61
bilirlər (şəkil 4. 2)
Beləliklə, toxumların basdırılma dərinliyinin standart həna
şitillərinin alınmasına təsirinin öyrənilməsindən belə nəticəyə
gəldik ki, həm Şirvan
bölgəsində, həm də Gəncə - Qazax bölgə-
sində istixananın ləmələrində həna toxumlarının optimal
basdırılma dərinliyi 3,0 mm, istixananın torpağında və parnikdə
isə 4,0 mm - dir.
4. 4. Həna qələmlərinin əkilmə vəziyyətinin onlardan
alınan şitillərin yerüstü və yeraltı hissələrinin böyüməsinə
təsiri
Apardığımız təçrübələr göstərir ki, həna bitkisinin vegetativ
yolla (həm örtülü, həm də açıq şəraitdə) qələmlər (çiliklər)
vasitəsilə çoxaldılması mümkündür. Bundan başqa, həna
bitkisinin budaqlarını basdırmaqla da çoxaltmaq olar. Bu üsulla
çoxaltma adətən, çoxillik həna bitkiləri olan istixanalarda
aparılır. Həna bitkisi, odunlaşmış gövdələrindən hazırlanmış
qələmlərlə yanaşı, həmçinin yaşıl, yarım-odunlaşmış qələmləri
(çilikləri) ilə də çoxalır. Yarım-odunlaşmış qələmlərlə çoxaltma
payızda oktyabr ayında aparılır. Bu məqsədlə açıq sahədə
becərilən bitkilərin 3-5 - ci buğumarasından 8-10 sm uzun-
luğunda qələmlər kəsilib heteroauksin məhlulunda (1 litr suya
100 mq) 4 - 6 saat saxlandıqdan sonra əkilir. Belə məhlul
hazırlanıb təcrübədə istifadə edilən zaman temperaturu 25
0
C
dən yuxarı olmalıdır (124). Yuxarıda təsvir edilən qaydada
hazırladığımız qələmlər, istixananın ləmələrində torpaqdan, çay
qumundan və çürümüş peyindən 1:1:1 nisbətində hazırla-
dığımız substratlara (qida qarışığına) vurulmuşdur. Qələmlərin
yüksək kök verməsinə nail olmaq üçün vurulduqdan
(əkildikdən) sonra üstü kip şüşə və ya polietilen örtüklə
örtülmüşdür. Əks halda qələmlər üzərində rütubəti saxlamaq
olmur. Qələmlərin birinci göz tumurcuğu və ya uc tərəfindən