Hochbewegliche zweidimensionale Lochsysteme in GaAs/AlGaAs

Literaturverzeichnis
131
[46] B. C. Cavenett, E. J. Pakulis: Optically detected cyclotron resonance in a
GaAs/Ga
0.67
Al
0.33
As superlattice, Phys. Rev. B 32(12), 8449–8451 Dec 1985.
[47] D. C. Tsui, Th. Englert, A. Y. Cho, A. C. Gossard: Observation of Magne-
tophonon Resonances in a Two-Dimensional Electronic System, Phys. Rev.
Lett. 44(5), 341–344 Feb 1980.
[48] C. Constantinescu, S. Nan: Faraday effect investigation on concentration and
temperature dependence of effective electron mass in n-type GaAs, Physica
Status Solidi (a) 18(1), 277–282 (1973).
[49] R A Stradling, R A Wood: The temperature dependence of the band-edge
effective masses of InSb, InAs and GaAs as deduced from magnetophonon
magnetoresistance measurements, Journal of Physics C: Solid State Physics
3(5), L94–L99 (1970).
[50] H. L. Stormer, Z. Schlesinger, A. Chang, D. C. Tsui, A. C. Gossard, W. Wieg-
mann: Energy Structure and Quantized Hall Effect of Two-Dimensional Holes,
Phys. Rev. Lett. 51(2), 126–129 Jul 1983.
[51] Z. Schlesinger, S. J. Allen, Y. Yafet, A. C. Gossard, W. Wiegmann: Cyclotron
resonance in the two-dimensional hole gas in (Ga,Al)As/GaAs heterostructu-
res, Phys. Rev. B 32(8), 5231–5236 Oct 1985.
[52] B. E. Cole, J. M. Chamberlain, M. Henini, T. Cheng, W. Batty, A. Witt-
lin, J. A. A. J. Perenboom, A. Ardavan, A. Polisski, J. Singleton: Cyclotron
resonance in ultra-low-hole-density narrow p-type GaAs/(Al,Ga)As quantum
wells, Phys. Rev. B 55(4), 2503–2511 Jan 1997.
[53] M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, R. de Picciotto, K. W. Baldwin: High
mobility two-dimensional hole system in GaAs/AlGaAs quantum wells grown
on (100) GaAs substrates, Applied Physics Letters 86(16), 162106 (2005).
[54] M. N. Khannanov, I. V. Kukushkin, S. I. Gubarev, J. Smet, K. von Klitzing,
W. Wegscheider, C. Gerl: Hole-Density Dependence of the Cyclotron Mass of
2D Holes in a GaAs(001) Quantum Well, JETP Letters 85(5), 294–297 March
2007.
[55] H. Zhu, K. Lai, D.C. Tsui, S.P. Bayrakci, N.P. Ong, M. Manfra, L. Pfeiffer,
K. West: Density and well width dependences of the effective mass of two-
dimensional holes in (100) GaAs quantum wells measured using cyclotron
resonance at microwave frequencies, Solid State Communications 141(9), 510
– 513 (2007).

---

132
Literaturverzeichnis
[56] A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, P. J. Stiles: Magneto-Oscillatory
Conductance in Silicon Surfaces, Phys. Rev. Lett. 16(20), 901–903 May 1966.
[57] F. F. Fang, A. B. Fowler, A. Hartstein: Effective mass and collision time of
(100) Si surface electrons, Phys. Rev. B 16(10), 4446–4454 Nov 1977.
[58] W. Hansen, T. P. Smith III, J. Piao, R. Beresford, W. I. Wang: Magnetore-
sistance measurements of doping symmetry and strain effects in GaSb-AlSb
quantum wells, Applied Physics Letters 56(1), 81–83 (1990).
[59] S. Elhamri, R. S. Newrock, D. B. Mast, M. Ahoujja, W. C. Mitchel, J. M.
Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn: Al
0.15
Ga
0.85
N/GaN heterostructures:
Effective mass and scattering times, Phys. Rev. B 57(3), 1374–1377 Jan 1998.
[60] P.T. Coleridge, M. Hayne, P. Zawadzki, A.S. Sachrajda: Effective masses in
high-mobility 2D electron gas structures, Surface Science 361-362, 560 – 563
(1996), Proceedings of the Eleventh International Conference on the Electronic
Properties of Two-Dimensional Systems.
[61] K. G. Günther, Zeitschrift für Naturforschung 13A, 1081 (1958).
[62] D. L. Smith: Thin-Film Deposition: Principles and Practice, international
edition Aufl., McGraw - Hill, New York, 1995.
[63] M. Reinwald: Herstellung und Charakterisierung von ferromagnetischen
(Ga,Mn)As auf der GaAs(001)- und (311)A-Oberfläche, Doktorarbeit, Uni-
versität Regensburg, 2005.
[64] Loren Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin: Electron mobilities
exceeding 10
7
cm
2
/Vs in modulation-doped GaAs, Applied Physics Letters
55(18), 1888–1890 (1989).
[65] F. A. Chambers, P. E. Chumbley, J. M. Meese, B. A. Vojak, G. W. Zajac,
T. H. Fleisch: The influence of gallium ingot cleaning procedures on the carbon
impurity level in molecular beam epitaxy GaAs, Journal of Vacuum Science
& Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 4(3), 806–807 (1986).
[66] Firma Veeco: MBE Components 2005 Product Guide, St. Paul, 2004.
[67] G. Biasiol, L. Sorba: Molecular Beam Epitaxy: Principles and Applications, in
R. Fornari, L. Sorba (Hrsg.): Crystal growth of materials for energy production
and energy-saving applications page 66, Pisa: ETS Ed, 2001.
[68] D 71263 Weil der Stadt DR. EBERL MBE-KOMPONENTEN GMBH.

---

Literaturverzeichnis
133
[69] Q. F. Huang, S. F. Yoon, K. H. Tan, Z. Z. Sun, R. Zhang, J. Jiang, L. H. Lee:
Carbon doping in GaAs using carbon tetrabromide in solid source molecular
beam epitaxy, Journal of Crystal Growth 252(1-3), 37 – 43 (2003).
[70] M. Pessa, K. Tappura, A. Ovtchinnikov: GaInAsP gas-source MBE technology,
Thin Solid Films 267(1-2), 99 – 105 (1995), Workshop on molecular beam
expitaxy-growth physics and technology.
[71] D. Reuter, A. D. Wieck, A. Fischer: A compact electron beam evaporator for
carbon doping in solid source molecular beam epitaxy, Review of Scientific
Instruments 70(8), 3435–3438 (1999).
[72] J. H. Neave, B. A. Joyce: Temperature range for growth of autoepitaxial GaAs
films by MBE, Journal of Crystal Growth 43(2), 204 – 208 (1978).
[73] J. H. Neave, B. A. Joyce: Structure and stoichiometry of 100 GaAs surfaces
during molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth 44(4), 387 – 397
(1978).
[74] H.
Morkoç,
T.
J.
Drummond,
R.
Fischer:
Interfacial
properties
of
(Al,Ga)As/GaAs structures: Effect of substrate temperature during growth
by molecular beam epitaxy, Journal of Applied Physics 53(2), 1030–1033
(1982).
[75] Loren Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, J. P. Eisenstein, K. W. Baldwin,
D. Gershoni, J. Spector: Formation of a high quality two-dimensional electron
gas on cleaved GaAs, Applied Physics Letters 56(17), 1697–1699 (1990).
[76] Zhou Junming, Huang Yi, Li Yongkang, Jia Wei Yi: Growth and properties
of AlGaAs/GaAs heterostructures on GaAs (110) surface, Journal of Crystal
Growth 81(1-4), 221 – 223 (1987).
[77] L. J. van der Pauw: A method of measuring the resistivity and Hall coeffi-
cient on lamellae of arbitrary shape, Philips Technical Review 20(8), 220–224
(1958/59).
[78] R. Held, T. Vancura, T. Heinzel, K. Ensslin, M. Holland, W. Wegscheider: In-
plane gates and nanostructures fabricated by direct oxidation of semiconductor
heterostructures with an atomic force microscope, Applied Physics Letters
73(2), 262–264 (1998).
[79] F. Fischer, M. Grayson: Influence of voltmeter impedance on quantum Hall
measurements, Journal of Applied Physics 98(1), 013710 (2005).

---