Ə.Ş. Abdinov, R. F. Mehdiyev, T. X. HÜseynov

 

70 

dirilir və mərkəzdənqaçma maşının köməyi ilə qalınlığı 1 km  

 

Şəkil  3.6.  Fotolitoqrafiyanın  mərhələlərinin  sxematik  təsviri. 

a)  ilkin  örtmə,  b)  kontaktların  qoyulması,  c)  aşkarlanma,  d) 

aşındırma, e) fotorezistin götürülməsi. 

 

4

3

a) 

CuО

2

fotorezist

Si 

2

b) 

6

5

1

4

3

2

4

3

c) 

2

4

3

d) 

2а

4

3

e) 

 

71 

olan  lay  alınana  kimi  proses  davam  etdirilir.  Sonra  pəncərə‐

dəki oksid təbəqə turşu məhlulu ilə aşındırılır və fotorezistrin 

qalan  hissəsi  götürülür.  Sadaladığımız  prosesi  ardıcıl  olaraq 

aşağıdakı mərhələlərə bölmək olar: a) ilkin örtmə, b) kontakt‐

ların  qoyulması,  c)  aşkarlama,  d)  aşındırma,  e)  fotorezistrin 

götürülməsi.  Təsvir  etdiyimiz  proses  kontakt  çap  üsulu  ad‐

lanır.  Texnoloji  proseslərdə,  adətən,  çox  mərhələli  fotolito‐

qrafiya  üsulu  tətbiq  edilir.  Kontakt  çap  üsulunun  ayırdetmə 

qabiliyyəti  (yəni  FŞ‐da  şəkilin  minimal  ölçüsü)  1  mkm 

tərtibində olur. Əgər prosesdə şəffaf təbəqə ilə altlıq arasında 

optik  linza  yerləşdirilərsə,  onda  alınan  prosesə  proyeksiyalı 

çap üsulu deyilir. 

Elektron‐şüa litoqrafiya. Elektron‐şüa litoqrafiya üsulu iki 

halda tətbiq edilir: 

1)  Elektron‐şüası  elektron  hesablama  maşını  ilə  idarə  olu‐

naraq altlığın səthi ilə hərəkət etdirilir; 

2)  Elektron dəstələrini xüsusi maskalardan keçirərək təbə‐

qə üzərinə təsir göstərilir. 

Birinci  halda  rastr  və  vektor  tipli  sistemlər  tətbiq  edilir. 

Rastr sistemində elektron dəstəsi intensivliyə görə modullaşır 

və altlığın bütün səthində hərəkət etdirilir. Vektor sistemində 

isə elektron dəstəsi elə meyl etdirilir ki, onun rezist üzərində 

hərəkəti lazım olan şəkilə uyğun olsun. 

İkinci  variantda  fotokatod  üzərində  lazım  olan  şəkildə 

optik  maska  yerləşdirilir.  Ultrabənövşəyi  şüalar  maskadan 

keçərək  fotokatodu  şəkilin  uyğun  oblastlarını  şüalandırır  və 

nəticədə  fotokatoddan  elektronlar  emissiya  olunur.  Bu  elek‐

tronlar,  istiqamətcə  eyni  olan  bircins  elektrostatik  və  maqnit 

sahələrinin təsiri ilə, rezistin səthinə proyeksiya edilir. Bu cür 

sistemlərin  üstünlüyü  ondan  ibarətdir  ki,  onları  submikron 

---

 

72 

ölçülərə də tətbiq etmək mümkündür. 

 

 

 

Şəkil 3.7.  Rentgen  litoqrafiya üsulunun  sxematik  təsviri. 1a 

– elektron şüaları, 2a – hədəf, 3a – rentgen şüaları, 1 – şəffaf 

material, 2 – uducu, 3 – aralıq lay, 4 – polimer təbəqə (rezist), 

5 – altlıq.  

 

Rentgen  litoqrafiya.  Rentgen  litoqrafiya  üsulu  sxematik 

olaraq  3.7‐ci  şəkildə  təsvir  edilir.  Bu  halda  istifadə  edilən 

maska rentgen şüaları üçün şəffaf olan (4) membrandan iba‐

rətdir.  Membran  rentgen  şüalarını  güclü  uda  bilən  material‐

dan  hazırlanır  və  verilmiş  şəkili  özündə  saxlayır.  Maska  ra‐

diasiyaya həssas olan rezist materialla örtülən altlıq üzərində 

yerləşdirilir.  Maskadan  D  məsafədə  nöqtəvi  rentgen  şüala‐

rının  mənbəyi  qoyulur.  Rentgen  şüaları  elektron  dəstəsinin 

hədəf  üzərinə  fokuslandırılması  nəticəsində  yaradılır.  Rent‐

gen  şüaları  maskaya  təsir  edərək,  polimer  təbəqəyə  rentgen 

şüalarını  buraxmayan  uducunun  kölgəsi  düşür.  Ekspozisi‐

yadan  sonra  ya  pozitiv  rezistdən  şüalanan  oblastlar,  ya  da 

neqativ rezistdən şüa təsirinə məruz qalmayan hissə kənarlaş‐

5

4 

3 

2 

1 

2a 

3a 

1a 

D 

 

73 

dırılır.  Bu  halda  rezistin  üzərində  şəkilə  uyğun  olan  relyef 

alınır. Relyef alındıqdan sonra rezistdə olan pəncərədən əlavə 

xüsusi aşındırıcılar buraxmaqla rezistin altlığı aşındırlır. 

İon‐şüa litoqrafiya. Elektron və rentgen litoqrafiyasındakı 

məhdudiyyətlərin aradan qaldırılması yollarının axtarışı, ion‐

şüa  litoqrafiyasının  yaranmasına  səbəb  oldu.  İon  rezistində 

şəkilin  alınmasının  fokuslanmış  şüanın  hərəkəti  və  topo‐

logiyanın  şablondan  altlıq  müstəvisinə  proyeksiyalanması 

kimi  iki  halı  mövcuddur.  İon‐şüa  litoqrafiyası  elektron 

litoqrafiyasının analoqudur. Mənbədə yaranan He

+

, H

+

 və Ar

+

 

ionları  cəzb  olunaraq  sürətlənir  və  elektron‐optik  sisteminin 

altlıq  müstəvisinə  fokuslanır.  Altlıq  üzərində  masanı  addım‐

addım  sürüşdürməklə  ölçüsü  1  mm

2

  olan  kadrlar  alınır. 

Fokuslanmış  ion  şüaları  ölçüsü  0,03‐0,3  mkm  olan 

elementlərin  topologiyasının  alınması  üçün  nəzərdə  tutulur. 

Proyeksiyalı  ion‐şüa  litoqrafiyası  en  kəsiyinin  sahəsi  1  sm

2

 

olan ion dəstələri ilə yerinə yetirilir. 

ABŞ‐da  planar  mikroelektronikanın  2010‐cu  ilə  qədər 

gələcək  inkişafı  Yarımkeçirici  elektronikanın  inkişafının  Milli 

texnologiya  xəritəsində  əks  olunur.  Xəritədə  verilən  proqnoza 

görə  sənayedə  əsas  material  silisium  olaraq  qalacaqdır.  İfrat 

böyük  inteqral  sxemlərin  (İBİS)  istehsalında  yarımkeçirici 

lövhələr  üzərində  ultrabənövşəyi  və  ya  rentgen  şüalarının 

təsiri ilə topoloji şəkillərin yaradılması üçün təkmilləşdirilmiş 

mikrolitoqrafiya prosesi təklif olunur. 

2010‐cu  il  üçün  lövhənin  diametrini  400  mm‐ə  çatdırmaq, 

mikrosxemlərin  elementlərinin  kritik  ölçülərini  (məsələn, 

cəftənin  enini)  isə  70  nm‐ə  qədər  kiçiltmək  və  aralıq  addımı 

0,3  mkm‐ə  qədər  azaltmaq  nəzərdə  tutulur.  İrəli  sürülən 

proqnozlar artıq həyata keçməkdədir. Belə ki, optik litoqrafiya 

---