Hochbewegliche zweidimensionale Lochsysteme in GaAs/AlGaAs



Yüklə 5,01 Kb.
Pdf görüntüsü
səhifə49/51
tarix05.02.2018
ölçüsü5,01 Kb.
#25293
1   ...   43   44   45   46   47   48   49   50   51

128
Literaturverzeichnis
[10] W. Pan, J.-S. Xia, V. Shvarts, D. E. Adams, H. L. Stormer, D. C. Tsui,
L. N. Pfeiffer, K. W. Baldwin, K. W. West: Exact Quantization of the Even-
Denominator Fractional Quantum Hall State at ν = 5/2 Landau Level Filling
Factor, Phys. Rev. Lett. 83(17), 3530–3533 Oct 1999.
[11] H. L. Störmer, W.-T. Tsang: Two-dimensional hole gas at a semiconductor
heterojunction interface, Applied Physics Letters 36(8), 685–687 (1980).
[12] M. Henini, P. J. Rodgers, P. A. Crump, B. L. Gallagher, R. K. Hayden, L. Ea-
ves: Growth and characterization of p-type GaAs/(AlGa) As heterostructures
grown on high-index GaAs surfaces, Thin Solid Films 267(1-2), 106 – 113
(1995), Workshop on molecular beam expitaxy-growth physics and technolo-
gy.
[13] H. C. Manoharan, M. Shayegan: Wigner crystal versus Hall insulator, Phys.
Rev. B 50(23), 17662–17665 Dec 1994.
[14] M. Shayegan, H. C. Manoharan, S. J. Papadakis, E. P. De Poortere: Aniso-
tropic transport of two-dimensional holes in high Landau levels, Physica E:
Low-dimensional Systems and Nanostructures 6(1-4), 40 – 42 (2000).
[15] E. Tutuc, M. Shayegan, D. A. Huse: Counterflow Measurements in Strongly
Correlated GaAs Hole Bilayers: Evidence for Electron-Hole Pairing, Phys.
Rev. Lett. 93(3), 036802 Jul 2004.
[16] K. v. Klitzing, G. Dorda, M. Pepper: New Method for High-Accuracy Deter-
mination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance,
Phys. Rev. Lett. 45(6), 494–497 Aug 1980.
[17] I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan: Band parameters for III–V
compound semiconductors and their alloys, Journal of Applied Physics 89(11),
5815–5875 (2001).
[18] H. L. Stormer, R. Dingle, A. C. Gossard, W. Wiegmann, Inst. Conf. Ser. 43,
557 (1978).
[19] J. Bauer: Transporteigenschaften Zweidimensionaler Lochsysteme, Diplomar-
beit, Universität Regensburg, 2006, Diplmarbeit.
[20] J. H. Davies: The Physics of Low- Dimensional Semiconductors: an introduc-
tion, Cambridge University Press, 1998.
[21] W. Wegscheider, D. Weiss: Vorlesungsskript Halbleiterphysik, 2006.


Literaturverzeichnis
129
[22] J. Batey, S. L. Wright: Energy band alignment in GaAs:(Al,Ga)As heterostruc-
tures: The dependence on alloy composition, Journal of Applied Physics 59(1),
200–209 (1986).
[23] L. J. van der Pauw: A Method of Measuring Specific Resistivity and Hall Effect
of Discs of Arbitrary Shape, Philips Research Reports 13(1), 1–9 February
1958.
[24] P. Silberhorn: Anleitung zum Fortgeschrittenen-Praktikum - der Quanten-
Hall-Effekt, Universität Regensburg - Institut für Experimentelle und An-
gewandte Physik, Dezember 2000, Zulassungsarbeit.
[25] C. Mitzkus: Transportuntersuchungen an dichtemodulierten zweidimensiona-
len Elektronensystemen, Doktorarbeit, Universität Regensburg, 2005.
[26] S. Datta: Electronic Transport in Mesoscopic Systems, Cambridge University
Press, 1995.
[27] U. Wurstbauer: Herstellung und Charakterisierung von Mangan dotierten III-
V Halbleiterheterostrukturen, Doktorarbeit, Universität Regensburg, 2008.
[28] R. Willett, J. P. Eisenstein, H. L. Störmer, D. C. Tsui, A. C. Gossard, J. H.
English: Observation of an even-denominator quantum number in the fractio-
nal quantum Hall effect, Phys. Rev. Lett. 59(15), 1776–1779 Oct 1987.
[29] J. P. Eisenstein, K. B. Cooper, L. N. Pfeiffer, K. W. West: Insulating and
Fractional Quantum Hall States in the First Excited Landau Level, Phys.
Rev. Lett. 88(7), 076801 Jan 2002.
[30] J. P. Eisenstein, M. P. Lilly, K. B. Cooper, L. N. Pfeiffer, K. W. West: New
physics in high Landau levels, Physica E: Low-dimensional Systems and Na-
nostructures 6(1-4), 29 – 35 (2000).
[31] K. Lee, M. S. Shur, T. J. Drummond, H. Morkoc: Low field mobility of 2-d
electron gas in modulation doped AlGaAs/GaAs layers, Journal of Applied
Physics 54(11), 6432–6438 (1983).
[32] V. Umansky, R. de Picciotto, M. Heiblum: Extremely high-mobility two di-
mensional electron gas: Evaluation of scattering mechanisms, Applied Physics
Letters 71(5), 683–685 (1997).
[33] P. T. Coleridge, R. Stoner, R. Fletcher: Low-field transport coefficients in
GaAs/Ga
1−x
Al
x
As heterostructures, Phys. Rev. B 39(2), 1120–1124 Jan 1989.


130
Literaturverzeichnis
[34] James R. Chelikowsky, Marvin L. Cohen: Nonlocal pseudopotential calculati-
ons for the electronic structure of eleven diamond and zinc-blende semicon-
ductors, Phys. Rev. B 14(2), 556–582 Jul 1976.
[35] R. Winkler: Spin-Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and
Hole Systems, Springer Verlag Berlin, 2003.
[36] S. Adachi: GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice
Properties, World Scientific Publishing Company, September 1994.
[37] W. Pan, K. Lai, S. P. Bayrakci, N. P. Ong, D. C. Tsui, L. N. Pfeiffer, K. W.
West: Cyclotron resonance at microwave frequencies in two-dimensional hole
system in AlGaAs/GaAs quantum wells,
Applied Physics Letters 83(17),
3519–3521 (2003).
[38] G. Dresselhaus: Spin-Orbit Coupling Effects in Zinc Blende Structures, Phys.
Rev. 100(2), 580–586 Oct 1955.
[39] E. I. Rashba, Fiz. Tverd. Tela 2, 1224 (1960), [Engl. Übersetzung: Sov. Phys.
Solid State 2, 1109 (1960)].
[40] Yu A Bychkov, E I Rashba: Oscillatory effects and the magnetic susceptibility
of carriers in inversion layers, Journal of Physics C: Solid State Physics 17(33),
6039–6045 (1984).
[41] S. D. Ganichev, V. V. Bel’kov, L. E. Golub, E. L. Ivchenko, Petra Schneider,
S. Giglberger, J. Eroms, J. De Boeck, G. Borghs, W. Wegscheider, D. Weiss,
W. Prettl: Experimental Separation of Rashba and Dresselhaus Spin Splittings
in Semiconductor Quantum Wells, Phys. Rev. Lett. 92(25), 256601 Jun 2004.
[42] John Schliemann, Daniel Loss: Spin-Hall transport of heavy holes in III-V
semiconductor quantum wells, Physical Review B (Condensed Matter and
Materials Physics) 71(8), 085308 (2005).
[43] T. E. Raab: Selbstkonsistente Rechnungen und Experimente an nanostruktu-
rierten Löchersystemen, Diplomarbeit, Universität Hamburg, 2008, Diplom-
arbeit.
[44] K. Rachor, T. E. Raab, D. Heitmann, C. Gerl, W. Wegscheider: Cyclotron
resonance of carbon- doped two- dimensional hole systems: from the magnetic
quantum limes to low magnetic fields, Phys. Rev. B 79, 125417 (2009).
[45] M. O. Manasreh, D. W. Fischer, K. R. Evans, C. E. Stutz: Anomalous be-
havior of cyclotron resonance in GaAs/Al
0.28
Ga
0.72
As high-electron-mobility
transistor structures, Phys. Rev. B 43(12), 9772–9776 Apr 1991.


Yüklə 5,01 Kb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   43   44   45   46   47   48   49   50   51




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə