AZƏRBAYCAN RESPUBLİKASI TƏHSİL NAZİRLİYİ
BAKI DÖVLƏT UNİVERSİTETİ
FİZİKA PROBLEMLƏRİ ELMİ-TƏDQİQAT İNSTİTUTU
YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI ŞÖBƏSİ
ELEKTRONİKA ÜÇÜN PERSPEKTİVLİ OLAN MATERİAL VƏ
STRUKTURLARIN ALINMASI VƏ TƏDQİQİ
NANO- VƏ MIKROELEKTRONIKA ÜÇÜN PERSPEKTIVLI OLAN
YARIMKEÇIRICI MATERIALLAR VƏ ONLARIN ƏSASINDA
STRUKTURLARIN TEXNOLOGIYASI, OPTIK VƏ ELEKTRIK XASSƏLƏRI
mövzusunda 2009-cı il üçün
H E S A B A T I
Yarımkeçiricilər fizikası
şöbəsinin müdiri f.r.e.d Rüstəmov F.Ə.
BAKI – 2009
2
1. GİRİŞ
2009-cı ildə FP ETİ-nun Yarimkeçiricilər fizikası şöbəsində iş planına uyğun olaraq
“Nano- və mikroelektronika üçün perspektivli olan yarımkeçirici materiallar və onların
əsasında strukturların texnologiyası, optik və elektrik xassələri” mövzusunda elmi-
tədqiqat işləri aparılmışdır.
Hal-hazırda şöbədə 33 nəfər əməkdaş çalışır. Onlardan 5 nəfər əməkdaş fizika –
riyaziyyat elmləri doktoru, 15 əməkdaş isə fizika – riyaziyyat elmləri namizədidir.
Əməkdaşlardan 25 nəfəri tam ştat, 1 nəfəri 0.5 ştat vahidi, 7 nəfəri isə 0.5 ştat vahidi
əvəzçiliklə çalışır.
Elmi- tədqiqat işlərinin ən mühüm nəticələri respublika və xarici ölkələrin elmi
mətbuatında dərc edilmişdir. Hesabat müddətində, yəni 2009-cı ildə, Yarımkeçiricilər
fizikası şöbəsinin əməkdaşları tərəfindən 46 elmi iş elmi mətbuatda dərc edilmişdir.
Onlardan 6 məqalə xarici jurnallarda, 20 tezis beynəlxalq konfranslarda, 18 məqalə
respublika jurnallarında, 2 tezis isə regional konfranslarda çap edilmişdir.
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsində 2009-cı ildə elmi seminar fəaliyyət
göstərmişdir ki, burada əməkdaşların aldığı elmi nəticələr, elmi mətbuata təqdim olunan
məqalə və tezislər və s. müzakirə olunmuşdur.
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları 2009-cı ildə AMEA –nın Fizika
İnstitutu, Radiasiya Problemləri İnstitutu, Türkiyənin Orta Doğu Texniki Universiteti,
Ankara Qazi Universiteti, BDU –nun Nanoaraşdırmalar Mərkəzi ilə elmi əməkdaşlıq
etmişdir.
Əməkdaşlardan 2 nəfər Universitetdaxili 50+50 qrantini almışdır.
Şöbənin bir əməkdaşı namizədlik dissertasiyası müdafiə etmiş, 2 əməkdaş isə
namizədlik dissertasiyasına rəhbərlik etmişdir.
Hesabat ili dövründə şöbədə yeni tədqiqat obyekti olan məsaməli silisiumun
alınması üçün zəruri olan texnoloji avadanlıqın sazlanması və alınma rejimlərinin
müəyyənləşdirilməsi üzrə təcrübələr davam etdirilmişdir. Bu işdə mühəndislərdən H.O.
Qafarova, Y.Y. Bobrova və laborant R.F. Həsənova yaxından iştirak etmişdir.
2009-cı ildə şöbədə olan avadanlıqın vəziyyəti analiz edilmiş, yararsiz olan
avadanlıgin silinməsi üçün hazırlıq işləri görülmüşdür. Bu işdə mühəndislərdən S.E.
Bağırova, N.N. Gocayev, laborant N.Ə. Muxtarov yaxından iştirak etmişlər.
3
2. ŞTAT CƏDVƏLI
1. Rüstəmov Fərhad Ərəstun oğlu şöbə müdiri
f.r.e.d.
31.03.1957
2. Ağasıyev Arif Ayaz oğlu
baş e.i.
f.r.e.d.
16.09.1941
3. Cəfərov Maarif Əli oğlu
apar.e.i.
f.r.e.d.
20.03.1960
4. Lebedeva Nelya Nikolayevna
apar.e.i.
f.r.e.n.
22.10.1937
5. Dərvişov Namiq Hacıxəlil oğlu apar.e.i.
f.r.e.n.
13.04.1952
6. Bağıyev Vidadi Ənvər oğlu
apar.e.i.
f.r.e.n.
03.06.1954
7. Quliyeva Tahirə Zeynal qızı
böyük e.i.
f.r.e.n.
14.04.1937
8. Əfəndiyeva İzzət Məmməd qızı böyük e.i.
f.r.e.n.
10.09.1950
9. Axundov Çingiz Qəni oğlu
böyük e.i.
f.r.e.n.
14.12.1950
10. Nəsirov Elşən Fayaz oğlu
böyük e.i.
f.r.e.n.
05.07.1969
11. Orbux Vladimir İsakoviç
e.i.
f.r.e.n.
28.03.1949
12. Eyvazova Qönçə Malik qızı
böyük e.i.
f.r.e.n.
08.12.1951
13. Məmmədov Mübariz Zabid
böyük e.i.
f.r.e.n.
08.08.1959
14. Şərbətov Vaqif Xeyrulla oğlu
e.i.
f.r.e.n.
28.02.1957
15. Həsənov Məhəmməd Hidayət
e.i.
04.05.1951
16. Qocayeva Şöqiyə Mehdi qızı
k.e.i.
05.08.1935
17. Abdullayeva Ləman Kamal qızı k.e.i.
05.05.1974
18. Bobrova Yevgeniya Yuryevna
mühəndis
07.05.1960
19. Muradov Sənan Rəsul oğlu
mühəndis
19.05.1972
20. Bağırova Samirə Eldar qızı
mühəndis
08.03.1964
21. Qocayev Nizami Nağdəli oğlu
mühəndis
10.11.1961
22. Mirzəliyeva Günay Şakir qızı
mühəndis, analıq məz
29.12.1976
23. Qafarova Həcər Oktay qızı
mühəndis
28.04.1968
24. Muxtarov Natiq Əlibala oğlu
laborant
17.04.1970
25. Həsənova Rəna Səftər qızı
laborant, analıq məz
29.10.1969
26. Həsənova Rəna Fazil qızı
0.5 şt. Laborant
21.05.1975
27. Muradov Əhliman Xanəli o.
0.5 şt. apar.e.i.(əvəz)
f.r.e.d.
09.07.1947
28. Əsgərov Şahlar Qaçay oğlu
0.5 şt. apar.e.i.(əvəz)
f.r.e.d.
15.06.1941
29. Qəribov Qeys İbrahim oğlu
0.5 şt. apar.e.i.(əvəz)
f.r.e.n.
13.07.1940
30. Mehdiyev Rəşid Fərzəli oğlu
0.5 şt. apar.e.i.(əvəz)
f.r.e.n.
10.02.1936
31. Ağayev Mustafa Nuhbala oğlu
0.5 şt.böyük e.i. (əvəz) f.r.e.n.
19.05.1950
32. Rzayev Rövnəq Mirzə oğlu
0.5 şt. k.e.i.(əvəz)
f.r.e.n.
14.02.1970
33. Məmmədova Sevda Adil qızı
0.5 şt. k.e.i.(əvəz)
19.09.1968
4
3. ELMI-TƏDQIQAT IŞLƏRININ ƏSAS ISTIQAMƏTLƏRI
Problem: Elektronika üçün perspektivli olan material və strukturlarin alinmasi və
tədqiqi
Mövzu: Nano- və mikroelektronika üçün perspektivli olan yarımkeçirici materiallar
və onların əsasında strukturların texnologiyası, optik və elektrik xassələri
3.1.
p-Si
monokristallik
lövhələrində
lyuminessensiya
qabiliyyətli
makroməsaməli Si təbəqələrinin eletrokimyəvi aşılama metodu ilə alınma
texnologiyasının işlənməsi və onların şüalanma spektrlərinin tədqiqi
1 mərhələ. Görünən oblastda lyuminessensiya verən və optik ölçmələr üçün
yararli olan bircins makroməsaməli Si təbəqələrinin yüksəkomlu (111) orientasiyalı p-Si
dan alınma texnologiyasının işlənməsi, onların morfologiyasinin və şüalanma spektrinin
tədqiqi
İcraçılar: A.A.Ağasıyev, N.H.Dərvişov, M.Z.Məmmədov, Ç.Q.Axundov,
V.X.Şərbətov, S.R.Muradov, N.N.Qocayev, H.O.Qafarova, S.E.Bağırova.
Makroməsaməli silisium təbəqələri elektrokimyəvi anod aşılaması metodu ilə
qalvanostatik rejimdə şaquli özəkdə hər iki tərəfi cilalanmıç (111) oriyentasiyalı, 10 Om
sm müqavimətli, bor ilə aşqarlanmış 380 mkm qalınlıqlı monokristallik p-Si
lovhələrində alınmışdır. Elektrokimyəvi aşılanmanı aparmaq üçün silisium lövhəsinin
arxa tərəfinə termik buxarlandırma ilə Al təbəqəsi çökdürülmüş, və omik kontakt almaq
üçün 450°S –də 40 dəqiqə ərzində tablama aparılmışdır. Aşılanma oblastının sahəsi 1
sm
2
təşkil edirdi. Kontrelektrod kimi Si lövhəsindən 4 sm məsafədə yerləşmiş Pt-Rh
məftili istifadə olunmuşdur. Aşılayıcı məhlul olaraq izopropil spirtində həll edilmiş
plavik turşusu istifadə edilmişdir. Anodlaşdırma cərəyan şiddətinin sıxlığı 5-20
mА/sm
2
qiymətlərində 5 – 60 dəqiqə zaman intervalında aparılmışdır.
Göstərilən şəraitdə alınmış məsaməli silisum təbəqələrinin morfologiyasının
tədqiqi həmin nümunələrin doğrudan da makroməsaməli olduğunu sübut edir. 10
mА/sm
2
cərəyan şiddətində 20 dəqiqə ərzində aşılanmış təbəqələrin qalınlığı 7 mkm
təşkil edirdi. Məsamələrin ölşüsü (~1мкм) və onların paylanma sıxlığı cərəyan
şiddətinin 2-20 mА/sm
2
qiymətlərində və 5 – 60 dəqiqə aəşlama müddətlərində sabit
qalmışdır. Aşılamanın bu parametrləri yalnız alınan məsaməli silisiumun qalınlığına və
keyfiyyətinə təsir göstərmişdir.
Alınmış məsaməli silisium laylarının fotolyuminessensiya spektrlərinin tədqiqi
otaq temperaturunda, 370nm dalğa uzunluğu ilə həyəcanlandırdıqda aparılmışdır. Bütün
alınmış nümunələr otaq temperaturunda adi gözlə görünən kifayət qədər intensiv
qırmızı-bənövşəyi lyuminessensiya vermişdir. Yeni alınan nümunələrın spektrinin
maksimumu 1.85 eV (670 nm), yarımeni isə 0.45 eV olmuşdur. Bu kifayət qədər enli
spektrin qaussianlara ayrılması onun maksimumuları 1.52 eV (815 nm), 1.76 eV (704
nm), 1.9 eV (652 nm) və 2.05 eV (605 nm)-də yerləşən və intensivlikləri müxtəlif olan
dörd müxtəlif şüalanmaların kombinasıyası olduğunu göstərmişdir. Nümunələrin
laboratoriya şəraitində 4 ay müddətində saxlanılması spektrin həm intensivliyinin, həm
də formasınin kifayət qədər stabil olduğunu müəyyən etmişdir. Lakin spektrin tərkib
5
hissələrinin nisbi intensivliyi müəyyən dəyişikliyə məruz qalır. Xarakterikdir ki, zaman
keçdikcə spektrin yüksəkenerjili toplananının payı artır. Bu yüksəkenerjili toplanan azot
temperaturunda
özünü
daha
aşkar
biruzə
verir.
Alınmış
nümunələrin
fotolyuminessensiya spektrləri ilə yanaşı onlarış həyəcanlanma spektrləri də tədqiq
olunmuşdur.
3.2. Günəş batareyalarının baza elementi olan Zn
x
(Cd
1-x
,S
y
)Sе
1-y
nazik
təbəqələrinin kimyəvi və elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınması, onlarin
elektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin tədqiqi
1 mərhələ. Zn
x
(Cd
1-x
,S
y
)Sе
1-y
nazik təbəqələrinin kimyəvi və elektrokimyəvi
üsulla alınması texnologiyasının işlənməsi, onların müxtəlif rejimlərdə və tərkiblərdə
alinması.
İcraçılar: M.Ə.Cəfərov, V.Ə.Bağıyev, E.F.Nəsirov, Q.İ.Qəribov, R.M.Mehdiyev,
R.M.Rzayev, S.A.Məmmədova
Tədqiq olunan ZnS
1-x
Se
x
(0 x 0.6) və CdSe
1-y
Te
y
(0 y 0.5) nazik təbəqələri
sulu məhluldan kimyəvi və elektrokimyəvi çökdürülməsi üsulu ilə alınmış, onların bir
sıra eıektron xassələri tədqiq olunmuşdur. Çökdürmə rejimindən, anion və kation
əvəzetməsindən, eləcə də havada termik emal zamanı oksigenlə qarşılıqlı təsirdən asılı
olaraq Cd
1-x
Zn
x
S, ZnS
1-x
Se
x
və CdSe
1-y
Te
y
nazik təbəqələrində müşahidə olunan
dəyişikliklərin analizi aparılmışdır. Reaksiyanın kimyəvi hərisliyini geniş intervalda
dəyişmək üçün çökdürmə prosesi ilkin komponentlərin konsentrsiyasının çox kəskin
fərqlənən qiymətlərində aparılmış, reaksiya parametrlərinin konsentrasiyasının
məhluldakı hissəciklərin ölçülərinə təsiri öyrənilmişdir. PEQ (polietilenqlikol) – su
qarşılığından ibarət məhlulda Cd
1-x
Zn
x
S (0 x 0.6) bərk məhlulunun hissəcikləri
alınmışdır. Aparılan tədqiqatlar göstərir ki, bu metod nanoölçülü təbəqələrin
alınmasında, nanoölçülü invers təbəqə və ötürücü kanalın cərəyankeçmə mexanizminə
təsiri məsələlərinin araşdırılmasında, eləcə də onların çıxış parametr və
xarakteristikalarının nanoölçülü klaster və qoşulmalardan asılılığının öyrənilməsində
böyük rol oynayır. Qeyd olunan texnologiya ilə alınan təbəqələrin və onların
tərkibindəki
zərrəciklərinin
ölçülərinin
kiçildilməsi
istiqamətində
tədqiqatlar
aparılmışdır. Müəyyən olunmuşdur ki, nanoölçülü hissəciklərin alınması üçün istiofadə
olunan molekulyar-şüa epitaksiyası, litoqrafiya kimi perspektivli metodlarla
müqayisədə bu metod daha kiçik ölçülü sferik formalı yarımkeçirici nanokristallitlər
almağa imkan verir.
İşin praktiki əhəmiyyəti kimi göstərmək olar ki, ZnS
1-x
Se
x
və CdSe
1-y
Te
y
nazik
təbəqəli heterokeçidin sulu məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə metodu ilə alınma
texnologiyasının incəlikləri araşdırılmışdır.Tədqiq olunmuş təbəqələr əsasında yaddaş
elementləri, neqatron cihazlar, fotoqəbuledicilər, günəş batareyalarının baza elementləri,
nanomateriallar və nanostrukturlar hazırlamaq olar.
6
3.3. Qaz boşalması plazmasınin yarımkeçiricilərin səthindəki
nanostrukturun və polimerdəki nanokompozitlərin morfologiyasına, optik və
elektrik xassələrinə təsirinin tədqiqi
1 mərhələ. Qaz boşalması plazmasının yarımkeçiricilərin səthindəki
nanostrukturun morfologiyasına təsirinin tədqiqi.
İcraçılar: N.N.Lebedyeva, V.İ.Orbux, Q.M.Eyvazova, Y.Y.Bobrova, Ə.X.
Muradov
Tədqiqat obyekti kimi qallium arsen və təbii seolit təbəqələri götürülmüşdür.
Seolitə maraq ondan irəli gəlir ki, onun quruluşu məsamələr və kanallardan ibarətdir ki,
bu da öz növbəsində bir çox üzvi və qeyri-üzvi birləşmələrin və suyun molekul və
ionlarının məsamələrə daxil olmasına imkan verir. Seolit təbəqəsinin özünün, həm də
qaz boşalması özəyində seolit emitasiya elektrodu olduğu sistemin elektrik keçiriciliyi
tədqiq olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, seolit təbəqələr qaz boşalması qurğularında
istifadə edilə bilər. Elektrodu seolit olan təbəqə havasının təzyiqi idarə edilən kameraya
yerləşdirilir. Kamerada havanın təzyiqindən asılı olaraq seolit təbəqəsınin volt-amper
xarakteristikası ölçülmüşdür. Müşahidə edilmişdir ki, seolitin məsamələrində qazdakı
ionlaşma nəticəsində elektronların emissiyası baş verir. Müyyən edilmişdir ki, belə
təbəqənin müstəvi qaz boşalması özəyində katod kimi istifadə edilməsi qaz
başalmasının alışma gərginliyini azaldır.
3.4 Amorf və monokristallik metal təbəqəli metal – yarımkeçirici kontaktla-
rın emission və elektrofiziki parametrlərinin tədqiqi
1 mərhələ. Amorf metal təbəqəli Al
80
Ni
20
/nSi kontaktlarının emission
parametrlərinin və monokristal metal metal təbəqəli Al-TiW-PtSi/nSi Şottki diodlarının
induktivlik və dielektrik xassələrinin tədqiqi
İcraçılar: İ.M.Əfəndiyeva, T.Z.Quliyeva, Ş.M.Qocayeva, M.H.Həsənov,
L.K.Abdullayeva, Ş.H.Əsgərov, M.N.Agayev
AlNi/n-Si Şottki diodlarinin volt-amper xarakteristikaları gərginlik və
temperaturun geniş intervalda dəyişməsi şəraitində ölçülmüşdür. Tədqiq olunan
diodların sahəsi (1-14)x10
-6
cm
2
intervalinda dəyişir. Potensial çəpər hündürlüyü bütün
diodlar üçün müxtəlif metodlarla hesablanmışdırş. Qauss paylanmasi metudu tətbiq
etmekle potensial çəpərin hündürlüyü və kənaraçıxma parametri müxtəlif sahəli diodlar
üıün hesablanmışdlr. Alınan nəticələr əsasında electrofiziki parametrlər arasında
korrelyasiya tədqiq edilmişdir. Riçardson sabitinin eksperimentdən alınan effektiv
qiymətləri və termoelektron emissiya nəzəriyyəsi arasında olan korrelyasiya tədqiq
edilmişdir. lnA və Ф
в
arasında asılılıq əsasında potensial çəpərin həqiqi qiyməti aşkar
edilmişdir. Monokristal metal təbəqəli Al-TiW-PtSi/n-Si Şottki diodlarının induktivlik
və dielektrik xassələri tədqiq edilmişdir. Polikristallik metal təbəqəli Şottki diodları
üçün dielektrik aralığın effektiv qalınlığının hesablanmasi metodu işlənmiş, bu
metodla Al-TiCu/n-Si diodlarının qalinlığı hesablanmışdır. Həmin diodlar üçün
potensial çəpərin hündürlüyü müxtəlif metodlarla hesablanmiş, analiz edilmişdir.
Monokristallik səthin, emitterin müəyyən bir orientasiyasında təyin olunmuş çıxış işinin
və Riçardson sabitinin təcrübi qiymətlərinin statistik təhlili göstərdi ki, lnA
n
və Ф
i
7
kəmiyyətləri arasında xətti asılılıq vardır. Bu asılılığa əsasən çıxış işinin həqiqi
qiymətini tapmaq olar.
4. DƏRC OLUNMUŞ ELMI IŞLƏRİN XARAKTERİSTİKASI
Hesabat müddətində, yəni 2009-cı ildə, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin
əməkdaşları tərəfindən 46 elmi iş elmi mətbuatda dərc edilmişdir. Onlardan 6 məqalə
xarici jurnallarda, 20 tezis beynəlxalq konfranslarda, 18 məqalə respublika
jurnallarında, 2 tezis isə regional konfranslarda çap edilmişdir. Məqalələrin siyahısı və
sürəti əlavə olunur.
5. XARICI DÖVLƏTLƏRIN TƏHSIL VƏ ELMI MÜƏSSƏLƏRI ILƏ
ƏLAQƏLƏR
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları 2009-cı ildə Türkiyənin Orta
Doğu Texniki Universiteti və Ankara Qazi Universiteti ilə əməkdaşlığını davam
etdirmişdir.
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları tərəfindən 2009-cı ildə aşağıda
qeyd olunmuş xaricdə keçirilmiş beynəlxalq konfranslara materiallar təqdim edilmiş və
çap edilmişdir.
SPİE: Optics + Photonics. 3-4 August, 2009, San Diego, California, USA
XI Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и
микросистемы, 25-29 may, 2009, Ульяновск,
2
nd
Training School and 6
th
Workshop Advanced Functional Characterization of
Nanostructured Materials, february 23-25, 2009, Madrid, Spain,
Final Workshop “Electroceramics from Nanopowders Produced by Innovative
Methods”, Aveiro, Portugal, October 28-30, 2009
E-MRS Fall meeting 2009, Poland.
2009-cu ildə söbənin əməkdaşları tərəfindən fundamental elmlər sahəsindəki
TWAS tədqiqat grantına 3 layihə təqdim olunmuşdur. Konkursun nəticələri 2010-cu il
mart ayında məlum olacaqdır.
Şöbənin iki əməkdaşı, N.H.Dərvişov və L.K.Abdullayeva (R-73 saylı
23.11.2009-cu il tarixli əmrə əsasən) Universitetdaxili 50+50 qrantını qazanmışdır.
Hesabat müddətində, yəni 2009-cı ildə, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin
əməkdaşları tərəfindən xaricdə 6 məqalə çap edilmişdir, onlardan 3-ü C, 3-si isə D
kateqoriyalı jurnallarda dərc edilmişdir. Məqalələrin siyahısı və sürəti əlavə olunur.
6. ELMI-TƏDQIQAT IŞLƏRININ NƏTICƏLƏRININ TƏTBIQI
6.1. 2009-cu ildə AMEA-nın hesabatina daxil edilməsi üçün təqdim olunan
mühüm elmi nəticələr.
1. Görünən oblastda lyuminessensiya verən və optik ölçmələr üçün yararli olan
bircins makroməsaməli Si təbəqələrinin yüksəkomlu (111) orientasiyalı p-Si- dan
8
alınma texnologiyasının işlənməsi, onların morfologiyasinin və şüalanma spektrinin
tədqiqi
Böyük müqavimətli (40 Om.sm) p-Si lövhələrində məsaməli silisiumun
oksidləşdiricinin çatışmazlığı rejimində kimyəvi aşılama metodu ilə alınma
texnologiyası işlənmiş və onların fotolyuminessensiya spektri tədqiq edilmişdir.
İcracılar: f.r.e.d. F.Ə.Rüstəmov, f.r.e.n. N.H.Dərvişov, f.r.e.n. M.Z.Məmmədov,
Y.Y. Bobrova, H.O. Qafarova
2. Qaz boşalması plazmasının yarımkeçiricilərin səthindəki nanostrukturun
morfologiyasına təsirinin tədqiqi.
Təbii nanoməsaməli siolitin və siolit elektrodlu qaz boşalması sisteminin elektrik
keçiriciliyi tədqiq olunmuş və onun kiçik enerji tutumlu qaz boşalması qurğularında
istifadəsinin mümkünlüyü göstərilmişdir.
İcracılar: f.r.e.n. N.N.Lebedeva, V.İ.Orbux, Q.M.Eyvazova
7. PATENT VƏ İNFORMASİYA İŞLƏRİ
Seolit təbəqəsinin qaz boşalması özəyində seolit emitasiya elektrodu olduğu
sistemin elektrik keçiriciliyi tədqiq edilmişdir və göstərilmişdir ki, seolit təbəqələr qaz
boşalması qurğularında katod kimi istifadə edilə bilər ki, bu da qaz başalmasının alışma
gərginliyini azaldır. İşın nəticəsi kimi məsaməli seolit katodlu emissiya qurğusuna ixtira
almaq üçün hazırlıq və informasiya işləri görülür.
8. ELMI SEMINARLAR
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsində “Elektronika üçün perspektivli olan material
və strukturlarin alinma texnologiyası və tədqiqi” mövzusunda aylıq seminar fəaliyyət
göstərir. Seminarın rəhbəri f.-r.e.d. F.Ə. Rüstəmovdur.
9. ELMI-PEDAQOJI KADRLARIN HAZIRLANMASI
Yarımkeçiricilər fizikası şöbənin iki əməkdaşı - f.-r.e.d. A.A.Ağasıyev fizika
fakultəsinin magistrləri üçün “Mürəkkəb heterokeçidlərin nəzəriyyəsi”, “Optik
holografiya”, “Fotoelektronika” kursu üzrə, f.-r.e.d. M.Ə.Cəfərov isə “Bərk cisim
elektronikası
və
mikroelektronikanın fiziki əsasları” və “Yarımkeçiricilərin
texnologiyası” kursu üzrə mühazirə dərsləri aparmışlar.
10. DISSERTASIYA MÜDAFIƏSI
Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin kiçik elmi işçisi Abdullayeva Ləman Kamal
qızı fizika-riyaziyyat elmləri namizədlik dissertasiyasının müdafiəsi 25 dekabr 2009-cu
ildə keçiriləcəkdir.
11. 2010-cu İLDƏ HANSI AVADANLIQLARIN ALINMASINA EHTIYAC
DUYULUR
Yarimkeçiricilər fizikası şöbəsində aparılan elmi tədqiqat işlərinin daha da
intensivləşdirilməsi üçün aşagıdakı reaktivlərin və avadanlığın alınmasına ehtiyac
vardir.
9
Metalloqrafik mikroskop Altami MET variant 1M 5500 m
Su deionizatoru Vodoley 1650 m
Ultrasəs yuyucu vanna 100 m
Spektrometr Perkin Elmer LS55 10000 m
Foton Sayğacı Foton Counter SR400 6500 m
İlkin gücləndirici Preamplifier SR445A 1500 m
Optik modulyator Optical Chopper SR540 1500 m
Yüksək gərginlik mənbəyi PS325 (2 ədəd) 3300 m
Silisium lövhələri
3", P/Boron, (111), 10 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
3", P/Boron, (111), 2 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
3", P/Boron, (100), 10 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
3", P/Boron, (100), 2 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
3", P/Boron, (111), 0.1 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
3", P/Boron, (111), 0.01 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
3", P/Boron, (100), 0.1 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
3", P/Boron, (100), 0.01 Ohm.cm, 380 mkm, SSP 100 ədəd 1200 m
Kimyəvi reaktivlər
plavik tirşusu Hydrofluoric acid, CAS 7664-39-3 5 l 440 m
izopropil spirti 2-propanol, CAS 67-63-0 16 l 550 m
n- pentan n-pentane, CAS 109-66-0 8 l 660 m
aseton Aceton, CAS 67-64-1 8 l 200 m
azot turşusu Nitric acid, CAS 7697-37-2 10 l 200 m
sirkə turşusu Acetic acid, CAS 64-19-7 4 l 275 m
xlorid turşusu Hydrochloric acid, CAS 7647-01-0 10 l 250 m
hidrogen peroksid Hydrogen peroxide, CAS 7722-84-1 5 l 275 m
sulfat turşusu Sulfuric acid, CAS 7664-93-9 5 l 500 m
12. ƏSAS NƏTICƏLƏR VƏ TƏKLIFLƏR.
Yarimkeçiricilər fizikası şöbəsində yüksək omlu p-Si monokristallik lövhələrində
nano- və makroməsaməli Si təbəqələrinin elektrokimyəvi aşılama metodu ilə alınma
texnologiyası tam mənimsənilmişdir. Bu gələcəkdə fotolyuminessent xassələrinin
tədqiqi ilə yanaşı metal/məsaməli Si/monokristallik p-Si sistemlərinin hazırlanması və
onlarda elektrik, diod və elektrolyuminessent xassələrinin tədqiqinə imkan verəcəkdir.
Bundan başqa şöbədə nanoməsaməli silisiumun sırf kimyəvi aşılama metodu ilə alınma
texnologiyasının işlənməsinə də başlanmışdır.
Məsaməli silisium təbəqələri elektrokimyəvi anod aşılaması metodu ilə
qalvanostatik rejimdə (111) oriyentasiyalı, 10 Om sm müqavimətli monokristallik p-Si
lovhələrində alınmışdır. Alınmış məsaməli silisium laylarının fotolyuminessensiya
spektrlərinin
tədqiqi
otaq
temperaturunda,
370nm
dalğa
uzunluğu
ilə
10
həyəcanlandırdıqda aparılmışdır. Bütün alınmış nümunələr otaq temperaturunda adi
gözlə görünən kifayət qədər intensiv qırmızı-bənövşəyi lyuminessensiya vermişdir.
Yeni alınan nümunələrın spektrinin maksimumu 1.85 eV (670 nm), yarımeni isə 0.45
eV olmuşdur. Bu kifayət qədər enli spektrin qaussianlara ayrılması onun
maksimumuları müxtəlid dalğa uzunluqlarında yerləşən və intensivlikləri müxtəlif olan
dörd müxtəlif şüalanmaların kombinasıyası olduğunu göstərmişdir. Alınmış
nümunələrin fotolyuminessensiya spektrləri ilə yanaşı onlarış həyəcanlanma spektrləri
də tədqiq olunmuşdur.
Məsaməli silisiumun işlənmiş texnologiyası gələcəkdə onların əsasında diodların,
fotodiodların, elektrolyuminissent strukturların hazırlanmasında və tədqiq olunmasında
istifadə ediləcəkdir.
Tədqiq olunan ZnS
1-x
Se
x
(0 x 0.6) və CdSe
1-y
Te
y
(0 y 0.5) nazik təbəqələri
sulu məhluldan müxtəlif şəraitlərdə kimyəvi və elektrokimyəvi çökdürülməsi üsulu ilə
alınmış, onların bir sıra eıektron xassələri tədqiq olunmuşdur. Polietilenqlikol – su
qarışılığından ibarət məhlulda Cd
1-x
Zn
x
S (0 x 0.6) bərk məhlulunun hissəcikləri
alınmışdır. Aparılan tədqiqatlar göstərir ki, bu metod nanoölçülü təbəqələrin
alınmasında, nanoölçülü invers təbəqə və ötürücü kanalın cərəyankeçmə mexanizminə
təsiri məsələlərinin araşdırılmasında, eləcə də onların çıxış parametr və
xarakteristikalarının nanoölçülü klaster və qoşulmalardan asılılığının öyrənilməsində
böyük rol oynayır.
Tədqiq olunmuş təbəqələr əsasında yaddaş elementləri, neqatron cihazlar,
fotoqəbuledicilər, günəş batareyalarının baza elementləri, nanomateriallar və
nanostrukturlar hazırlamaq olar.
AlNi/n-Si Şottki diodlarinin volt-amper xarakteristikaları gərginlik və
temperaturun geniş intervalda dəyişməsi şəraitində ölçülmüşdür. Alınan nəticələr
əsasında elektrofiziki parametrlər arasında korrelyasiya tədqiq edilmişdir və potensial
çəpərin həqiqi qiyməti təyin edilmişdir. Monokristal metal təbəqəli Al-TiW-PtSi/n-Si
Şottki diodlarının induktivlik və dielektrik xassələri tədqiq edilmişdir. Polikristallik
metal təbəqəli Şottki diodları üçün dielektrik aralığın effektiv qalınlığının
hesablanmasi metodu işlənmiş, bu metodla diodlarının qalinlığı hesablanmışdır.
Seolit təbəqəsinin özünün, həm də qaz boşalması özəyində seolit emitasiya
elektrodu olduğu sistemin elektrik keçiriciliyi tədqiq edilmişdir. Göstərilmişdir ki, seolit
təbəqələr qaz boşalması qurğularında katod kimi istifadə edilə bilər ki, bu da qaz
başalmasının alışma gərginliyini azaldır. İşın nəticəsi kimi məsaməli seolit katodlu
emissiya qurğusuna ixtira almaq üçün hazırlıq işləri görülür.
11
Əlavə 1
Respublikada cap edilmiş məqalələr
1. Рустамов Ф.А. М.З. Мамедов, Н.Х. Дарвишов, С.Р. Мурадов, Е.Ю.Боброва.
Получение и фотолюминесценция макропористого кремния p-типа. AMEA,
Xəbərlər. 2009, c.XXIX, № 5, c.132-135
2. A.A. Agasiev, E.M. Magerramov, J.H. Jabbarov, M.Z. Mamedov, N.N. Godjaev.
Influence of interatomic distance change on linear dimensions of solid state. AMEA,
Fizika, cild XV, №1, 2009, səh. 68-69.
3. А.А.Агасиев, Ч.Г. Axundov, Б.Г.Саламова, М.З.Мамедов, В.Дж.Мамедов.
Морфологические изменения островковых пленок
3
TiO
S
r
. AMEA Xəbərlər. Fizika-
riyaziyyat və texnika elmləri seriyası, fizika və astronomiya. cild XXIХ, №2, s.79-81,
Bakı, 2009.
4. А.А.Аğasıyev, Ç.Q. Axundov, M.Z.Məmmədov, V.Х.Şərbətov. E.M. Məhərrəmov.
Корпускулярная структура адсорбентов-гелей. SDU. Xəbərlər. Təbiət və texnika
elmləri bölməsi, cild 8, №3, 2008, səh. 15-18
5. Н.Н.Лебедева, В.И.Орбух, T.З.Кулиева, Ч.Ф.Султанов, «Стационарный газовый
разряд в порах цеолита» AMEA Xəbərlər, сild XXIX, 5, 2009, 162-165.
6. Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев, И.Г.Пашаев, М.Г.Гасанов Применение аморфного
металлического сплава при изготовлении надежных кремниевых диодов Шоттки
и солнечных элементов. “Bakı Universitetinin xəbərləri”, №1, 2009, səh. 145-152.
7. Мурадов А. Х. «Контакт высокоомного полупроводникового зонда с плазмой
положительного столба разряда в неоне». «Проблемы энергетики», 2009 г., № 1,
стр. 59-63,
8. Э.М. Годжаев, Ш.М. Гусейнова (Годжаева), З.Н. Мамедов, И.Г. Исмаилов.
Особенности и перспективы технического применения тройных анадогов TlSe.
Fizika – Texnika (ATU), 2009, №2, cild VIII(30), s. 3-5
9. Масимов Е.А., Мамедов Н.А., Давудов Б.Б., Дашдемиров К.М., Гарибов Г.И.,
Садыхзаде Г.М., Джабаров Дж.Н., Алекберов Ш.Ш. Физико-химические
процессы в разрядных промежутках озонаторов. Energetikanın problemləri, № 2,
2009, s. 74-83.
10. А.А.Агасиев, Ç.Q. Axundov, Б.Г.Саламова, M.З.Мамедов, В.Дж.Мамедов.
Особенности формирования сегнетоэлектрических пленок
3
TiO
S
r
. Аз. Республика
Национал. Ак. Наук Национальная Ак. Авиации. Труды международная
Конференции «Научно-технический прогресс и современная Авиация» посв. 75-
летию академика А.М.Пашаева. Том I, с.189-192. 12-14 февраля, Баку, 2009 г.
11. И.М.Эфендиева. Определение эффективной толщины зазора КМП с
поликристаллическим
металлическим
слоем.
Труды
Международной
Конференции ."Научно-технический Прогресс и современная Авиация "
посвящ.75 летию акад.А.М.Пашаева ,т.1, с.311-312. Баку, 2009.
12. Н.Н. Лебедева, В.И. Орбух, Г.М. Эйвазова, Ч.Г. Ахундов, Т. З. Кулиева, Ч.А.
Султанов. Использование природного цеолита как эмитирующего катода в
12
газоразрядных устройствах. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi
konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.36-37.
13. İ.M. Əfəndieva, L.K. Abdullaeva, T.Z. Quliyeva, Ş.M. Qocayeva, M.N. Ağayev,
Ş.S. Süleymanov. Amorf xəlitəli Al
0.8
Ni
0.2
-n-Si diodlarının elektrofiziki parametrləri
arasında korrelyasiyanın tədqiqi. . BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi
konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.34-36.
14. А.А. Агасиев, Ч.Г. Ахундов, М.З. Мамедов, М.М. Панахов, С.Н. Сармасов.
Эпитаксиальные пленки PbTe/Bi. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi
konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.22-24.
15. В.Э. Багиев, М.А. Зарбалиев, Дарвишов Н. Г. Аномальная дисперсия
коэффициента отражения TlGaSe
2
в области примесного поглощения. BDU, Fizika
Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr,
səh.52-55.
16. М.А.Джафаров, Р.Ф.Мехтиев, С.А.Мамедова, Э.Ф.Насиров, Р.М. Рзаев.
Получение и исследование свойств структур Si-CdZnS. BDU, Fizika Problemləri
ETİ. III Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.199-200.
17. М.А.Джафаров, Т.О. Багиров Э.Ф.Насиров. Получение соединений CdZnS в
растворе, содержаший полиэтиленьгликоль. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III
Respublika Elmi konfransının materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh. 197-199.
18. Q.İ. Qəribov. Uzununa maqnit sahəsində yerləşdirilmiş qaz boşalması plazması
rəqslərinin tədqiqi. BDU, Fizika Problemləri ETİ. III Respublika Elmi konfransının
materialları. 2009, 17-18 dekabr, səh.106-107
13
Əlavə 2
Regional konfranslarda cap edilmiş tezislər
1. Məmmədova S.A. CdSe
1-x
Te
x
nazik təbəqələrində fotokimyəvi reaksiyalar. BDU-nun
90 illiyinə həsr olunmuş Gənc tədqiqatçıların “Fizika və astronomiya problemləri”
Respublika elmi konfransının materialları. Bakı, 16 may, 2009, s. 46.
2. Məmmədova. С.A. Фотоутомляемость в пленках CdSeTe, осажденных из
раствора. Aspirantların və gənc tədqiqatçıların XIII Respublika elmi konfransının
materialları, Bakı, 6-7 mart, 2009, səh.7
14
Əlavə 3
Beynəlxalq konfranslarda cap edilmiş tezislər
1. Elshan F. Nasirov, Maarif A. Jafarov. Synthesis of the CdS nanoparticles from
lowtemperature solution. S.34, 2-6 August, Proceedings of SPIE, 3 -4 August, 2009,
San Diego, California, USA
2. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мехтиев Р.Ф. Электроосаждение наноразмер-
ных пленок ZnS
1-х
Se
х
XI Международная Конференция опто-наноэлектроника,
нанотехнологии и микросистемы, с.76, Ульяновск, 25-29 мая 2009 г.
3. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф. Получение и исследование свойств
наноразмерных композитных Материалов на основе сульфидов и селенидов. XI
Международная
Конференция
опто-наноэлектроника,
нанотехнологии
и
микросистемы, с.92, Ульяновск, 25-29 мая 2009 г.
4. Muradov M.B., Eyvazova Q.M., Akhmedov I.D., Huseynova N.V. Development of
technology of nanocompozition formation on the basis of nanostructured calcogenide
semiconductors and silicon dioxide. 2
nd
Training School and 6
th
Workshop Advanced
Functional Characterization of Nanostructured Materials, february 23-25, 2009, Madrid,
Spain, p.48-49
5. Eyvazova Q.M., Muradov M.B., Maharramov A.M. Influence of quantum
confinement and structure of nanomaterials on the effective mass of charge carriers.
Final Workshop “Electroceramics from Nanopowders Produced by Innovative
Methods”, Aveiro, Portugal, October 28-30, 2009
6. Mustafa B. Muradov, Goncha M. Eyvazova. Featurs of electric properties of
nanocomposites on the basis of copper sulfide and polyvinyl alcohol. E-MRS Fall
meeting 2009, Poland. P.1
7. Mustafa B. Muradov, Goncha M. Eyvazova, Abel M. Maharramov. Process of
transformation nanoparticles cadmium of sulfide on copper of sulfide by the ionic
exchange. E-MRS Fall meeting 2009, Poland. P.2
8. Рустамов Ф.А. Н.Г. Дарвишов, Е.Ю. Боброва, Х. О. Гафарова. Люминесценция
пористого кремния полученного химическим травлением в высоокоомном Si p-
типа. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elni Konfrans, 2009, 30-
31 oktyabr, s. 248-249
9. Рустамов Ф.А. М.З. Мамедов, Н.Г. Дарвишов. Особенности формирования
пористого кремния в высокоомном p-Si ориентации (111) в растворе HF-
изопропиловый спирт. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elni
Konfrans, 2009, 30-31 oktyabr, s. 262-263
10. А.А.Аğasıyev, Ç.Q. Axundov, M.Z.Məmmədov, V.Х.Şərbətov, H.О.Qafarova.
Квантовые кристаллы, BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi-
Texniki konf. materialları, Bakı. 239-240, 2009, 30-31 oktyabr
11. Н.Н.Лебедева, В.И.Орбух, Е.Ю.Боброва,» Автоэлектронная эмиссия на
границе нанопористого природного цеолита с металлом. BDU-nun 90 illik
15
yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi-Texniki konf. Materialları. 30-31 оktyabr.
Bakı с.237-238
12. Т.З.Кулиева, Э.А.Агаева, Н.Р..Султанова, Влияние конфрмаций на
химическиe cдвиги в спектрах ЯМР в полиметиленовых циклических
органических соединениях. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq
Elmi-Texniki konf. materialları, Bakı 30-31 oktyabr, 2009, s. 174 - 175
13. Э.А.Агаева. Т.З.Кулиева, Р.М.Салимов, С.Р.Мирзабекова, Корреляция
протонных химических сдвигов метильных групп с электроотрицательностью
заместителей.. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi-Texniki
konf. materialları, Bakı 30-31 oktyabr, 2009, s. 177 - 178
14. İ.M.Əfəndiyeva, L.K.Abdullayeva, Ş.M.Qocayeva, M.H.Həsənov. Al
0.8
Ni
0.2
/n-Si
diodlarında potensial cəpərin hündürlüyünün müxtəlif üsullarla hesablanması. –BDU-
nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq konfransın materialları, səh. 240-241,
30-31 oktyabr, 2009.
15. В.Э. Багиев, М.А. Зарбалиев, В.Х. Шарбатов. Оптические переходы в TlGaSe
2
.
BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlхalq Elni Konfrans, Bakı, 30-31
oktyabr 2009, c. 225-227
16. М.А.Джафаров, Р.Ф.Мехтиев, С.А.Мамедова, Э.Ф.Насиров. Оптоэлектронные
свойства наноразмерных пленок CdSe
0,8
Te
0,2
для солнечных элементов. BDU-nun
90 illik yubileyinə həsr olunmuş beynəlxalq elmi konfransının materialları, 2009, Bakı,
səh.271-272.
17. И.Г.Пашаев, М.Г.Гасанов Р.Ф.Мехтиев М.Н.Агаев, Влияние термоотжига на
свойства избыточного тока для диодов Шоттки. BDU-nun 90 illik yubileyinə həsr
olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfrans, 30-31 oktyabr, 2009-cu il, səh. 227-228.
18. Ş.Q.Əsgərov, İ.Q.Paşayev, M.H.Həsənov Amorf və polikristal materiallar əsasında
hazırlanmış Şottki diodlarının parametrləri arasında korrelyasiya. BDU-nun 90 illik
yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfrans, 30-31 oktyabr, 2009-cu il, səh.
223-225.
19. Мурадов А. Х. «Измерение производных характеристик полупроводникового
зонда, помещенного в неоновую газоразрядную плазму». BDU-nun 90 illik
yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfrans, 30-31 oktyabr, 2009-cu il, səh. 251
- 253.
20. И.М. Эфендиева, Ш.Г. Аскеров, Л.К. Абдуллаева, Ш.М. Годжаева, Т.З.
Кулиева. Высота потенциального барера диода Шоттки Al-Ni/n-Si с аморфным
металлическим сплавом. Application of information and communication technologies
3 IEEE International conference, Baku, 14-16 Oktober, 2009
16
Əlavə 4
Xaricdə cap edilmiş məqalələr
1. U.Aydemir, Y.Safaq, Ş. Altındal, A.A. Ağasıyev. Frequency dependent electrical
characteristics of metal- ferroelectric- semiconductor (Au/SrTiO
3
/n-Si) structures. J.of
Optoelectronics and advanced materials-simposia, v.1, n3, 2009, p.258-261.
2. А.А.Агасиев, М.М.Панахов, С.Н.Сармасов. Влияние сегнетоэлектрической
подложки на проводимость полупроводниковой пленки. Физика и техника
полупроводников. 2009, т.43, в.2, стр. 201-203
3. А.А.Агасиев, Э.М. Магеррамов, Дж.Г. Джаббаров, М.З. Мамедов. Тепловое
расширение твердого тела. Нано- и микросистемная техника, №2(103), 2009, стр.
21-22.
4.
В.И.Орбух,
Н.Н.Лебедева,
Б.Г.Саламов,
«Влияние
поверхностной
проводимости полупроводникового электрода на распределение газоразрядного
тока», ФТП, 43, 10, 2009, 1329-1332
5. Eyvazova Q.M., Muradov M.B., Abdinov A.Sh., Hajimamedov R.H. Dielectric
Properties of Nanocomposites on the Basis of Copper Sulfide Nanoparticles and a
Polymer Matrix. Surface Engineering and Applied Electrochemistry, V. 45, No 2, 2009,
pp. 167-170
6. А.Ш. Абдинов, Ш.А. Аллахвердиев, Р.Ф. Бабаева, Р.М. Рзаев. Проводимость
высокоомных чистых и легированных РЗЭ кристаллов GaSe. Неорганические
материалы. Т. 45, № 7, 2009, с. 785-789.
Dostları ilə paylaş: |