- 83 -
НАХЧЫВАН ДЮВЛЯТ УНИВЕРСИТ ЕТ И.
ЕЛМИ ЯСЯРЛЯР, 2015, № 3 (68)
NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y
.
С ЖЫЕНТЫФЫЖ WО РКС , 2015, № 3 (68)
НАХЧЫВАНСКИЙ ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ УНИВЕРСИТ ЕТ .
НАУЧНЫЕ ТРУДЫ, 2015, № 3 (68)
KİMYA
YASİN BABAYEV
Naxçıvan Dövlət Universiteti
yasinbabayev@rambler.ru
UOT 546.681.682.24
QALLİUM (İNDİUM)SESKVİTELLURİD-GERMANİUM SİSTEMLƏRİNDƏ
QARŞILIQLI TƏSİR XÜSUSİYYƏTLƏRİ
Açar sözlər: qarşılıqlı təsir, seskvitellurid, faza diaqramı, likvidus, germanium
Key words: mutual effekt, sescuitellurid, phase diaqram, liquidus, germanium
Kлючевые слова: взаимодействие, сесквителлурид, фазовая диаграмма, ликвидус,
германий
Ga
₂Te₃(İn₂Te₃)-Ge sistemlərində fazalararası qarşılıqlı təsir xüsusiyyətləri araşdırılımış,
komponentlərin ekvimolyar nisbətində inkonqruent əriyən A
III
2
GeTe
₃üçlü birləşmələrinin əmələ
gəlməsi qeyd olunmuşdur.
Ga
₂Te₃ və İn₂Te₃ birləşmələri perspektivli materiallar olub termo və fotorezistorlar, çevirici
qurğular, yarımkeçirici yaddaş elementləri hazırlanmasında tətbiq oluna bilərlər [1, 2]. Ga
₂Te₃-Ge
və İn
₂Te₃-Ge sistemlərinin faza diaqramlarının qurulması, yeni fazaların aşkar edilməsi perspektivli
yarımkeçirici materialların əhatə dairəsinin genişlənməsinə və müvafiq kimyəvi elementlərin
kimyasının zənginləşməsinə xidmət edir.
Təcrübi hissə. Ga
₂Te₃-Ge və İn₂Te₃-Ge sistemlərinin tədqiqi üçün əvvəlcə Ga₂Te₃, İn₂Te₃
birləşmələri, sonra isə hər bir sistem üzrə 10 ərinti 2.10
⁻²Pa qalıq təzyiqə malik vakuum şəraitində
kvars ampullarda sintez edilmişdir. Sintez üçün yarımkeçirici təmizliyə malik Ga, İn, Te kimyəvi
elemetntlərindən istifadə edilmiş, germanium isə zonalı əritmə üsulunun üfüqi variantından istifadə
etməklə əlavə təmizlənməyə uğradılmışdır. Sintezdən sonra Ga
₂Te₃-Ge sistemi ərintilərində 800 K,
İn
2
Te
3
-Ge sistemi ərintilərində isə 600 k-də homogenləşdirici termiki emal (dəmləmə)aparılmışdır.
Dəmləmə davamiyyəti 72 saat olmuşdur. Termik emal prosesinin homogenləşdirici təsirinə
mikrostruktur analiz (MSA) vasitəsilə nəzarət edilmişdir.
Ga
₂Te₃(İn₂Te₃)-Ge sistemlərinin ərintiləri fiziki-kimyəvi analiz üsulları (diferensial termiki-
DTA, mikrostruktur analiz-MSA, piknometrik sıxlığın və mikrobərkliyin təyini) vasitəsilə tədqiq
olunmuş, müvafiq hal diaqramları qurulmuşdur (şəkil 1 və 2).
Nəticələrin müzakirəsi
Əsasən DTA nəticələrindən istifadə etməklə qurulan və MSA, fazaların mikrobərkliyinin,
ərintilərin piknometrik sıxlığının təyininə əsaslanaraq dəqiqləşdirilən Ga₂Te₃-Ge və İn₂Te₃-Ge
sistemlərinin hal diaqramlarından görünür ki, hər iki sistemdə qarşılıqlı təsir analoji xarakter
daşıyır. Əsaslı fərq İn
₂Te₃-Ge sistemində 61-84 mol % Ge qatılıq intervalında maye halda
təbəqələşmə baş verməsidir. Buna görə Ga
₂Te₃-Ge sisteminin faza diaqramının likvidus xətti 3
qanaddan ibarət olduğu halda, İn
₂Te₃-Ge sistemi üzrə likvidus əyrisi 4 qanaddan ibarətdir; İn₂Te₃
əsasında α-bərk məhlulun, indium monotelluridin, germaniumun maye ərintidən ilkin kristallaşma
qanadları və əyridəki maye halda təbəqləşməni ifadə edən hissə. Diaqramların hər ikisində 5
izotermik
xətt
mövcuddur.
Yüksəktemperaturlu
3
izoterm
peritektik
çevrilmələri, aşağı
temperaturlu 2 izoterm isə evtektik kristallaşmanı ifadə edir. Həmin izotermlərdən aşağı
temperaturlarda bütün ərintilər bərkimiş haldadır.