dislokasiyadır. Təsəvvür edək ki, kristal qəfəsdə hər hansı bir səbəbdən ekstra-müstəvi adlanan artıq atomlar yarımmüstəvisi peyda oldu (Şəkil 6). 3-3 tərəfi qəfəsdə xətti defekt (qeyri- təkmillik) formalaşdırır və kənar dislokasiya adlanır.
Şəkil 6. Kristal qəfəsdəki dislokasiya.
Beləliklə, kristallik quruluşun düzgünlüyü iki növ defektlə -nöqtəvi (vakansiya) və xətti (dislokasiyalarla) ilə pozulur.
Vakansiya fasiləsiz olaraq qəfəsdə hərəkət edir, (əgər) qonşuluqdakı atom boş “dəliyə” öz əvvəlki yerini tərk edərək keçir. Temperaturun yüksəlməsi ilə atomların istilik hərəkətliliyi (artır və) belə aktların sayını artırır və eyni zamanda dislokasi-yaların da sayı artır.
Xətti defektlər isə özbaşına və nizamsız olaraq (vakansiya kimi) hərəkət etmir. Ancaq, kifayət qədər gərginlik dislokasiyanın hərəkətini təmin edərsə, müstəvi əmələ gələrsə onda onun kəsiyində- sürüşmə xətti C əmələ gəlir (Şəkil 7).
Şəkil 7. Sürüşmə müstəvisi C dislokasiya hərəkətinin izi
ilə (A-A); B- ekstramüstəvi.
Müxtəlif müstəvilərə baxsaq, məsələn həcmi mərkəzləşdirilmiş kubşəkilli qəfəsdə o qənaətə gəlmək olar ki, onlar müxtəlif sıxlıqlı atomlarla doludur.
Ayrılıqda götürülmüş kristalın (monokristalın xüsusiyyəti (baxılan istiqamət-dəki) digər istiqamətdəki xüsusiyyətdən fərqlənir (Şəkil 8) təbii ki, bunun başlıca səbəbi bu istiqamətdə qarşılanan (rast gələn) atomların sayından asılıdır. Sınaq istiqamətindən asılı olaraq xüsusiyyətlərin fərqliliyi –
Dostları ilə paylaş: | 
