqat  laboratoriyalarında  yarımkeçiricilərin  öyrənilməsini 

daha da genişləndirmək təklifi verildi. 

1961‐ci  ildə  Mur,  Noys  və  Qriniç  (Fairchild  firmasının 

əməkdaşları)  gənc  ixtisasçıları  bu  işlərə  cəlb  etmək  məqsədi 

ilə  İllinoys  Universitetinin  (universitetdə  Bardinin  Yarımkeçi‐



ricilər  fizikası  kitabından  mühazirələr  oxuyurdu)  magistratu‐

rasını  yenicə  bitirmiş  gəncləri  öz  qruplarına  cəlb  edirdilər. 

Həmin  gənclərdən  bir  qrupu  bərk  cisimlər  fizikası  ixtisasını 

alan  –  Uenless  və  Snou;  kimyaçı  –  Endryo  Qrouv;  Berklidə 

universiteti bitirən kimyaçı praktik – Dil idi. 

Materiallar və cihazlar fizikasının layihəsini Dil, Qrouv və 

Snou  birlikdə  hazırladılar.  Sxemlərin  tətbiqi  layihəsini  isə 

Uenless təklif etdi. Bu dördlüyün tədqiqatlarından ifrat böyük 

inteqral  mikrosxemlərin  hazırlanmasında  hal‐hazırda  da 

 

61 

geniş istifadə edilir. 

Qordon Mur və Robert Noys Fairchild firmasının yarımke‐

çiricilər şöbəsindən çıxaraq 1968‐ci ilin iyun ayında 12 nəfər‐

dən ibarət İntel firmasını təşkil etdilər. 

1971‐ci  ildə  İntel  amerikan  firması  tərəfindən  hesab  və 

məntiqi  əməliyyatları  icra  etmək  üçün  vahid  inteqral  sxem‐

lərin – mikroprosessorların yaradılması sahədə fövqəladə də‐

rəcədə əhəmiyyət kəsb edən mühüm nəticələrdən biri oldu. 

1997‐ci ildə Endryo Qrouv ilin adamı seçildi. O, Amerikanın 

Kaliforniya  ştatında  planetimizdə  istifadə  olunan  bütün 

kompüterlərin 90%‐ni mikroprosessorlarla təmin edirdi. 1998‐

ci  ilin  1  yanvar  tarixində  mövcud  olan  statistikaya  görə 

firmanın illik gəliri 5,1, dəyəri isə 15 milyard dollara bərabər 

idi.  Qrouv  direktorlar  şurasına  sədrlik  edirdi.  Artıq  1999‐cu 

ildə firma 

15

10



4

 ədəd tranzistor istehsal edirdi. İntel firması 



Pentium  I,  II,  III  tipli  kompüterlər  istehsalında  dünyada 

qabaqcıl yerlərdən birini tuturdu. 

Andryo Qrouv 1936‐cı il 2 sentyabr tarixində Macarıstanda 

doğulmuşdu.  Onu  Androş  Qrof  kimi  çağırırdılar.  Sovet 

qoşunları  1956‐cı  ildə  Macarıstanın  paytaxtı  Budapeştə  daxil 

olanda o, əvvəlcə Avstriyaya oradan da Nyu‐Yorka qaçır. Siti‐

kollecini  əla  qiymətlərlə  bitirdikdən  sonra  Kaliforniyadakı 

Berkli universitetində doktorluq dissertasiyasını müdafiə edir. 

Gənc  mütəxəssisi  hamı  öz  firmasına  dəvət  etsə  də,  Andryo 

Qrouv  Fairchild  firmasında  işləyən  Sanın  yanına  getməyə 

üstünlük verir. 

1967‐ci  ildən  elektron  yaddaş  qurğularının  yaradılmasına 

olan  maraq  gündən‐günə  artırdı.  İBM  firmasında  işləyən  Di‐

nard birtranzistorlu dinamik yaddaş qurğusu yaratdı. Bu ixtira 

elektron sənayesində uzun müddət öz təsirini saxladı. Qurğu‐




Yüklə 0,99 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   11   12   13   14   15   16   17   18   ...   40




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2022
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə