Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov

 

66 

Düzünə reaksiya epitaksiya təbəqəsinin alınmasına, əksinə 

reaksiya  isə  altlığın  aşınmasına  uyğundur.  Epitaksiya 

təbəqəsinin  aşqarlanması  üçün  qaz  axınına  aşqar  atomları 

əlavə edilir. Bu halda fosforitdən (PH

3

) donor, dibordan (B

2

H

3

) 

isə akseptor kimi istifadə olunur. 

Mayeli  epitaksiya  halında  müxtəlif  materiallardan  təşkil 

olunmuş çoxlu sayda struktur alınır (şəkil 3.3). 

 

Şəkil  3.3.  Mayeli  epitaksiya  reaktorunun  sxemi.  1,  2,  3,  4  – 

məhlullar,  8  ‐  itələyici,  9  –  elektrik  sobası,  5  –  məhlulları 

saxlayan sürüşən qab, 10 – kvars boru, 6 – altlıq, 7 – əsas qrafit 

tutucu, 11 – termocüt. 

 

Mütəhərrik  qurğu  ardıcıl  olaraq  müxtəlif  məhlulları 

altlığa  tərəf  aparır.  Beləliklə,  qalınlığı  1  mkm‐dən  az  olan 

müxtəlif  (Ge‐Si,  GaAs‐GaP)  materiallardan  ibarət  hetero‐

strukturlar alınır. 

Bir  neçə  molekulyar  dəstənin  qızmış  monokristal  altlıqla 

qarşılıqlı  təsirinə  əsaslanan  molekulyar‐şüa  epitaksiyası  ifrat 

yüksək  vakuumda  aparılır.  Şəkil  3.4‐də  Al

X

Ga

1‐X

As  birləşmə‐

sinin alınma prosesi təsvir olunur. Şəkildən görün‐düyü kimi, 

10 

Эириш Щ

2

 

11 

9 

8 

7 

6 

5 

4 

3 

2 

1 

 

67 

hər  bir  qızdırıcı,  ixtiyari  molekulyar  dəstənin  mənbəyi  olan 

tiqeldən ibarətdir (tiqel‐içərisində metal əritmək üçün istifadə 

edilən  qabdır).  Qızdırıcının  temperaturu  elə  seçilir  ki,  bu‐

xarlanan  materialların  təzyiqi  molekulyar  dəstənin  yaran‐

masına kifayət etsin. Altlığın və qızdırıcının temperaturunun 

seçilməsi  mürəkkəb  kimyəvi  tərkibli  maddələrin  alınmasına 

imkan  verir.  Maddənin  alınmasında  qızdırıcı  ilə  altlıq 

arasında yerləşdirilmiş xüsusi arakəsmədən də istifadə edilir 

ki, bu da molekulyar dəstələrin nizamlanmasında əlverişli rol 

oynayır.  Ümumiyyətlə,  molekulyar‐şüa  üsulu  bərk  cisim 

elektronikasında submikron ölçülü təbəqəli strukturların alın‐

masında geniş tətbiq edilir. 

 

 

Şəkil 3.4. Al

X

Ga

1‐X

As üç qat birləşməsinin alınma prosesi 

 

2)  Oksidləşmə.  Silisium  2‐oksid  təbəqəsi  silisium  atom‐

larının  oksigen  atomları  ilə  kimyəvi  birləşməsi  nəticəsində 

900°‐1200°C temperaturlu sobada silisium altlıq üzərində for‐

malaşır  (şəkil  3.5).  Oksidləşdirmə  üçün  oksigendən  və  ya 

oksigen‐buxar  qarışığından  istifadə  edilir.  Oksigen‐buxar 

Qızdırıcı mənbələr 

Mn

As

Ga

Al

Sn

cəftələr

Molekulyar dəstə 

GaAs

Al

X

Ga

1‐X

As

altlıq

---

 

68 

qarışığında oksidləşmə prosesi sürətlə baş verir. Ona görə də 

qalın təbəqəli SiO

2

‐in alınmasında bu üsul tətbiq edilir. Alınan 

təbəqənin qalınlığının yuxarı həddi 1‐2 mkm‐ə çatır. 

 

 

Şəkil  3.5.  Silisium  2‐oksidin  alınma  prosesinin  sxematik  təs‐

viri. 1 – altlıq, 2 – kvars qab, 3 – qızdırıcı, 4 – kvars boru.  

 

Alınan  üçqat  birləşmələr  və  SiO

2

  nazik  təbəqələr  mikro‐

sxemlərdə radioelementlərin alınmasında əsas materiallar ki‐

mi istifadə edilir. 

 

§3.3. Litoqrаfiya prosesləri 

 

Mikrosxemlərin  formalaşması  müxtəlif  proseslərin  həyata 

keçirilməsi  nəticəsində  baş  verir.  Belə  proseslərdən  biri  də 

mikrosxemlərin  topologiyasının  alınması  üçün  litoqrafiya 

proseslərinin tətbiqidir. 

Litoqrafiya  prosesinin  tətbiq  tapmış  dörd  növü  mövcud‐

dur: foto‐, elektron‐şüa, rentgen və ion‐şüa litoqrafiya. 

Fotolitoqrafiya. Fotolitoqrafiya – müəyyən forma və ölçü‐

4

О

2

 

O

2

+buxar

2

1

3 

 

69 

yə  malik  şəkillərin  dielektrik  və  ya  metal  lay  üzərində  alın‐

ması prosesidir. Başqa sözlə desək, altlıq materialın üzərində 

maskanın  alınma  üsuludur.  Maskanın  şəkli  fotoşablonun  (FŞ) 

köməyi ilə hazırlanır. Fotoşablon qalın şüşə təbəqədən ibarət 

olub, üzlərindən biri qeyri‐şəffaf nazik  təbəqə  ilə  örtülür.  Bu 

qeyri‐şəffaf  təbəqənin  üzərində  isə  şəffaf  deşiklər  (cizgilər) 

vasitəsi ilə tələb olunan istədiyimiz «maska» – şəkil çəkilir. 

Fotolitoqrafiya  mikroelektronikada  eni  1  mkm‐dən  kiçik 

təbəqələrin alınmasında istifadə edilir. Prosesdən əvvəl ölçü‐

sü 500 dəfə böyüdülmüş mikrosxemin topologiyası hazırlanır. 

Sonra  sxemin  10  dəfə,  100  dəfə  və  nəhayət,  lazım  olan  ölçü 

alınana qədər kiçilmiş şəkilləri çəkilir. Fotolitoqrafiya prosesi 

(şəkil 3.6) aşağıdakı ardıcıllıqla həyata keçirilir. Əvvəlcə şəkil 

3.6‐da  təsvir  edildiyi  kimi  (4)‐silisium  altlığın  üzərinə  ardıcıl 

olaraq (3) silisium 2‐oksid təbəqəsi, (2) fotorezist, sonra isə (1) 

şəffaf təbəqəsi (fotoşablon) çəkilir. Fotorezistin orta hissəsi (5) 

fotoşablonun  qeyri‐şəffaf  hissəsi  ilə  örtülür.  Alınan  (1)  qalın 

təbəqə (6) ultrabənövşəyi şüalarla işıqlandırılır. Ultrabənövşə‐

yi şüalar fotoşablondan keçərək fotorezistin üzərinə düşür. 

Fotorezist  ultrabənövşəyi  şüaların  təsiri  ilə  polimerləşmə 

dərəcəsi dəyişən xüsusi lakdır. Neqativ və pozitiv fotorezistlər 

mövcuddur. Neqativ fotorezistlər işığın təsiri ilə polimerləşə‐

rək,  aşılayıcılara  (turşu,  qələvi  və  s.)  qarşı  dayanıqlı  olur. 

Aşındırmadan sonra isə belə fotorezistrlərdə yalnız işıqlanan 

oblastlar qalır, yerdə qalan oblastlar yox olur. Pozitiv fotore‐

zistrlərdə  isə,  əksinə,  işıqlandırılmayan  oblastlar  kimyəvi 

dayanıqlı olduğundan, aşılanmadan sonra yalnız onlar qalır. 

İşıq  pozitiv  fotorezistrlərdə  polimerləşdirici  rabitələri  qırır. 

SiO

2

 üzərinə çəkilən və onda pəncərə açmaq məqsədi güdən 

fotorezist, adətən, damcı şəklində oksid təbəqə üzərinə yerləş‐

---