Hochbewegliche zweidimensionale Lochsysteme in GaAs/AlGaAs



Yüklə 5,01 Kb.
Pdf görüntüsü
səhifə51/51
tarix05.02.2018
ölçüsü5,01 Kb.
#25293
1   ...   43   44   45   46   47   48   49   50   51

134
Literaturverzeichnis
[80] M. Grayson, F. Fischer: Measuring carrier density in parallel conduction layers
of quantum Hall systems, Journal of Applied Physics 98(1), 013709 (2005).
[81] J. Jo, Y. W. Suen, L. W. Engel, M. B. Santos, M. Shayegan: Quantum Hall
effect in a triple-layer electron system, Phys. Rev. B 46(15), 9776–9779 Oct
1992.
[82] L. Onsager, Philos. Mag. 43, 1006 (1952).
[83] B. Grbić, C. Ellenberger, T. Ihn, K. Ensslin, D. Reuter, A. D. Wieck: Ma-
gnetotransport in C-doped AlGaAs heterostructures, Applied Physics Letters
85(12), 2277–2279 (2004).
[84] W. Wegscheider, G. Schedelbeck, R. Neumann, M. Bichler: (110) oriented
quantum wells and modulation-doped heterostructures for cleaved edge over-
growth, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2(1-4), 131
– 136 (1998).
[85] B. Habib, E. Tutuc, S. Melinte, M. Shayegan, D. Wasserman, S. A. Lyon,
R. Winkler: Spin splitting in GaAs (100) two-dimensional holes, Phys. Rev.
B 69(11), 113311 Mar 2004.
[86] E. F. Schubert: Doping in III-V Semiconductors, Cambridge University Press,
Cambridge, England, 1993.
[87] J. J. Heremans, M. B. Santos, M. Shayegan: Observation of magnetic focusing
in two-dimensional hole systems, Applied Physics Letters 61(14), 1652–1654
(1992).
[88] J. J. Heremans, M. B. Santos, K. Hirakawa, M. Shayegan: Mobility anisotropy
of two-dimensional hole systems in (311)A GaAs/AlGaAs heterojunctions,
Journal of Applied Physics 76(3), 1980–1982 (1994).
[89] L. Däweritz, R. Hey: Reconstruction and defect structure of vicinal GaAs(001)
and Al
x
Ga
1−x
As(001) surfaces during MBE growth, Surface Science 236(1-2),
15 – 22 (1990).
[90] T. Saku, Y. Hirayama, Y. Horikoshi: High electron mobility in AlGaAs/GaAs
modulation-doped structures, Japanese Journal of Applied Physics 30, 902–
905 May 1991.
[91] F. Fischer, D. Schuh, M. Bichler, G. Abstreiter, M. Grayson, K. Neumai-
er: Modulating the growth conditions: Si as an acceptor in (110) GaAs for
high mobility p-type heterostructures, Applied Physics Letters 86(19), 192106
(2005).


Literaturverzeichnis
135
[92] Christian Köpf: Modellierung des Elektronentransports in Verbindungshalblei-
terlegierungen, Doktorarbeit, Technische Universität Wien Fakultät für Elek-
trotechnik, 1997.
[93] H. Stöcker: Taschenbuch der Physik, Verlag Harri Deutsch, 1998.
[94] C. Gerl, S. Schmult, H.-P. Tranitz, C. Mitzkus, W. Wegscheider: Carbon-
doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond
10
6
cm
2
/Vs, Applied Physics Letters 86(25), 252105 (2005).
[95] J. P. Lu, J. B. Yau, S. P. Shukla, M. Shayegan, L. Wissinger, U. Rössler,
R. Winkler: Tunable Spin-Splitting and Spin-Resolved Ballistic Transport in
GaAs/AlGaAs Two-Dimensional Holes, Phys. Rev. Lett. 81(6), 1282–1285
Aug 1998.
[96] S. J. Papadakis, E. P. De Poortere, H. C. Manoharan, M. Shayegan, R. Wink-
ler: The Effect of Spin Splitting on the Metallic Behavior of a Two-Dimensional
System, Science 283(5410), 2056–2058 (1999).
[97] S. J. Papadakis, E. P. De Poortere, H. C. Manoharan, J. B. Yau, M. Shayegan,
S. A. Lyon: Low-field magnetoresistance in GaAs two-dimensional holes, Phys.
Rev. B 65(24), 245312 Jun 2002.
[98] R. Winkler, S. J. Papadakis, E. P. De Poortere, M. Shayegan: Anomalous
Magneto-Oscillations in Two-Dimensional Systems, Phys. Rev. Lett. 84(4),
713–716 Jan 2000.
[99] M. Henini, P. A. Crump, P. J. Rodgers, B. L. Gallagher, A. J. Vickers, G. Hill:
Molecular beam epitaxy growth and properties of GaAs/(AlGa)As p-type he-
terostructures on (100), (011), (111)B, (211)B, (311)B, and (311)A oriented
GaAs, Journal of Crystal Growth 150(1-4), 446 – 450 (1995).
[100] M. Henini, P. J. Rodgers, P. A. Crump, B. L. Gallagher, G. Hill: The growth
and physics of ultra-high-mobility two-dimensional hole gas on (311)A GaAs
surface, Journal of Crystal Growth 150(1-4), 451 – 454 (1995).
[101] Y. Iye, E. E. Mendez, W. I. Wang, L. Esaki: Magnetotransport properties
and subband structure of the two-dimensional hole gas in GaAs/Ga
1−x
Al
x
As
heterostructures, Phys. Rev. B 33(8), 5854–5857 Apr 1986.
[102] E. H. C. Parker: The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy,
Plenum Press, New York, 1985.
[103] Y. Ohno, R. Terauchi, T. Adachi, F. Matsukura, H. Ohno: Spin Relaxation in
GaAs(110) Quantum Wells, Phys. Rev. Lett. 83(20), 4196–4199 Nov 1999.


136
Literaturverzeichnis
[104] R. de Picciotto, H. L. Stormer, A. Yacoby, L. N. Pfeiffer, K. W. Baldwin,
K. W. West: Transport in cleaved-edge overgrowth wires, Physica E: Low-
dimensional Systems and Nanostructures 9(1), 17 – 21 (2001).
[105] W. Wegscheider, G. Schedelbeck, G. Abstreiter, M. Rother, M. Bichler: Ato-
mically Precise GaAs/AlGaAs Quantum Dots Fabricated by Twofold Cleaved
Edge Overgrowth, Phys. Rev. Lett. 79(10), 1917–1920 Sep 1997.
[106] S. Schmult, C. Gerl, U. Wurstbauer, C. Mitzkus, W. Wegscheider: Carbon-
doped high-mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs, Applied
Physics Letters 86(20), 202105 (2005).
[107] B. Habib, E. Tutuc, S. Melinte, M. Shayegan, D. Wasserman, S. A. Lyon,
R. Winkler: Negative differential Rashba effect in two-dimensional hole sys-
tems, Applied Physics Letters 85(15), 3151–3153 (2004).
[108] Boris Grbić, Renaud Leturcq, Klaus Ensslin, Dirk Reuter, Andreas D. Wieck:
Single-hole transistor in p-type GaAs/AlGaAs heterostructures, Applied Phy-
sics Letters 87(23), 232108 (2005).
[109] B. Grbić: Hole transport and spin- orbit coupling in p-type GaAs nanostruc-
tures, Doktorarbeit, ETH Zürich, Mai 2007.
[110] R. Knobel, N. Samarth, J. G. E. Harris, D. D. Awschalom: Measurements
of Landau-level crossings and extended states in magnetic two-dimensional
electron gases, Phys. Rev. B 65(23), 235327 Jun 2002.
[111] W. Desrat, F. Giazotto, V. Pellegrini, F. Beltram, F. Capotondi, G. Biasiol,
L. Sorba, D. K. Maude: Magnetotransport in high- g -factor low-density two-
dimensional electron systems confined in In
0.75
Ga
0.25
As/In
0.75
Al
0.25
As quan-
tum wells, Phys. Rev. B 69(24), 245324 Jun 2004.
[112] U. Zeitler, H. W. Schumacher, A. G. M. Jansen, R. J. Haug: Magnetoresistance
Anisotropy in Si/SiGe in Tilted Magnetic Fields: Experimental Evidence for
a Stripe-Phase Formation, Phys. Rev. Lett. 86(5), 866–869 Jan 2001.
[113] E. P. De Poortere, E. Tutuc, S. J. Papadakis, M. Shayegan: Resistance Spikes
at Transitions Between Quantum Hall Ferromagnets,
Science 290(5496),
1546–1549 (2000).
[114] U. Ekenberg, M. Altarelli: Subbands and Landau levels in the two-dimensional
hole gas at the GaAs/Al
x
Ga
1−x
As interface, Phys. Rev. B 32(6), 3712–3722
Sep 1985.


Literaturverzeichnis
137
[115] D. A. Broido, L. J. Sham: Effective masses of holes at GaAs-AlGaAs hetero-
junctions, Phys. Rev. B 31(2), 888–892 Jan 1985.
[116] F. Fischer, R. Winkler, D. Schuh, M. Bichler, M. Grayson: Transport evi-
dence of the lowest Landau-level spin-index anticrossing in (110) GaAs two-
dimensional holes, Physical Review B (Condensed Matter and Materials Phy-
sics) 75(7), 073303 (2007).
[117] Z. Schlesinger, W. I. Wang: Two-dimensional hole-gas cyclotron line splitting
in the extreme quantum regime, Phys. Rev. B 33(12), 8867–8869 Jun 1986.
[118] C. Guillemot, M. Baudet, M. Gauneau, A. Regreny, J. C. Portal: Tempera-
ture dependence of electron mobility in GaAs/Ga
1−x
Al
x
As modulation-doped
quantum wells, Phys. Rev. B 35(6), 2799–2807 Feb 1987.
[119] T. M. Lu, Z. F. Li, D. C. Tsui, M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West:
Cyclotron mass of two-dimensional holes in (100) oriented GaAs/AlGaAs he-
terostructures, Applied Physics Letters 92(1), 012109 (2008).
[120] W. Desrat, F. Giazotto, V. Pellegrini, M. Governale, F. Beltram, F. Capo-
tondi, G. Biasiol, L. Sorba: Anticrossings of spin-split Landau levels in an
InAs two-dimensional electron gas with spin-orbit coupling, Physical Review
B (Condensed Matter and Materials Physics) 71(15), 153314 (2005).
[121] B. Tanatar, D. M. Ceperley: Ground state of the two-dimensional electron gas,
Phys. Rev. B 39(8), 5005–5016 Mar 1989.
[122] S. T. Chui, B. Tanatar: Impurity Effect on the Two-Dimensional-Electron
Fluid-Solid Transition in Zero Field, Phys. Rev. Lett. 74(3), 458–461 Jan
1995.
[123] R. Leturcq, D. L’Hôte, R. Tourbot, C. J. Mellor, M. Henini: Resistance Noise
Scaling in a Dilute Two-Dimensional Hole System in GaAs, Phys. Rev. Lett.
90(7), 076402 Feb 2003.
[124] Jongsoo Yoon, C. C. Li, D. Shahar, D. C. Tsui, M. Shayegan: Wigner Crystal-
lization and Metal-Insulator Transition of Two-Dimensional Holes in GaAs at
B = 0, Phys. Rev. Lett. 82(8), 1744–1747 Feb 1999.
[125] H. Noh, M. P. Lilly, D. C. Tsui, J. A. Simmons, E. H. Hwang, S. Das Sarma,
L. N. Pfeiffer, K. W. West: Interaction corrections to two-dimensional hole
transport in the large-r
s
limit, Phys. Rev. B 68(16), 165308 Oct 2003.


[126] W. R. Clarke, C. E. Yasin, , A. R. Hamilton, A. P. Micolich, M. Y. Simmons,
K. Muraki, Y. Hirayama, M. Pepper, D. A. Ritchie: Impact of long- and short-
range disorder on the metallic behaviour of two-dimensional systems, Nature
Physics 4, 55 – 59 November 2008.
[127] D. M. Gvozdic, U. Ekenberg: Superefficient electric-field–induced spin-
orbit splitting in strained p-type quantum wells, EPL (Europhysics Letters)
73(6), 927–933 (2006).
[128] J. Wunderlich, B. Kaestner, J. Sinova, T. Jungwirth: Experimental Observa-
tion of the Spin-Hall Effect in a Two-Dimensional Spin-Orbit Coupled Semi-
conductor System, Phys. Rev. Lett. 94(4), 047204 Feb 2005.
[129] V. Umansky, M. Heiblum, Y. Levinson, J. Smet, J. Nübler, M. Dolev: MBE
growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35 × 10
6
cm
2
/Vs,
Journal of Crystal Growth 311, 1658 (2009).
[130] M. J. Manfra, E. H. Hwang, S. Das Sarma, L. N. Pfeiffer, K. W. West, A. M.
Sergent: Transport and Percolation in a Low-Density High-Mobility Two-
Dimensional Hole System, Physical Review Letters 99(23), 236402 (2007).
[131] K. Ploog: Microscopical Structuring of Solids by Molecular Beam Epitaxy -
Spatially Resolved Materials Synthesis, Angewandte Chemie 27(5), 593 – 621
(1988).
[132] T. Takamasu, Y. Oikawa, G. Kido, A. Endo, M. Kato, S. Katsumoto, Y. Iye:
Nonlinear transport properties of samples with inner current contacts in quan-
tum Hall regime, Physica B: Condensed Matter 256-258, 78 – 81 (1998).
[133] S. Zitzlsperger: Kommensurabilitätsexperimente mit GaAs (311)A- Lochga-
sen, Doktorarbeit, Universität Regensburg, 2000.


