Microsoft Word Ksi\271\277ka abstrakt\363w doc

 
 
 
 
 
 
 
XIV
h
 International Conference on Molecular Spectroscopy, Białka Tatrzańska 2017
 
60 
T1: O–18 
Infrared studies of the phase transition 
in hybride (C
3
N
2
H
5
)2SbF
5
 crystal 
 
D. Podsiadła
1
, B. Andriyevsky
2
, and O. Czupiński
3
 
 
1 
Institute of Experimental Physics, University of Wrocław, M.Born Sq. 9, 50-204 Wrocław, Poland, 
e-mail: [e-mail] 
2 
Faculty of Electronics and Computer Sciences, Koszalin University of Technology, Śniadeckich 2, 
75-453, Koszalin, Poland 
3 
Faculty of Chemistry, University of Wrocław, Joliot-Curie 14, 50-383 Wrocław, Poland 
  
 
Phase transitions of (C
3
N
2
H
5
)
2
SbF
5
 – bis(imidazolium)pentafluoroantimanate (abbreviated as 
IPFA)  crystal  have  been  investigated  by  infrared  measurements.  Differential  scanning 
calorimetry showed phase transitions (established as an onset of the peak) at 216 K on cooling. 
The infrared  spectra  of  powdered IPFA crystal in  Nujol and  Perfluorolube  oil  were studied  in 
the wide range of internal vibration of the (C
3
N
2
H
5
)
2
+
 and SbF
5
2–
  ions (4000−400 cm
–1
) in the 
temperature range between 183 K (154 K in fluorolube) and 300 K. The temperature changes of 
wavenumber, half-width, center of gravity and intensity of the bands were analysed to clarify the 
cationic and anionic dynamics contribution to the phase transitions mechanisms.  
 
Figure  below  shows  an  example  of  temperature  dependence  of  the  mode  at  1180  cm
–1
 
position.  The  jump  in  position  of  this  peak  occurs  near  the  phase  transition  (PT)  temperature. 
This temperature is indicated in Figure 1 by dashed, vertical line. 
   
180
200
220
240
260
280
300
1170
1172
1174
1176
1178
1180
1182
mode 1180 cm
-1
 
 
W
a
v
e
n
u
m
b
e
r 
[c
m
-1
]
T [K]
 
Fig. 1. Temperature dependence of the mode at 1180 cm
–1
 position. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

 
 
 
 
 
 
 
XIV
h
 International Conference on Molecular Spectroscopy, Białka Tatrzańska 2017
 
 
61
T1: O–19 
The dielectric functions and chemical and atomic compositions of the 
near surface layers of implanted GaAs by In
+
 ions 
 
M. Kulik
1,2
, D. Kołodyńska
3
, A. Bayramov
4
, 
A. Drozdziel
2
, A. Olejniczak
5
, and J. Żuk
2
 
 
1 
Joint Institute for Nuclear Research, St. 6 Joliot-Curie, Dubna, Moscow reg., Russia, 141980 
2 
Institute of Physics, Maria Curie-Skłodowska University, Sq. 1 Maria Curie-Skłodowska, 20-031 
Lublin, Poland, e-mail: [e-mail] 
3 
Faculty of Chemistry, Maria Curie-Skłodowska University, Sq. 2 Maria Curie-Skłodowska, 20-031 
Lublin, Poland 
4 
Institute of Physics, ANAS, AZ-1143, Baku, Azerbaijan 
5 
Faculty of Chemistry, Nicolaus Copernicus University, ul. Gagarina 7, Toruń, Poland 
 
 
The dielectric functions ε(E), atomic surface concentrations and chemical compositions have 
been studied in the near surface layers of the implanted GaAs before and after thermal treatment. 
The surfaces of semi isolating GaAs have been irradiated by In+ ions with the energy 250 keV 
and  fluences  were  in  a  region  from  1×10
13
  cm
–2
  to  3×10
16
  cm
–2
.  The  irradiated  samples  were 
isobaric annealing at 800°C during 2h. The depth profiles of the atomic surface concentrations 
were  measured  with  the  help  of  Rutherford  backscattering  spectrometry  and  nuclear  reactions 
RBS/NR. It was noticed two processes in the all study samples. The first was diffusion indium 
atoms  to  the  irradiated  surfaces  and  second  effect  was  change  of  the  surface  atomic 
concentration  of  oxygen  atoms  in  the  native  oxide  layers  covered  the  implanted  GaAs.  The 
functions ε(E) were investigated  in the photons energy region from 1.3 eV to 5.0 eV. The depth 
profiles of ε(E) were obtained of the removable chemical layers for the all study sample. Several 
effects  were  observed  in  the  measured  spectra.  They  were  associated  with  the  formation  of 
amorphous layers and the disappearance of bounds E1 and E1+Δ1 associated with critical points 
CP.  The  reconstruction  of  these  bands  has  been  observed  in  the  spectra  collected  for  the  all 
samples after thermal treatment. The parameters  of these bands were different for the samples 
irradiated with different fluences and at various depths from the surface. These effects may be 
explained  by  the  reconstruction  of  the  GaAs  crystallographic  structure  damaged  in  varying 
degrees in the implantation process. During the process of thermal annealing InAs was formed 
in the near surface layers of the samples implanted with the fluences 3×10
15
 cm
–2
, 1×10
16
 cm
–2
 
and  3×10
16
  cm
–2
.  This  effect  was  noticed  during  the  measurements  with  the  help  X-ray 
photoelectrical  spectroscopy  (XPS)  of  the  study  samples  after  the  thermal  treatment  process. 
These  disordered  layers  in  the  implantation  process  were  reconstruction  and  indium  atoms 
formed with displacement atoms of GaAs the new chemical compound InAs. In addition, these 
processes influenced the formation of the natural oxides of different chemical composition and 
different  optical  constants.  It  has  been  found  that  amounts  of  InO
2
  and  relative  amounts 
Ga
2
O
3
/As
2
O
3
 increase in the native oxide layers with the fluences before the thermal treatment 
of the samples. It was observed the amounts of Ga
2
O
3
 did not change after the thermal annealing 
and  they  were  approximately  on  the  same  level  as  before  the  process.  In  addition,  it  was 
subordinated that the quantity of As
2
O
5
 decreases in the all native oxide layers after the thermal 
treatment.  The  study  showed  that  the  use  of  the  methods  SE,  RBS/NR,  and  XPS  allows  for  a 
more precise definition of the dielectric function of the near surface layers of irradiated GaAs. 
 
 
 
 

---