TəBİƏt elmləRİ VƏ Tİbb seriyasi series of natural sciences and mediCİNE



Yüklə 5,01 Kb.

səhifə41/86
tarix10.11.2017
ölçüsü5,01 Kb.
1   ...   37   38   39   40   41   42   43   44   ...   86

- 83 - 
НАХЧЫВАН  ДЮВЛЯТ   УНИВЕРСИТ ЕТ И.  ЕЛМИ  ЯСЯРЛЯР,  2015,  № 3 (68) 
 
NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y
.
  С ЖЫЕНТЫФЫЖ  WО РКС ,  2015,  № 3 (68) 
 
НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТ ЕТ .  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2015,  № 3 (68) 
 
KİMYA 
   YASİN  BABAYEV 
Naxçıvan Dövlət Universiteti 
yasinbabayev@rambler.ru 
UOT  546.681.682.24 
 
QALLİUM  (İNDİUM)SESKVİTELLURİD-GERMANİUM  SİSTEMLƏRİNDƏ  
QARŞILIQLI  TƏSİR XÜSUSİYYƏTLƏRİ 
 
Açar  sözlər: qarşılıqlı  təsir, seskvitellurid, faza diaqramı, likvidus, germanium 
Key words:  mutual effekt, sescuitellurid, phase diaqram, liquidus, germanium 
Kлючевые слова: взаимодействие, сесквителлурид, фазовая диаграмма, ликвидус, 
германий 
 
Ga
₂Te₃(İn₂Te₃)-Ge  sistemlərində fazalararası qarşılıqlı təsir xüsusiyyətləri araşdırılımış, 
komponentlərin ekvimolyar nisbətində inkonqruent əriyən A
III
2
GeTe
₃üçlü birləşmələrinin əmələ 
gəlməsi qeyd olunmuşdur.  
Ga
₂Te₃  və  İn₂Te₃  birləşmələri  perspektivli  materiallar  olub  termo  və  fotorezistorlar,  çevirici 
qurğular,  yarımkeçirici  yaddaş  elementləri  hazırlanmasında  tətbiq  oluna  bilərlər  [1,  2].  Ga
₂Te₃-Ge 
və  İn
₂Te₃-Ge  sistemlərinin  faza  diaqramlarının  qurulması,  yeni  fazaların  aşkar  edilməsi  perspektivli 
yarımkeçirici    materialların  əhatə  dairəsinin  genişlənməsinə  və  müvafiq  kimyəvi  elementlərin 
kimyasının  zənginləşməsinə  xidmət  edir. 
Təcrübi  hissə.  Ga
₂Te₃-Ge  və  İn₂Te₃-Ge  sistemlərinin  tədqiqi  üçün  əvvəlcə  Ga₂Te₃,  İn₂Te₃ 
birləşmələri,  sonra  isə  hər  bir  sistem  üzrə    10  ərinti  2.10
⁻²Pa  qalıq  təzyiqə  malik  vakuum  şəraitində 
kvars  ampullarda  sintez  edilmişdir.  Sintez  üçün  yarımkeçirici  təmizliyə  malik  Ga,  İn,  Te  kimyəvi 
elemetntlərindən  istifadə  edilmiş,  germanium  isə  zonalı  əritmə  üsulunun  üfüqi  variantından  istifadə 
etməklə  əlavə  təmizlənməyə  uğradılmışdır.  Sintezdən  sonra  Ga
₂Te₃-Ge  sistemi  ərintilərində  800  K, 
İn
2
Te
3
-Ge  sistemi  ərintilərində  isə  600  k-də  homogenləşdirici  termiki  emal  (dəmləmə)aparılmışdır. 
Dəmləmə  davamiyyəti  72  saat  olmuşdur.  Termik  emal  prosesinin  homogenləşdirici  təsirinə 
mikrostruktur  analiz  (MSA)  vasitəsilə  nəzarət  edilmişdir. 
Ga
₂Te₃(İn₂Te₃)-Ge  sistemlərinin  ərintiləri  fiziki-kimyəvi  analiz  üsulları  (diferensial  termiki-
DTA,  mikrostruktur  analiz-MSA,  piknometrik  sıxlığın  və  mikrobərkliyin  təyini)  vasitəsilə  tədqiq 
olunmuş,  müvafiq  hal  diaqramları  qurulmuşdur  (şəkil  1 və 2). 
Nəticələrin müzakirəsi 
Əsasən  DTA  nəticələrindən  istifadə  etməklə  qurulan  və  MSA,  fazaların  mikrobərkliyinin, 
ərintilərin  piknometrik  sıxlığının  təyininə  əsaslanaraq  dəqiqləşdirilən  Ga₂Te₃-Ge  və  İn₂Te₃-Ge 
sistemlərinin  hal  diaqramlarından  görünür  ki,  hər  iki  sistemdə  qarşılıqlı  təsir  analoji  xarakter 
daşıyır.  Əsaslı  fərq  İn
₂Te₃-Ge  sistemində  61-84  mol  %  Ge  qatılıq  intervalında  maye  halda 
təbəqələşmə  baş  verməsidir.  Buna  görə  Ga
₂Te₃-Ge  sisteminin  faza  diaqramının  likvidus  xətti  3 
qanaddan  ibarət  olduğu  halda,  İn
₂Te₃-Ge  sistemi  üzrə  likvidus  əyrisi  4  qanaddan  ibarətdir;  İn₂Te₃ 
əsasında  α-bərk  məhlulun,  indium  monotelluridin,  germaniumun  maye  ərintidən  ilkin  kristallaşma 
qanadları  və  əyridəki  maye  halda  təbəqləşməni  ifadə  edən  hissə.  Diaqramların  hər  ikisində  5 
izotermik 
xətt 
mövcuddur. 
Yüksəktemperaturlu 

izoterm 
peritektik 
çevrilmələri,  aşağı 
temperaturlu  2  izoterm  isə  evtektik  kristallaşmanı  ifadə  edir.  Həmin  izotermlərdən  aşağı 
temperaturlarda  bütün  ərintilər  bərkimiş  haldadır. 


- 84 - 
Ga-Ge-Te  üçlü  sistemini  ifadə  edən  qatılıq  üçbucağında  Ga
₂Te₃-Ge  kəsiyi  ilə 2 
GaTe-GeTe  kəsiyi  kəsişir.  Kəsişmə  nöqtəsində,  yəni  GaTe-GeTe  sistemində 
komponentlərin  2:1  nisbətində  peritektik  reaksiya  üzrə  Ga
₂GeTe₃  üçlü  birləşməsi 
əmələ  gəlir  [3,4].  GaTe-GeTe  sistemi  üzrə  komponentlərin  1:1  nisbətində  isə  açıq 
maksimumla  əriyən,  konqruent  xarakterli  GaGeTe
₂  kimyəvi  birləşməsi  əmələ  gəlir. 
Ga
₂Te₃-Ge  və  İn₂Te₃-Ge sistemlərinin hal diaqramlarında A
III
GeTe
₂   birləşmələri S₂, 
A
III
2
GeTe
₃  birləşmələri  isə  S₁  ilə  işarələnmişdir.  Nəzərdən  keçirilən  Ga₂Te₃-Ge  və 
İn₂Te₃-Ge  sistemləri  üzrə  ərintilərdə  tam  kristallaşma  məhsulları  kimi  Ga₂GeTe₃  və 
İn₂GeTe₃ üçlü birləşmələrinin  mövcudluğu göstərilən  amillərlə  əlaqədardır. 
 
 
 
 
 
