59
gərginliklə dolması və boşalması lazımdır. Amma yaddaş
nəzarət dövrəsinin (memory controller) köməyi ilə yaddaş
xanasında yük boşalmadan təkrar doldurula bilir. Bu
quruluşlarına görə dinamik yaddaş adlandırılır.
Şəkil 4.1. solda kondansator quruluşu və sağda bir bit
yaddaş xanası
RAM-ın hər bir xanası bir tranzistor və kondensatordan
ibarət 2 ğlçülü (sətir və sütunlardan ibarət olan) matris quruluşa
malikdir. Xanalar doldurularkən (yazılarkən) sütunlar üzrə
deyil, sətrlər üzrə doldurulur.
Şəkil 4.2.Yaddaş xanalarının yerləşməsi
İndi RAM yaddaş qurğuları ilə bağlı mühüm terminləri və
parametr adlarını verək.
Precharge: Oxuma və yazma öncəsi yaddaş xanalarının
doldurma edilməsi üçün istifadə edilən bir termindir.
CAS (Column Address Strobe) Latency (Sütun Ünvanlama
60
Takt Gecikməsi): SDRAM üzərində istənilən bir sütunun
ünvanlanması üçün sərf olunan taktlar (clock cycle) saydır.
Gecikməni ifadə edir. CL2 (CAS2) ifadəsi, 2 takt, CL3 (CAS3),
3 takt mənasına gəlir. Gecikmə nə qədər az isə yaddaş o qədər
sürətlidir. Bu kəmiyyət yaddaş xanasının tərkibini oxumaq ügün
lazım olan prosessor taktlarının miqdarını göstərir.
RAS (To Follow Address Strobe) Latency (Sətir Ünvanlama
Takt Gecikməsi): CAS kimi SDRAM üzərində istənilən bir
sətrin fəal olması üçün lazım olan takt saydır. Az olması
yaddaşın sürətli olduğunu göstərir.
RAS to CAS: RAS və CAS əməliyyatları arasındakı
gözləmə taktının miqdarını göstərir. İnformasiya toplama çıxışı
ilə bağlıdır. Yaddaş xanasını ünvanlaşdıran zaman "sətrin
seçilməsi" ilə "sütunun seçilməsi" siqnalları arasındakı
gecikməni göstərir.
RAS Precharge: Xanadakı verilənlərin yeniləndirilməsi
ügün lazlm olan dövrlərin sayıdır.
Activ to Precharge: Aktiv və precharge vəziyyətləri
arasında ümumi keçən müddətdir və maksimum dəyəri aşağıdakı
bərabərliklə hesablanır.
Active to Precharge = CAS + Rast o CAS + RAS Precharge
SPD ((Serial Presence Detect): RAM üzərində olan və
içərisində RAM-la bağlı zaman və tezlik parametrlərini tutan
EEPROM yaddaş quruluşdur. Məqsəd kompüter açıldıqda
BIOS-a RAM-ı tanıtmaqdır.
Bank: Yaddaş soket və ya modullarından ibarət virtual bir
sahədir. Bir yaddaş 2 və ya daha çox banka malik ola bilər.
Günümüzdə yaddaşlar daha çox 4 banka malikdir. Yaddaşda bir
məlumata çatmaq üçün bank, sətir və sütun ünvanlarının
bilinməsi lazımdır. Burada məqsəd eyni zamanlı olaraq bir
bankda işlənərkən işlənərkən digər bank eyni anda yelilənə
bilməsidir (doldurma). Bu prosses dolayısıyla lent genişliyini və
performansı artırır.
Bursting: Yaddaşa ardıcıl informasiya yazılması və ya
downloaded from KitabYurdu.org
61
yaddaşdan ardıcıl informasiya oxunması zamanı hər bir yaddaş
xanasının oxunması və yazılması üçün razılıq verilməsini
gözləmədən müəyyən uzunluqlu (burst length) verilənlərin
transferini reallaşdırmağı təmin edir.
Günümüzdə DDR SDRAM (double-data-rate synchronous
dynamic random access memory), DDR2 SDRAM, DDR3
SDRAM və SDRAM yaddaş qurğularından istifadə edilir.
Anakart-ın dəstəyinə görə RAM-lar seçilməlidir.
SRAM (STATIC RAM)-SRAM Texnologiyası tranzistor
istifadə edən, çox sürətli işləyən, lakin bir qədər də bahalı olan
texnologiyadır. SRAM Texnologiyası asinxron, sinxron və pipe-
line burst adları altında üç bölməyə ayrılır. Asinxron SRAM
sistem saat tezliyindən asılı olmadan işləyən və L2 keş yaddaşı
olaraq istifadə edilən köhnə bir SRAM texnologiyasıdır. Sinxron
SRAM sistem saatı ilə uyğun olaraq işləyən, daha sürətli və daha
bahalı bir SRAM texnologiyasıdır. Pipe-line Burst SRAM
hazırda geniş istifadə edilən, bir dəfəyə ana yaddaşa daha sürətli
məlumat göndərə bilən bir SRAM texnologiyasıdır.
DRAM (DYNAMIC RAM) -DRAM (Dinamik İxtiyari
Müraciətli Yaddaş) kompüterlərdə ana yaddaş olaraq istifadə
edilən bir yaddaş modelidir. Dəyişən və inkişaf edən RAM
Texnologiyası sayəsində hər il yeni DRAM çeşidləri istehsal
olunur. DRAM Texnologiyasında kondensator və tranzistor
birlikdə istifadə edilmişdir. Məlumatlar kondensatorda saxla-
narkən, açarlama işləri üçün tranzistor istifadə edilir. DRAM
daxilində mövcud olan kondensatorlar, üzərində məlumatın
saxlanması üçün saniyədə minlərcə dəfə dolub boşalır. Dinamik
RAM adını bu xüsusiyyətlərinə görə almışlar. DRAMların
SRAM-dan aşağı sürətlə işləmələrinin ən böyük səbəbi də budur.
SDRAM (Synchronous Dynamic RAM- Sinxronlaşdırılan
Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş): 64 bit informasiya
genişliyinə malikdir. 100 MHz sistem sürəti ilə sinxron olaraq
işləyə bilən, ilk dəfə Pentium II seriyalı mikroprosessorlarda
istifadə edilmişdir. Asinxron interfeysdə mikroprosessor yadda-
şından məlumat almaq üçün gözləmək məcburiyyətindəndi. Bu
səbəbdən də müraciət zamanı 50-60 nsan.-dir. Sinxron nəzarət
62
sayəsində məlumat mübadiləsi sistem saatına əsasən aparılaraq
mikroprosessorun lazımsız gözləmə vaxtı ortadan qaldırılmış və
məlumata daha sürətli müraciət təmin edilmişdir. Anakartın
informasiya şini, sürət və texnologiyanın inkişafı ilə PC100 və
PC133 standartlarında hazırlanmışdır.
DDR SDRAM: 64 bit informasiya genişliyinə sahibdir.
DDR-SDRAM SDRAM-a nisbətən ən azı iki dəfə artıq sürətlə
işlədiyi üçün artıq SDRAM-ın yerini tutmağa başlamışdır. DDR-
SDRAMlar PC1600, PC1200, PC2400, PC2700 və PC3200
olaraq müxtəlif seriyalarda istehsal edilmişdir.
DDR1 RAM
DDR1 əməli yaddaşın üç növ sürət adlandırılması vardır:
Saat sürəti, DDR sürət adlandırılması və PC sürət adlandırılması.
Saat sürəti x 2 = DDR sürət adlandırılması
DDR sürət adlandırılması x 8 = PC sürət adlandırılması.
Cədvəldə DDR SDRAM parametrləri verilib
DDR sürət
Şin tezliyi
PC sürət
Buraxma qabiliyy ti
DDR–200
100 MHz
PC–1600
1.600 GB/s
DDR–266
133 MHz
PC–2100
2.133 GB/s
DDR–333
166 MHz
PC–2700
2.667 GB/s
DDR–400
200 MHz
PC–3200
3.200 GB/s
DDR2 SDRAM: 64 bit informasiya genişliyinə sahibdir.
DDR SDRAM ilə eyni quruluşda olub, eyni sürətində çalışırlar.
Aralarındakı fərq latency (istenen ünvana çatmaq üçün
xərclənən zaman) dəyərinin DDR da daha böyük olması və daha
çox güc tələbidir. Həmçinin burada yaddaşın, I/O BUS tezliyi
downloaded from KitabYurdu.org