Publikationsliste
Referierte Zeitschriftenbeiträge
2009
• K. Rachor, T. E. Raab, D. Heitmann, C. Gerl, W. Wegscheider, Cyclotron
resonance of carbon- doped two- dimensional hole systems: from the magnetic
quantum limes to low magnetic fields, Phys. Rev. B 79, 125417, 2009
• M. Kugler, T. Andlauer, T. Korn, A. Wagner, S. Fehringer, R. Schulz, M.
Kubová, C. Gerl, D. Schuh, W. Wegscheider, P. Vogl, C. Schüller: Gate control
of low-temperature spin dynamics in two-dimensional hole systems, Phys. Rev.
B 80, 035325, 2009
• C. Marchiori, D. J. Webb, C. Rossel, M. Richter, M. Sousa, C. Gerl, R. Ger-
mann, C. Andersson, J. Fompeyrine: H plasma cleaning and a-Si passivation
of GaAs for surface channel device applications, J. Appl. Phys 106, 114112,
2009
2007
• S. D. Ganichev, J. Kiermaier, W. Weber, S. N. Danilov, D. Schuh, C. Gerl, W.
Wegscheider, W. Prettl, Subnanosecond ellipticity detector for laser radiation,
Appl. Phys. Lett. 91, 091101, 2007
• H. Diehl, V. A. Shalygin, V. V. Bel’kov, C. Hoffmann, S. N. Danilov, T. Herle,
S. A. Tarasenko, D. Schuh, C. Gerl, W. Wegscheider, W. Prettl, S. D. Gani-
chev, Spin photocurrents in (110)-grown quantum well structures, New Journal
of Physics 9, 349, 2007
• M. N. Khannanov, I. V. Kukushkin, S. I. Gubarev, J. Smat, K. von Klitzing,
W. Wegscheider, C. Gerl, Hole-Density Dependence of the Cyclotron Mass of
2D Holes in GaAs(001) Quantum Well, JEPT Lett. 85 242, 2007
139


• T. Feil, K. Vyborny, L. Smrcka, C. Gerl, W. Wegscheider, Vanishing cyclotron
gaps in a two-dimensional electron system with a strong short-period modu-
lation, Phys. Rev. B 75, 75303, 2007
• S. Giglberger, l. E. Golub, V. V. Bel’kov, S. N. Danilov, D. Schuh, C. Gerl, F.
Rolfing, J. Stahl, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl, S. D. Ganichev, Rashba
and Dresselhaus spin splittings in semiconductor quantum wells measured by
spin photocurrents, Phys. Rev. B 75, 035327, 2007
• C. Gerl, J. Bauer, W. Wegscheider, Growth and subband structure determi-
nation of high mobility hole gases on (001) and (110) GaAs, J. Cryst. Growth,
301-302, 145-147, 2007
2006
• Sergey D. Ganichev, Vasily V. Bel’kov, Sergey A. Tarasenko, Sergey N. Dani-
lov, Stephan Giglberger, Christoph Hoffmann, Eougenious L. Ivchenko, Dieter
Weiss, Werner Wegscheider, Christian Gerl, Dieter Schuh, Joachim Stahl, Joan
De Boeck, Gustaaf Borghs, Wilhelm Prettl, Zero-bias spin separation, Nature
Physics 2, 609, 2006
• V. A. Shalygin, H. Diehl, C. Hoffmann, S. N. Danilov, T. Herrle, S. A. Ta-
rasenko, D. Schuh, C. Gerl, W. Wegscheider, W. Prettl, and S. D. Ganichev,
Spin photocurrents and circular photon drag effect in (110)-grown quantum
well structures, JETP Lett. 84, 666, 2006
• C. Gerl, S. Schmult, U. Wurstbauer, H. P. Tranitz, C. Mitzkus, W. Wegschei-
der, Carbon-doped high-mobility hole gases on (001) and (110) GaAs, J. Vac.
Sci. Tech., 24 (3), 1630, 2006
• J. Moser, M. Zenger, C. Gerl, D. Schuh, R. Meier, P. Chen, G. Bayreuther,
W. Wegscheider, D. Weiss, C. H. Lai, R. T. Huang, M. Kosuth, H. Ebert, Bi-
as dependent inversion of tunneling magnetoresistance in Fe/GaAs/Fe tunnel
junctions, Appl. Phys. Lett. 89 (16), 162106, 2006
• T. Feil, C. Gerl, W. Wegscheider, Transport properties of a shunted surface
superlattice in an external magnetic field, Phys. Rev. B 73(12), 125301, 2006
• C. Gerl, S. Schmult, U. Wurstbauer, H. P. Tranitz, C. Mitzkus, W. Wegschei-
der, Carbon-doped high-mobility hole gases on (001) and (110) GaAs, Physica
E, 32, 258, 2006
• T. Feil, H. P. Tranitz, C. Gerl, W. Wegscheider, Transport in a shunted surface
superlattice with a perpendicular magnetic field, Physica E, 32, 301, 2006


2005
• C. Gerl, S. Schmult, H.-P. Tranitz, C. Mitzkus and W. Wegscheider, Carbon-
doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond
10
6
cm
2
/Vs, Appl. Phys. Lett. 86 (25), 252105, 2005
• S. Schmult, C. Gerl, U. Wurstbauer, C. Mitzkus and W. Wegscheider, Carbon-
doped high-mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs, Appl.
Phys. Lett. 86 (20), 202105, 2005


Danksagung
Im Folgenden möchte ich all denjenigen danken, die zum Gelingen dieser Arbeit
beigetragen haben.
Prof. Dr. Werner Wegscheider möchte ich besonders danken für die Stellung des
spannenden Themas sowie der Rahmenbedingungen, welche es möglich machten
mit viel Motivation und Freude bei der Arbeit zu sein. Ich möchte mich auch be-
danken für das Vertrauen, dass ich am MBE-System Hand anlegen durfte und für
die Unterstützung und Freiheit meinen Ideen folgen zu können.
Besonderer Dank gilt auch Dr. Stefan Schmult und Dr. Ursula Wurstbauer für vie-
le gemeinsame Projekte, Diskussionen und Arbeitsstunden im Labor. Diese waren
nicht nur äußerst produktiv, sondern haben auch sehr viel Spaß gemacht.
Mein Dank gilt auch Dr. Christian Mitzkus und Prof. Dr. Dieter Weiss für den ein-
fachen Zugang und den Crashkurs am Mischkryostaten.
Meinem ehemaligen Diplomanten Johannes Bauer möchte ich danken für seine ge-
wissenhafte Arbeit, die fruchtbaren Diskussionen und die gute Stimmung im Labor
morgens um Sieben.
Zu danken habe ich allen Mitgliedern des Lehrstuhls Wegscheider für die Hilfsbereit-
schaft in kleinen und grossen Dingen, die freundliche Aufnahme und die Gespräche
über die Physik und darüber hinaus. Besonders bedanken möchte ich hierbei bei
Klaus Wagenhuber für die Büro-WG und Thomas Herrle für meinen ersten Rollcon-
tainer.
Mein Dank gilt unseren Technikern Siegfried Heider für all die genialen Basteleien,
die das Leben im Labor vereinfachten, Peter Müller für die Chemie mit einem Lä-
cheln und Imke Gronwald für das schleusen von tausend Probenhaltern, oder waren
es mehr?
Mein Dank geht auch an Annemarie Dinkel, Renate Creuzburg und Ulla Turba für
die Unterstützung bei allen Verwaltungsahngelegenheiten und den Jungs von der
Tieftemperatur fürs flüssige Helium und für das stets gut gekühlt Notbier.
Das Graduiertenkolleg “Nichtlinearität und Nichtgleichgewicht in kondensierter Ma-
terie” sei für die Finanzielle Unterstützung dankend erwähnt. Allen Mitgliedern des
Kollegs danke ich für die gute Atmosphäre und die vielen interessanten Diskussio-
nen.
142


Bedanken möchte ich mich auch bei meinen lieben Korrekturlesern Ursula und Uli
Wurstbauer sowie Lorenz Kampschulte für die aufgebrachte Geduld mit meiner et-
was eigenwilligen Orthographie.
Danke möchte ich auch meiner Mutter und meiner ganzen Familie sagen für die
fortwährende Unterstützung.
Meiner Frau Sonja gilt ein besonderer Dank für ihr Vertrauen. Sie ist mein stetiger
Quell an Inspiration und Freude. Dank auch unserem lieben Sohn Phileas für die
vier Tage über Termin.
Merci vielmals.

Yüklə 5,01 Kb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   43   44   45   46   47   48   49   50   51




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə