Fakultə : «Əmtəəşünaslıq» Ixtisas : Istehlak mallarının ekspertizası və marketinqi



Yüklə 300,28 Kb.

səhifə5/11
tarix30.12.2017
ölçüsü300,28 Kb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11

16 

 

Silisium  fotoelementləri  başqa  növ  fotoelementlərə  nisbətən  yüksək  faydalı 



iş əmsalına malikdir. Ona görə də silisium fotoelementləri günəş enerjisini elektrik 

enerjisinə çevirmək üçün ən effektiv fotoelement hesab olunur.  

Silisium  fotoelementlərinin  hazırlanma  texnologiyası  nisbətən  mürəkkəbdir. 

Bu  məqsəd  üçün  əvvəlcə  təkmil  monokristall  hazırlanır.  Monokristalın  göyərtmə 

prosesi vakuumda aparılır. Sonra alınmış monokristall nazik lövhələrə doğranır və 

diffuziya  üsulu  ilə  r-n  keçidi  yaradılır.  Bundan  sonra  optik  kontakt  çəkilir.  Bu 

üsulla  hazırlanmış  silisium  fotoelementlərini  adi  işıqla  işıqlandırdıqda  əsas 

monokristalın  keçiriciliyindən  asılı  olaraq  üst  elektrod  müsbət  və  ya  mənfi 

yüklənir. 

Silisium  fotoelementlərinin  başqa  növ  fotoelementlərdən  üstünlüyü  bir  də 

ondan  ibarətdir  ki,  silisium  fotoelementləri  nisbətən  yüksək  temperaturda  kifayət 

dərəcədə  stabil  işləyir.  Qeyd  etmək  lazımdır  ki,  silisium  fotoelementlərinin 

texnologiyası  mürəkkəb  olmaqla,  monokristaldan  istifadə  edildikdə  iri  sahəli 

elementlər almaq olmur. 

Bu qayda ilə başqa yarımkeçirici elementləri də xarakterizə etmək olur. 

Kükürdlü  talium  fotoelementləri.  Bu  elementlər  ilk  dəfə  olaraq  1938-ci 

ildə Y.P.Moslakovets və B.T.Kololiuets tərəfindən ixtira olunmuşdur. O zaman Ti

2

 

fotoelementlərinin 



kəşfi 

yarımkeçiricilər 

fotoelektronikasının 

böyük 


nailiyyətlərindən biri idi. Çünki kükürdlü tallium fotoelementləri o zaman mövcud 

olan  fotoelementlərə  (kuproks  və  selen  fotoelementlərinə)  nisbətən  ən  yüksək 

həssaslığa  malik  idi.  Ancaq  bu  fotoelementlər  kəskin  köhnəlmə  prosesi  üzündən 

istifadə edilə bilinmirdi.  

Kükürdlü  tallium  fotoelementlərinin  həssaslığı  hazırlandıqları  vaxtdan  2-3 

ay sonra 60-70% azalırdı. Uzun zaman bu fotoelementlərin texnologiyası üzərində 

işlədikdən  sonra  köhnəlmə  prosesinin  qarşısı  alınmışdır.  Bunun  üçün 

fotoelementləri  hidrogen  olan  şüşə  ballon  içərisində  yerləşdirmişlər.  Kükürdlü 

tallium  fotoelementlərini  hazırlamaq  üçün  tallium  və  kükürdün  stexiometrik 



17 

 

miqdarda  qarışığı  havası  sovrulmuş  qabda  sintez  edilir.  Sonra  kükürdlü  tallium 



vakuumda buxarlanma üsulu ilə səthi əvvəlcədən kələ-kötürləşdirilmiş dəmir astar 

üzərinə çökdürülür və 400

0

C temperaturda kristallaşdırılır.  



Kükürdlü  tallium  kristallaşdırıldıqdan  sonra  katod  tozlanması  üsulu  ilə 

üzərinə  yarımşəffaf  metal  təbəqəsi  çəkilir.  Xarici  mühitdən  və  xüsusi  havanın 

rütubətindən  qorumaq  üçün  yarımşəffaf  elektrodun  üstündən  şəffaf  lak  çəkilir  və 

fotoelement  şüşə  ballona  yerləşdirilir.  Balonun  havası  əvvəlcədən  sovrularaq, 

oraya 300-400 mm civə sütunu tərtibində hidrogen qazı doldurulur. Bundan sonra 

isə sistem kip bərkidilir. 



Kadmium-sulfat  fotoelementləri.  Bu  fotoelementlər  təxminən  silisium 

fotoelementləri ilə bir zamanda ixtira olunmuşdur. Kadmium-sulfat fotoelementləri 

əsasən  CdS  monokristalından  diffuziya  üsulu  ilə  alınır.  Son  zamanlar  kadmium-

sulfat  fotoelementləri  polikristallik  kadmium-sulfatdan  alınır.  Ancaq  polikristallik 

kadmium-sulfatdan  hazırlanan  fotoelementlərin  parametrləri,  monokristaldan 

hazırlanan fotoelementlərin parametrlərindən çox-çox aşağıdır. 



Mərgümüş-kallium  fotoelementləri.  Ikiqat  və  üçqat  birləşmələrin  fiziki 

xassələrinin  öyrənilməsi  nəticəsində  müəyyən  edilmişdir  ki,  bu  birləşmələr 

içərisində silisium kimi effektiv yarımkeçiricilər vardır. Bunlardan GaAs və CdTe 

birləşmələrini  göstərmək  olar.  Mərgümüş-qallium  (GaAs)  fotoelementləri,  n  tipli 

mərgümüş-qallium  mono-  və  ya  polikristallik  maddəyə  kadiumun  diffuziyası  ilə 

hazırlanır. 



Kadmium-tettur  fotoelementləri.  Bu  fotoelementlər  ilk  dəfə  olaraq  1956-

cı ildə SSRI Elmlər Akademiyasının Yarımkeçiricilər Institutunda hazırlanmışdır. 



Kuproks  fotoelementləri.  Bu  fotoelementləri  hazırlamaq  üçün  1  mm 

qalınlığında  qırmızı  mis  lövhəsi  götürülərək,  800-1000

0

C  temperatura  qədər 



qızdırılmış peçə daxil edilir və orada bir neçə dəqiqə saxlanılır. Bu zaman lövhənin 

səthi 0,1 mm qalınlığında mis-1 oksid təbəqəsi ilə örtülür.  




18 

 

Bundan sonra lövhə peçdən çıxarılaraq soyuq su olan qaba daxil edilir. Əgər 



qızmış  lövhə  yavaş-yavaş  soyudularsa,  onda  mis-1  oksid  təbəqəsi,  mis-2  oksid 

təbəqəsinə  çevrilir.  Ona  görə  də  soyutma  prosesi  tez  bir  zamanda  aparılır.  Sonra 

mis-1 oksid təbəqəsinin üzərinə yarımşəffaf metal elektrod çəkilir. 

Kuproks fotoelementlərində r-n keçidi  mis-1 oksid təbəqəsi ilə mis təbəqəsi 

arasında  alınır.  Kuproks  fotoelementi  üzərinə  işıq  şüası  saldıqda  üst  elektrod 

müsbət yüklənir. 

 

 

 



 


19 

 

IKINCI FƏSIL. TƏCRÜBI HISSƏ 



2.1. Yarımkeçiricilərin radiotexnikada tətbiqi 

 

Radioelektrotexnikada, o cümlədən  geniş tətbiq olunan elektron  hesablayıcı 



maşınlarda  yarımkeçiricilərdən  hazırlanmış  düzləndiricilərdən  və  elektron 

cihazlarını  əvəz  edən  müxtəlif  yarımkeçirici  cihazlardan  istifadə  olunur.  Bu 

cihazların  geniş  tətbiqinə  səbəb  yarımkeçiricilərin  bizə  məlum  olan  qiymətli 

xüsusiyyətləridir. 

Yarımkeçirici  cihazlar  bir  sıra  xüsusiyyətlərinə  görə  başqa  elektron 

cihazlarıdan  fərqlənirlər.  Bunlardan  ən  mühümü  yarımkeçirici  cihazların  kiçik 

ölçülü (0,67 sm

3

), yüngül (3,5 q), mexaniki möhkəmliyinin yüksə olması, həmçinin 



işləməsi  üçün  az  güc  (10

-7

x10



-2

vt)  tələb  etməsidir.  Belə  ki,  elektron  lampalarını 

yarımkeçiricilərlə  əvəz  etmək  quruluşun  həcmini  və  sərf  olunan  gücü  10  dəfə 

azaltmağa  imkan  verir.  Elektron  lampalarının  ömrü  1000-10000  saata, 

yarımkeçirici  cihazların  ömrü  isə  100000  saata  çatır.  Həmçinin  son  illərdə 

yarımkeçirici  gücləndirmə  cihazlarının  gücü  3  kvt-a,  cərəyanı  isə  yüz  amperlərə 

çatdırılmışdır. 

Yarımkeçiricidə  elektron  artıqlığı  (elektron  keçiriciliyi)  əmələ  gətirən 

aşqarlar  vardır  ki,  onlara  da  donar  deyilir.  Donar  tipli  aşqarlı  yarımkeçiricilər  n 

tipli  yarımkeçirici  adlanır  (n  –  «pegative»  sözündən  olub,  mənfi  sözünün  baş 

hərfidir).  

Kristalla  tətbiq  olunmuş  xarici  elektrik  sahəsinin  təsiri  altında  «deşiklər» 

qonşu  atomlardan  tullanaraq,  keçən  elektronlar  vasitəsilə  tutulur  və  sahənin  təsiri 

istiqamətində  hərəkət edərək, özü  ilə  müsbət  yük daşıyır.  Bu proses kristalın  yeni 

bir  elektrik  keçiriciliyini  müəyyən  edir.  Bu  keçiriciliyə  deşik  keçiriciliyi  deyilir. 

Yarımkeçiricidə deşik keçiriciliyi yaradan aşqarlara akseptor deyilir və bu akseptor 

aşqarlı  yarımkeçiricilər  p  ilə  işarə  olunur  (p  –  «positive»  sözündən  olub,  müsbət 

sözünün baş hərfidir). 






Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2019
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə