O. S. Rayimjonova M. G. Tillaboyev sh. U. Ergashev

Flash
) xotira keng qo‘llaniladi. U ham doimiy xotira 
kabi energiyaga bog‘liq emas.
Statik tipdagi operativ xotira. 
Statik tipdagi operativ xotirada element 
sifatida oddiy D-trigger zao‘elka qo‘llaniladi. 537RU10 mikrosxemada har bir 
xotira yacheykasi (YAP) 8-ta triggerdan tashkil topgan va yacheykalar kristalda 
to‘g‘ri burchakli matritsa ko‘rinishida joylashgan.
2.11.1-rasm. Statik tipdagi operativ xotira 

---

83 
Rasmda quyidagi belgilar ishlatilgan: n-adreslikirish yo‘llari (A0 .. An-1), 
DIO- sakkiz razryadli ikki yo‘nalishli mahlumotlar shinasi, OE-chiqishga ruxsat 
beruvchi kirish signali, CS- mikrosxemani tanlaydigan kirish yo‘li, WE-yozishga 
ruxsat beradigan kirish yo‘li. Oxirgi signallar WR/RD ko‘rinishida belgilanishi 
mumkin va u signalning past qiymatida baytni yozish va yuqori qiymatida o‘qish 
bajariladi. EO, DI, WR –ichki signallar bo‘lib, ular o‘qish/yozish/saqlash boshqarish 
bloki tomonidan ishlab chiqariladi.
Pastki rasmda mikrosxemaning ichki strukturasi keltirilgan. Undan asosiy 
rejimlarni va mikrosxemaning shartli grafik belgilinishini ko‘rish mumkin.
2.11.2-rasm. Mikrosxemaning ichki strukturasi 
Dinamik tipdagi operativ xotira. 
Xotira elementi sifatida integral 
mikrosxemadan iborat mikrokondensator ishlatiladi.
 
2.11.3-rasm. Dinamik tipdagi operativ xotira 

---

84 
Xotira elementlari kristalda 512 * 512 = 2
9
* 2
9 
matritsi ko‘rinishida 
joylashgan. Ular har biri 9-ta adresli kirish yo‘liga ega bo‘lgan chiziqli qator va satr 
deshifratorlari orqali boshqariladi. Agar satr/ustun signali R/C quyidagi S 
Multipleksor nolga teng bo‘lsa, unda A(0..8) = Y(0..8) bo‘ladi va mikrosxemaga 
qator adresi beriladi. R/C = 1 bo‘lganda Multipleksorning chiqishida A (9..17) 
ustunlar adresi beriladi.[7] 
2.11.4-rasm. Dinamik tipdagi operativ xotiraning vaqt diagrammasi