Elektronika mühazirələr

3.6.2.
İzolə olunmuş rəzəli sahə tranzistoru (MDY tranzistor).
Adi sahə
tranzistorlarından başqa rəzəsi yarımkeçiricidən izolə edilmiş sahə tranzistorları da
mövcuddur. Belə tranzistorlar xüsusən də, inteqral mikrosxemlərdə geniş tətbiq
olunurlar. Bu cür sahə tranzistorlarını başqa cür MDY (metal - dielektrik -
yarımkeçirici) tranzistorlar da adlandırırlar, çünki onlar metal - dielektrik -
yarımkeçirici struktura malikdirlər. Silisium sahə tranzistorlarında izolyator kimi
SiO
2
oksidi istifadə olunur. Belə cihazları MOY(metal – oksid – yarımkeçirici)
tranzistorlar adlandırırlar.
İzolə edilmiş idarəedici elektrodlu sahə tranzistorlarında rəzə keçirici
kanaldan kanal üzərində yetişdirilən izolə qatı (oksid qatı) ilə ayrılır və mənbə -
mənsəb cərəyanına ancaq özünün elektrik sahəsi ilə təsir edir. İdarəedici elektrod
keçirici kanaldan SiO
2
, SiO
2
-Al
2
O
3
, SiO
2
-Si
3
N
4
və s. kimi nazik (0,05 - 0,2 mkm)
dielektrik təbəqələri ilə izolə edilir. Dielektrik təbəqə kimi altlıq materialın
oksidindən istifadə olunduqda bu cür sahə tranzistorları metal - oksid -
yarımkeçirici (MOY) tranzistorlar adldlanır. İdarəedici elektrod, dielektrik təbəqəsi
və yarımkeçiricidəki cərəyan kanalı kondensator təşkil edir. Kanaldan axan
cərəyan bu kondensatora tətbiq olunmuş gərginliklə, başqa sözlə, idarəedici
elektrodla tranzistorun giriş elektrodu arasına verilən gərginliklə idarə edilir.
MDY-tranzistorlar iki tip olur: induksiya edilmiş və daxil edilmiş kanallı.
MDY- tranzistorun quruluşu şəkil 3. 21 - də göstərilmişdir. Mənbə və mənsəb (6)
əsas oblastları 4 oksid təbəqəsindən metallaşdırma yolu ilə deşiklərdən 1, 3
kontaktları ilə birləşmişdir. 4 təbəqəsinin üstünə rəzə funksiyasını yerinə yetirən
alüminium təbəqəsi tozlandırılmışdır. Rəzə - 2 dielektrik - 4 vasitəsilə
yarımkeçirici material -7 ilə kondensator əmələ gətirir.
Əgər rəzəyə (zatvora) (kondensatorun üst lövhəsinə) +U müsbət gərginlik
versək yükdaşıyıcıların konsentrasiyası artacaq. Onun vasitəsilə kanaldan keçən
cərəyanı tənzimləmək olar. Rəzədə mənfi gərginlik olduqda kanal kasıblaşmış
(yükləri) rolunu oynayacaq (cihazdan axan cərəyanı zəiflədəcək). Lakin qeyd
etmək lazımdır ki, bu gərginliyin böyük qiymətlərində yarımkeçiricinin səthindəki
təbəqənin inverslənməsi hesabına cərəyan arta bilər.
İzolə edilmiş rəzə tranzistorun giriş müqavimətini 10
14
Om - a qədər
artırmağa imkan verir. Bu cihazların çıxış müqaviməti 10 ... 100 kOm qədər olur.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---

Daxil edilmiş kanallı MDY tranzistorlar induksiyalı tranzistorlarla eyni
konstruksiyaya malikdirlər və iş prinsipinə görə də oxşardırlar.
Şəkil 3.22 – də müasir texnoloji üsullarla hazırlanan p-n –keçidli və MDY 
strukturlu sahə tranzistorlarının təsviri verilmişdir.
Şəkil 3.22. a) İdarə olunan p – n keçidinə malik sahə tranzistoru; 
b) MDY strukturuna malik tranzistor.
Sahə tranzistorlarını müxtəlif gücləndirici və çevirici açar sxemlərində,
həmçinin, bipolyar tranzistor əsasında qurulmuş çoxkaskadlı sxemlərdə
razılaşdırıcı elementlər kimi tətbiq edirlər. Eyni zamanda, azküylü
gücləndiricilərin giriş kaskadlarında (onların məxsusi küylərinin səviyyəsi 0,5 ... 1
dB) da tətbiq olunur. Sahə tranzistorlarındakı açar sxemləri bipolyar
tranzistorlardakından sadə və qənaətcildir. 
Sahə tranzistorlarının üstün cəhətləri onların böyük temperatur stabilliyinə,
sabit cərəyana görə böyük giriş müqavimətinə (idarəolunan p-n keçidli tranzistor
üçün 10
6
– 10
9
Om, izolə edilmiş idarəedici elektrodlu tranzistor üçün 10
9
– 10
15
Om) və yüksək texnoloji imkanlara malik olmasındadır. Sahə tranzistorları 1,5
Şək. 3.21. MDY – tranzistor:
1-mənbə(istok); 2 – rəzə(zatvor); 3 – mənsəb(stok); 4 – silisium oksidi təbəqəsi;
5 – induksiya edilmiş n- tip kanal; 6 – istok və stok oblastları; 7 – yarımkeçirici.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---

QHs və daha yüksək tezliklərdə işləyə bilir. Küylərin səviyyəsi digər yarımkeçirici
cihazlara nisbətən azdır. Sahə tranzistorlarının şərti-qrafiki işarələri şəkil 3.23 - də
göstərilmişdir.
Müxtəlif növ və müxtəlif markalı tranzistorların konstruktiv görünüşü
şəkil 3.24 - də verilmişdir.
Tranzistorların qrafiki işarələnməsi əlavə 1-də və ən geniş yayılmış müxtəlif
markalı tranzistorların əsas parametrləri əlavə 2-də verilmişdir.