6-mavzu: yarimo‘tkazgichlarda kontakt hodisalari yarimo‘tkazgich diodlar. Diodlar

6.9-rasm. a - GD tuzilmasi; b - elektr maydon kuchlanganligi; v - konsentratsiyaning taqsimlanishi

Shuning uchun stabil domen hosil bo‘lishi uchun domen hosil bo‘lish vaqti ^_Ф
domenning katoddan anodga uchib o‘tish vaqti ^Т ₀ ^{ L / }_ТУЙ dan kichik bo‘lmog‘i zarur. Anodga
yetgan domen so‘rilib ketadi. Shundan keyin ^ - qatlamda yangi domen hosil bo‘ladi va jarayon takrorlanadi. Domenlarning yo‘qolishi va yangisining hosil bo‘lishi diod qarshiligining o‘zgarishi

bilan davom etadi, natijada diod toki tebranishlari kuzatiladi.
^ _Ф ^{ T}₀ bo‘lganda diod toki

tebranishlari chastotasi
^{f  }_ТУЙ ^{/ L} ga teng, bu yerda
^ТУЙ
=10⁷ см/с, L – yarimo‘tkazgich

uzunligi. Diodning domenlar hosil qilib ishlash rejimi uchib o‘tish rejimi deb ataladi.
^{GD asosidagi generatorning sodda sxemasi 6.10-rasmda keltirilgan. Rezonator С}Э ^{sig‘imli, L}Э ^{induktivlikli va R}Э ^{qarshilikli ekvivalent kontur bilan almashtirilgan. Generator R}Э ^{ning kichik} qiymatlarida o‘z – o‘zini uyg‘otadi va uchib o‘tish rejimi amalga oshadi. Ushbu rejimda yuklamadagi quvvat domen hosil qiladi, diodning qolgan qismi passivdir. Shuning uchun diodning FIK bir necha foizdan oshmaydi.
6.10-rasm. Gann diodi asosidagi sodda generator sxemasi
GD asosidagi generatorning ko‘rib chiqilgan rejimi bir necha GGs chamasidagi chastotalar uchun o‘rinli bo‘lib, tranzistorlar asosidagi anchagina yuqori FIK ga ega bo‘lgan generatorlar bilan raqobatlasha olmaydi. 10 GGs dan yuqori chastotalarda GDlari hajmiy zaryad to‘planishini ^{chegaralash (XZTCH) rejimida ishlatiladi. Diod R}Э ^{qarshiligi katta rezonatorga joylashtiriladi.} Bunda statsionar domen hosil bo‘lmaydi va u diod anodiga yetguncha so‘nib ketadi. Generatsiyalanayotgan tebranshlar chastotasi rezonator chastotasi bilan aniqlanadi. XZTCH rejimida 160 GGs ni tashkil etuvchi ishchi chastotalarga erishiladi. GD asosidagi santimetrli diapazonda qayta generatsiyalovchi kuchaytir-gichlarning kuchaytirish koeffitsinti 6 - 10 dB, chiqish quvvati 1 Vt gacha va FIK 5 % gacha bo‘ladi. Ularning shovqin koeffitsiyenti maydonli tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlarning shovqin koeffitsiyentidan yuqori. Shuning uchun ular oraliq kuchaytirgich kaskadlarda ishlatiladilar.
Fotodiod deb bitta р-n o‘tishga ega bo‘lgan foto-elektr asbobga aytiladi. Fotodiod tashqi kuchlanish manbaili (fotodiodli rejim), hamda tashqi kuchlanish manbaisiz sxemalarga ulanishi mumkin. Tashqi kuchlanish manbai shunday ulanadiki, р-n o‘tish teskari siljigan bo‘lsin. ^{Yorug‘lik tushurilmaganda diod orqali juda kichik “qorong‘ulik” ekstraksiya toki I}0 ^{oqib o‘tadi va} u berilayotgan kuchlanishga bog‘liq bo‘lmaydi. N- baza sohasiga ta’qiqlangan zona kengligidan
ancha katta bo‘lgan ^h energiyali fotonlardan tashkil topgan yorug‘lik tushurilganda, elektron
– kovak juftliklar generatsiyalanadi. Agar juftliklar o‘tishdan diffuziya uzunligidan oshmaydigan oraliqda hosil bo‘lsalar, yorug‘lik ta’sirida generatsiyalangan kovaklar o‘tishning elektr maydoni ta’sirida ekstraksiyalanadilar va teskari tok uning “qorong‘ulik” qiymatiga nisbatan ortadi. ^{Yorug‘lik oqimi F qancha intensiv bo‘lsa, diod teskari toki I}F ^{qiymati shuncha katta bo‘ladi.}
6.11-rasmda turli yorug‘lik oqimi qiymatlaridagi fotodiod VAXsi keltirilgan. Yorug‘likning keng nurlanish chegaralarida fototok yorug‘lik oqimiga deyarli chiziqli bog‘liq bo‘ladi.

6.11-rasm. T turli yorug‘lik oqimi qiymatlaridagi fotodiod VAXsi

Proporsionallik koeffitsiyenti

К_Ф 