Şəkil  1. Ga₂Te₃-Ge  sisteminin  hal  diaqramı 


- 85 - 
 
Şəkil  2. İn₂Te₃-Ge  sisteminin  hal  diaqramı 
 
A
III
2
Te
₃-B
IV
  sistemlərində  qarşılıqlı  təsirin  ümumi  və  fərqli  xüsusiyyətlərini  nəzərdən 
keçirək.  Həmin  sistemlərdə  komponentlərin  1:1  nisbətində  əmələ  gələn  A
III
2
B
IV
Te
₃  üçlü 
birləşmələrinin  ərimə  xarakterinə  görə  onları  2 qrupa  ayırmaq  olar:   
I.Kvazibinar  xarakterlıi  A
III
2
Te
₃-B
IV
sistemləri.  Buraya  Ga₂Te₃-Sn(Pb)  və  İn₂Te₃-Sn(Pb) 
sistemləri  aiddir.  Bu  sistemlərin  faza  diaqramları  A
III
2
B
IV
Te
₃  üçlü  birləşmələrinin  açıq 
maksimumla  əriməsi  ilə  xarakterizə  olunurlar. 
II.Qeyri-kvazibinar  xarakterli  A
III
2
Te
₃-B
IV
sistemləri.  Ga(İn)-Ge-Te  qatılıq  üçbucaqlarının  bu 
daxili  kəsiklərinə  Ga₂Te₃-Ge  və  İn₂Te₃-Ge  sistemləri  aiddir.  Bu  sistemlərin  şəkil  1  və  2-də 
göstərilən  faza  diaqramları  tam  kristallaşma  məhsulu  kimi  uyğun  sürətdə  Ga₂GeTe₃  və  İn₂GeTe₃ 
birləşmələrinin  mövcudluğu  ilə  xarakterizə  olunurlar. 
A
III
2
Te
₃-B
IV
sistemlərindən  biri  (Ga₂Te₃-Ge)  istisna  olmaqla  qalanlarında  maye  halda 
təbəqələşmə  mövcuddur.  Bunun  əsas  səbəbi,  yəqin  ki,  Ga₂Te₃-Ge  sistemi  komponentlərinin  digər  A
III
2
Te
₃-B
IV
sistemləri  (

T=270-558  K)  ilə  müqayisədə  ərimə  temperaturları  arasında  nisbətən  az 
fərq  (

T=150 K) olmasıdır. 
Nəzərdən  keçirilən  A
III
2
Te
₃-B
IV
sistemləri  komponentlərin  1:1  nisbətində  A
III
2
B
IV
  Te
₃  üçlü 
birləşmələrinin 
əmələ 
gəlməsi  ilə  xarakterizə  olunurlar.  Germaniumlu  Ga₂Te₃(İn₂Te₃)-Ge 
sistemlərində  həmin  birləşmələr  inkonqruent  əridiyi  halda,  qalay  və  qurğuşunlu  sistemlərdə 
konqruent  əriyirlər.  Üçlü  birləşmələrin  konqruent  əridiyi  həmin  diaqramlar  iki  sərbəst  hissədən 
ibaərtdirlər.  A
III
2
Te
₃-A
III
2
B
IV
Te
₃  faza  diaqramları  sadə  evtektik  xarakterli  olduğu  halda,  A
III
2
  B
IV
Te₃- B
IV
 sistemlərində  evtektik  kristallaşma  monotektik  çevrilmə  ilə  müşayiət  olunur. 
Ga
₂Te₃(İn₂Te₃)-Ge  sistemlərinin  hal  diaqramlarından  göründüyü  kimi  GaGeTe₂  və  İnGeTe₂ 
birləşmələri  (S₂)  yalnız  diaqramların  ekstremal  temperaturları  əhatə  edən  orta  hissələrindəki  qatılıq 
intervallarında  (Ga₂Te₃-Ge  sistemində  53-47  mol  %  Ga₂Te₃,  İn₂Te₃-Ge  sistemində  isə  61-46  mol  % 
İn₂Te₃)  mövcuddurlar  və  onlar  maye  fazaların  iştirakı  ilə  başverən  peritektik  reaksiyalar  nəticəsində 
S
₁  birləşmələrinə  (Ga₂GeTe₃  və  İn₂GeTe₃)  çevrilirlər.  S₁  birləşmələri  isə  Ga₂Te₃-Ge  və  İn₂Te₃-Ge 
sistemlərinin  hal  diaqramlarının  solidusunda-kristallaşma  sonu  nöqtələrindən  aşağı  temperaturlarda 
bütün  üçfazalı,  bərk  halda  olan  ərintilərdə  mövcud  olur.  Buna  görə  müvafiq  Ga₂Te₃(İn₂Te₃)-Ge 




Dostları ilə paylaş:
1   ...   37   38   39   40   41   42   43   44   ...   86


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2019
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə