Y. M. Kim, M. Urteaga, M. Dahlström, M. J. W. Rodwell, A. C. Gossard Department of Electrical Engineering, Materials Department



Yüklə 553 b.
tarix06.03.2018
ölçüsü553 b.


200 GHz fmax, fInP/In0.53Ga0.47As/InP Metamorphic Double Heterojunction Bipolar Transistors on GaAs Substrates








Morphology & RHEED of metamorphic layer



Morphology & RHEED of metamorphic layer



Device Junction Temperature Calculation



Simulation of HBT Junction Temperature vs. Buffer Layer Thermal Conductivity



Simulated HBT Temp vs. Power Density



Experimental Measurement of Temperature Rise



Results of Temperature Rise Measurement



Structure of metamorphic M-DHBT













Dostları ilə paylaş:


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©genderi.org 2019
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə