78
Shuni yodda tutish kerakki, MDYA tranzistorining to'yinganlik
rejimi
bipolyar tranzistorning to'yinganlik rejimidan tubdan farq qiladi. Maydoniy
tranzistorlardagi kalitlarda o’tish jarayonlari tashuvchilarni kanal orqali o'tkazish va
elektrodlararo sig’imlarni qayta zaryadlash, yuklama va montaj bilan bog'liq.
Elektronlarning tezkorligi teshiklarga qaraganda tezroq bo'lganligi sababli, n-kanalli
tranzistorlar p-kanallarga qaraganda yaxshiroq javob tezligiga ega.
Maydoniytranzistorlardagi kalit qurilmalar sxemasida ko'pincha umumiy
manba sxemasi qo'llaniladi, 2.10.3a-rasmda ko'rsatilgan.
Agar tranzistor yopiq
bo'lsa, u orqali nazoratsiz (dastlabki) stok toki oqadi. Tranzistor ochiq bo'lsa,
tranzistor orqali tok yuklama qarshiligining qiymati va manba kuchlanishi orqali
aniqlanishi kerak. Tranzistorni ochish uchun boshqaruv kuchlanishining amplitudasi
quyidagi shartlardan tanlanadi:
(2.10.4)
Bu erda, I
H
- yuklama toki, U
0
- chegara kuchlanish, S
0
- VAX xarakteristikasining
tikligi.
MDYA tranzistorlaridagi kalitlardagi o’tish jarayonlar 2.10.3-rasmda
ko'rsatilganidek sodir bo'ladi.
2.10.3-rasm. MT asosidagi kalitining kuchlanish diagrammalari
79
Birinchi bosqichda C
ZI
sig’imi zaryadlanadi va C
ZS
ni chegara kuchlanishiga
to'g'ri keladidagn. Bunday holda, tranzistor qulflangan bo'lib qoladi.
Ushbu
bosqichning davomiyligi:
(2.10.4)
Ikkinchi bosqichda tranzistor ochiladi va faol kuchaytirish rejimiga o'tadi.
Ushbu bosqichda C
ZS
ni qayta zaryadlash manfiy teskari aloqa (Miller effekti) ta'siri
tufayli sekinlashadi. 3-bosqichda zatvor kuchlanishi amalda o'zgarmas bo'lib qoladi.
C
ZS
sig'imini qayta zaryadlash oxirida zatvordagi
kuchlanish U
Umax
qiymatiga
oshadi. O'chirish teskari tartibda amalga oshiriladi.
MDYA tranzistorlaridagi kalitlarda o’tish jarayonlarning davomiyligini
hisoblash qulayligi uchun zaryad yoqish Q
Zvkl
parametridan
foydalanish tavsiya
etiladi. Misol uchun, Q
Zvkl
=20 nKl bo'lgan tranzistor 1mA oqim bilan 20 ms va 1A
oqim
bilan
20
ns
uchun
yoqilishi
mumkin.
Belgilangan
parametr
ma'lumotnomalarda keltirilgan va ishlab chiqaruvchi tomonidan eksperimental
tarzda aniqlanadi.
Kalit MDYA tranzistorlari stok istok kuchlanishining (dv/dt) o'zgarishining
maksimal ruxsat etilgan tezligi bilan tavsiflanadi. Agar bu qiymat oshib ketgan
bo'lsa, tranzistor oldindan aytib bo'lmaydigan natijalar bilan o'z-o'zidan ochilishi
mumkin. Ushbu cheklovning ikkita sababi bor:
Birinchidan, dU dt SI / ta'sirida kuchlanish U
SI
ni sig'imli bo'luvchi S
ZS
/S
ZI
orqali tranzistor zatvoriga o'tkazish. Tranzistor o'chirilganda U
SI
kuchlanishining
o'zgarishi natijasida yuzaga keladigan eshik kuchlanishining kattaligini quyidagi
formula bo'yicha aniqlash mumkin:
(2.10.4)
Shuni ham yodda tutish kerakki, U
0
qiymati harorat oshishi bilan kamayadi.
80
Ikkinchidan, MDYA tranzistorlarini ishlab chiqarish texnologiyasi parazit
bipolyar tranzistorning shakllanishiga olib keladi (2.1.5-rasm). Yuqorida
tavsiflangan mexanizmga o'xshash mexanizmning ta'siri
natijasida bu parazit
tranzistor o'z-o'zidan yoqilishi va buzilish rejimiga o'tishi mumkin.
2.10.5-rasm. MDYa tranzistoridagi parazit tuzilmalar
Ushbu ta'sirlarni bartaraf etish uchun ishlab chiqaruvchining tavsiyalariga
qat'iy rioya qilish va eshik pallasida nazorat signalining manbai minimal ichki
qarshilikka ega bo'lishi kerak.
Kommutatsiya quvvatini oshirish zarur bo'lsa, maydoniytranzistorlarning
parallel ulanishi mumkin (2.10.6-rasm).
2.10.6-rasm. PT ning parallel ulanishi sxemasi
Bunday holda, chegara kuchlanishlarining yaqin qiymatlari bo'lgan
tranzistorlardan foydalanish va o'chirilganda ("qo'ng'iroq")
tranzistorlarning bir-
81
biriga o'zaro ta'sirini kamaytirish uchun mo'ljallangan eshik pallasida qarshiliklarni
o'rnatish kerak.
Dostları ilə paylaş: