Kare dalga üreteçleri-multiVİbratörler
Negatif geribeslemenin sonuçları
Yüklə 345,81 Kb.
|
Negatif geribeslemenin sonuçları: 1- Frekans bozulmasının azaltılması: A>>1 olan bir yükselteçte geribeslemeli kazanç Af=1/’dır. Buradan, geribesleme devresinin tamamen dirnçlerden yapılmış olması halinde temel yükselteç kazancı frekansa bağlı olsa bile geribeslemeli kazancın frekansa bağlı olmadığı ortaya çıkar. Pratikte frekansa bağlı olarak değişen yükselteç kazancı nedeniyle ortaay çıkan frekans bozulması, negatif geribeslemeli bir yükselteç devresinde önemli ölçüde azalır. 2- Gürültü ve doğrusal olmayan bozulmanın azalması: Sinyal geribeslemesi gürültü sinyalinin (güç kaynağı vınlaması gibi) ve doğrusal olmayan bozulmanın miktarını azaltma eğilimi gösterir. (1+ A) faktörü, hem giriş gürültüsünü hem de doğrusal olmayan bozulmayı önemli ölçüde azaltarak belirgin bir iyileşme sağlar. Ancak toplam kazancın da azaldığını belirtmek gerekir (devrenin verimini artırmak için ödenen bedel ). Kazancı geribeslemesizdüzeye çıkarmak için ilave katların kullanılması halinde sisteme geribesleme yükseltecinin azalttığı kadar gürültü ekleneceği unutulmamalıdır. Daha yüksek bir kazanç ve daha az gürültü üretecek şekilde geribeslemeli yükselteç devresinin kazancını yeniden ayarlamak suretiyle bu problem bir ölçüde aşılabilir. 3- Kazanç ve band genişliği üzerinde etkisi: Negatif geribeslemeli toplam kazanç; 
Pratik bir yükselteçte (tekbir alçak ve yüksek frekans kesim noktasına sahip) aktif eleman ve devre kapasitanslarından dolayı yüksek frekanslarda açık çevrim kazancı düşmektedir. Kondansatörle bağlı yükselteç katlarında kazanç, alçak frekanslarda da düşebilir. Açık çevrim kazancı A, yeteri kadar azaldığı ve A çarpanı 1’den çok büyük olmadığı zaman Af=1/ ifadesi geçerliliğini yitirir. Aşağıdaki şekil hegatif geribeslemeli yükseltecin geribeslemesiz yükselteçten (B) daha büyük band genişliğine (Bf) sahip olduğunu göstermektedir.
Görüldüğü gibi üst 3 dB ferkansı için negatif geribeslemeli yükselteç devresinde kazanç düşük olduğu için band genişliği artmaktadır. 4- Geribeslemeli kazanç kararlılığı: Geribeslemeli yükseltecin kararlılığı ile geribeslemesiz olanın kararlılığı arasında nasıl bir ilişki olduğunu belirlemek de faydalı olacaktır. Geribesleme denkleminin türevi alınırsa; 
Bu, geribesleme kullanıldığı zaman kazançtakki değişmenin (dA), A çarpanı oranında azaldığını göstermektedir. ÖRNEK: Kazancı -1000 ve =-0.1 olan bir yükseltecin kazancı sıcaklığa bağlı olarak %20 değişiyorsa, geribeslemeli yükseltecin kaancındaki değişmeyi bulunuz. ÇÖZÜM: 
Böylece yükseltecin kazancı A=-1000’de %20 oranında değişirken, geribeslemeli kazanç yalnızca Af=-100’de %0.2 oranında değişmektedir. PRATİK GERİBESLEME DEVRELERİ: Bu aşamadan sonra geri besleme devreleri ait örnekleri BJT ve FET’li yükselteç devrelerinde inceliyeceğiz. FET’li seri-gerilim geribeslemesi: Aşağıda bir seri-gerilim geribeslemeli FET’li yükselteç devresi görülmektedir. Çıkış sinyalinin (Vo) bir kısmı, R1 ve R2 dirençlerinden oluşan bir geribesleme devresi kullanılarak girişe bağlanmıştır. Vf geribesleme gerilimi Vs kaynak gerilimi ile seri bağlanmıştır. ÖRNEK: Aşağıdaki devrede R1=80 k, R2=20 k, Ro=RD=10 k ve gm=4 mS olduğuna göre geribeslemesiz ve geri beslemeli kazançları hesaplayınız. 
Geri beslemesiz yükselteç kazancı: 
Çıkış direnci RL: 
= 10k // 10k//100k 5 k Geribesleme devresinin geribesleme faktörü: 
Geribesleme kazancı: 
741 ile Seri gerilim geri beslemeye Örnek Aşağıdaki şekil işlemsel yükselteç kullanan seri gerilim geribesleme bağlantısını göstermektedir. R1=1.8 k, R2=200 ve işlemsel yükseltecin kazancı A=-100000 olduğuna göre yükseltecin kazancını hesaplayınız.     
-10 BJT’li seri gerilim geribeslemesi: Aşağıdaki emetör izleyici (ortak kollektörlü) devrede seri gerilim geribeslemesi kullanılmıştır. Vo çıkış gerilimi aynı zamanda giriş gerilimine seri olarak geri beslenen gerilimdir. 
Geribeslemesiz durumda kazanç; 
Geribesleme parametresi: 
Geribeslemeli durumda kazanç; 
1 elde edilir BJT’li seri akım geri beslemesi: Diğer bir geri besleme tekniği de çıkış akımından (Io) örnek almak ve girişe seri olarak bağlamaktır. Seri akım geri beslemesi yükseltecin kazancını kararlı hale getirir, fakat giriş direncini artırır. Aşağıdaki BJT’li yükselteç devresinin emetörü köprülenmediği için geri besleme tipi seri akım geri beslemesidir. RE direncinden akan akım, uygulanan kaynak sinyalinin tersi yönünde bir geribesleme gerilimine neden olur, dolayısıyla Vo çıkış gerilimi azalır. Seri akım geribeslemesini ortadan kaldırmak için ya RE direnci kaldırılmalı ya da kondansatör ile köprülenmelidir.
Giriş ve çıkış empedansları: Zi= RB // hie hie=900 Zo= Rc=2.2 k Geribeslemeli durumda:
Gerilim kazancı: 
Giriş ve çıkış empedansları: 
Op-amp’lı paralel gerilim geribeslemesi: Aşağıda gösterilen sabit kazançlı işlemsel yükselteç devresi, paralel gerilim geribeslemesi sağlar. İdeal işlemsel yükselteç için Ii=0 ve Vi=0 ve Av= olduğundan; (a) (b) Şekil. (a) Paralel gerilim negatif geribeslemeli op-amp devresi, (b) eşdeğer devresi 
Geribeslemeli kazanç; 
Geribesleme gerilim akzancı: 
FET’li paralel gerilim geribeslemesi: Aşağıdaki devrede FET kullanan paralel gerilim geribeslemeli yükselteç devresi gösterilmektedir. 
Şekil. (a) FET’li paralel gerilim geribeslemeli yükselteç devresi, (b) eşdeğer devresi Geribesleme direnci bağlı değilken geribeslemesiz kazanç (Is=Ii), ortak kaynaklı devrenin kazancı ile direncinin çarpımına eşittir. Geribeslemesiz kazanç (DİKKAT: Gerilim kazancı değil)
Geribesleme faktörü; 
Geribesleme kazancı: 
Geribesleme gerilim kazancı: 
ÖRNEK: Yukarıdaki devrede gm=5 mS, RD=5.1 k, RF=20 k olduğuna göre geribeslemesiz ve geribeslemeli gerilim akançlarını hesaplayınız. ÇÖZÜM: Geribeslemesiz gerilim kazancı: 
Geribeslemeli durumda gerilim kazancı: 
8. OSİLATÖRLER DC gerilimi istenilen frekansta işaretlere dönüştüren devrelere osilatör denir. Diğer bir deyişle osilatörler ayarlandığı frekansta ya da sabit bir frekansta sürekli çıkış veren devrelerdir. Bazı kaynaklarda "salıngaç" olarak da isimlendirilmektedir. DC gerilim kaynakları ile beslenirler. Hatırlanacağı üzere, negatif geri beslemede çıkıştaki sinyalin bir kısmını "ters" çevirip tekrar yükseltecin girişine bağlıyorduk. Sonuçta daha az çıkış seviyesi ama daha az gürültü ve daha fazla bant genişliği elde ediyorduk. Pozitif geri beslemede ise çıkışın bir kısmını bu kez, girişle aynı fazda yani girişteki sinyali destekleyecek yönde veriyoruz. Bu şekildeki bir devrenin çıkışından sürekli bir gürültü elde ederiz. Yani çıkışta her türlü sinyal vardır. Eğer bir osilatör yapmak istersek devrenin çıkışına bir "rezonans devresi" koyup bu sinyallerden bir tanesini dışarı alır diğerlerini yok ederiz. Elde ettiğimiz bu tek frekansın bir kısmını pozitif geri besleme olarak yükseltecin girişine bağladığımızda bir osilatör elde ederiz. Bu bağlamda, bir osilatör devresi; osilasyonu başlatan rezonans devresi, yükselteç ve geribesleme katlarından oluşmaktadır. Temel osilatör devrelerinden sinüsoidal çıkış alınır. Fakat çıkışlarında kare, üçgen v.b dalga biçimleri elde edilebilen osilatör tasarımı da yapılabilir. Osilatörler; kullanım amaçları ve özelliklerine bağlı olarak çeşitli şekillerde tasarlanabilirler. Osilasyonun başlamasını sağlayan rezonans devreleri genellikle; R-C veya R-L pasif devre elemanlarında oluşur. Aşağıda popüler ve yaygın kullanım alanları bulunan bazı osilatör tipleri sıralanmıştır.
Bir osilatör devresinin oluşturulabilmesi için önce tank devresi (rezonans devresi) ve yükselteç devresine gereksinim vardır. Ayrıca osilasyonun sürekliliğini sağlamak için yükselteç devresinde pozitif geribesleme yapılmalıdır. 8.1 FAZ KAYDIRMALI RC OSİLATÖR Şekil 1’de ortak emiterli bir yükselteç devresi görülmektedir. Bu yükselteç devresini geliştirerek bir osilatör devresine dönüştürebiliriz. Ortak emiterli yükselteç devresinde;yükselteç girişine uygulanan işaret ile çıkışından alınan işaret arasında 1800 faz farkı olduğunu biliyoruz. Ortak emiterli yükselteç devresini bir osilatör haline dönüştürmek için; yükselteç çıkışından alınacak işaretin bir kısmı, pozitif geribesleme ile yükselteç girişine uygulanmalıdır. Bu osilasyonun sürekliliği için gereklidir. Osilasyonun başlaması ise R-C devreleri ile gerçekleştirilir. Osilasyon işlemi için bir kondansatörün şarj ve deşarj süresinden faydalanılır. 
Şekil 1. Ortak emetörlü yükselteç devresi Yükselteç çıkış gerilimini; girişe geri besleyerek osilasyon elde edebilmek için, çıkış işaretini 180o faz kaydırmak gerekmektedir. RC faz kaydırmalı osilatör devresinin temel prensibi bu şarta dayanmaktadır. Şekil 2’de RC faz kaydırmalı osilatör devresi verilmiştir. Devre dikkatlice incelendiğinde çıkış işaretinin bir kısmı RC geri besleme elemanları ile girişe geribeslenmiştir. Her bir RC hücresi; çıkış işaretinin bir kısmını 60o faz kaydırmaktadır. Çıkış ile giriş arasında 3 adet faz kaydırma devresi kullanılmıştır. Dolayısıyla çıkış işaretinin fazı 180o kaydırılarak girişe pozitif geribesleme yapılmıştır. 
Şekil 2. RC faz kaydırmalı osilatör devresi. Her bir RC devresinin 60o faz kaydırması istenirse R1=R2=Rg ve C1=C2=C3 olarak seçilmelidir. Rg, ortak emiterli yükseltecin giriş empedansıdır. Giriş empedansının R1 ve R2'ye eşit olması gerekmektedir. Bu koşullar sağlandığı zaman, çıkış işaretinin frekansı aşağıdaki formül yardımı ile bulunur. 
Osilasyonların genliği, geribesleme oranına ve yükseltecin kazancına bağlıdır. Geribesleme oranı seri RC devrelerinin toplam empedansına bağlıdır. Bu empedans arttıkça geribesleme oranı düşecek ve çıkış işaretinin (osilasyonun) genliği azalacaktır. Faz kaydırmalı osilatör devresinin tam bir şematiği Şekil 3’de verilmiştir. 
Şekil 3. RC faz kaydırmalı osilatör devresi. 8.1.1 İşlemsel Yükselteçli RC Osilatör Devresi: Entegre devreler RC osilatör devrelerinde de kullanılmaktadır. Şekil 4’deki devrede op-amp’ın çıkışı (sistem 1/29’luk zayıflatma sağlar) 180o’lik faz kaymasını sağlayan üç katlı RC devresini besler. Op-amp’ın kazancının 29’dan büyük olması sağlanarak (Ri ve Rf dirençleriyle) birden büyük bir çevrim kazancı elde edilir. 
Şekil 4. Op-amp’lı faz kaydırmalı RC osilatör devresi Burada osilatör frekansı: 
8.2 WİEN KÖPRÜLÜ OSİLATÖR 8.2.1 Wien köprüsü Wien köprüsü, endüstriyel elektronik devre uygulamalarında ve çeşitli endüstriyel cihazlarda sıklıkla kullanılmaktadır. En popüler ve yaygın kullanım alanı ise osilatör devrelerindedir. Şekil 5'de bir Wien köprü devresi görülmektedir. 
Şekil 5. Wien köprü devresi. 8.2.2 Wien köprülü osilatör Şekil-6'da görülen Wien Köprü Osilatörü devresidir. 
Şekil 6. Wien Köprülü osilatör devresi Q1 ve Q2 transistörleri ile oluşturulan her iki yükselteç katı bir evirmeyen yükselteç olarak görev yapar. P potansiyometresi osilatör çıkış gerilimi Vç'ın bir kısmının girişe geri beslenmesinde kullanılır. Wien köprü osilatörünün zayıflatma katsayısı yükselteç ile kompanze edilir. Osilatör devresindeki P direnci ayarlanarak, devrenin başlangıç osilasyonu kontrol edilir. Geribesleme tek bir frekansta oluşur. Başlangıç osilasyonunun ayarlanması ile, osilatör çıkışında sinüsoidal bir işaret elde edilir. Elde edilen bu işaretin frekansı ise devrede kullanılan R ve C elemanlarına bağlıdır. 8.2.3 Op-Amp’lı Wien Köprü osilatörü Şekil 7’deki Op-amp’lı Wien Köprü Osilatör devresinde frekansı belirleyen elemanlar R1, R2 dirençleri ile C1 ve C2 kondansatörleridir. R3 ve R4 dirençleri geribesleme yolunun bir parçasını oluştururlar. Yükseltecin çıkışı, a ve c noktalarında köprü girişi olarak bağlanmıştır. Köprü devresinin b ve d noktaları arasındaki çıkışı, op-amp’ın girişidir. Köprü devresinin analizi sonucunda; 
R1=R2 ve C1=C2=C olması durumunda; 
Şekil 7. Op-amp’lı Wien Köprü Osilatör Devresi ÖRNEK: Aşağıdaki Wien Köprü Osilatör devresinin rezonans frekansını hesaplayınız. 
ÇÖZÜM: 
8.2 LC OSİLATÖRLER: Devrede kullandığımız rezonans devresi bir bobin ve bir kondansatörden (LC) oluşmaktadır. Bu tür osilatörlere LC osilatör denir. LC osilatörlerin de türleri vardır. Şimdi bunların çok kullanılanların tek tek inceleyeceğiz. Burada bir açıklama yapayım. Yazımın bu bölümünde dünyada kullanılan tüm osilatör devrelerini değil bence sık kullanılanları inceleyeceğiz. Aşağıda en çok kullanılan üç osilatörün özelliklerini gösteren şekil görülmektedir. 
Yukarıdaki şekillerden de anlaşılacağı gibi Colpitts osilatör geri beslemesini kapasitif bir gerilim bölücüden almaktadır. Hartley osilatör geri beslemesini endüktif bir gerilim bölücüden almaktadır. Amstrong osilatör ise geri beslemesini ana sarım üzerine sarılmış birkaç turluk başka bir sarımdan almaktadır. Amstrong osilatördeki bu yapı aslında bir trafodur. 8.2.1 KOLPİTS OSİLATÖR Kolpits osilatörler bir çok uygulamada yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu osilatörlerin rezonans devresi (tank devresi) L ve C elemanlarından oluşmaktadır. Şekil 8'de devre şeması ayrıntılı olarak verilmiştir. Devrenin çalışmasını kısaca şöyledir Osilatör devresinde Q1 transistörü ortak beyzli bir yükselteç olarak çalışır. L1, C2 ve C3 rezonans devresi yük empedansıdır. Osilatör devresinin; empedansı ve amplifikasyonu rezonans frekansında yüksektir. Yükselteç çıkış işaretinin bir kısmı, emitere geri beslendiğinde; devre osilasyon yapmaya başlar. Geribeslemenin miktarı (oranı), C2 ve C3 kondansatörlerinin arasındaki oranla belirlenir. Geri besleme küçükse, emiter gerilimi gibi kollektör akımı da sinüsoidal formda olacaktır. 
Şekil 8. Kolpits osilatör devresi. 8.2.2 HARTLEY OSİLATÖR Şekil 9’da bir transistörlü Hartley osilatör devresi gösterilmiştir. 
Şekil 9. Transistörlü Hartlet osilatör devresi Bu devrenin osilatör frekansı:  ve 
8.3 KRİSTALLİ OSİLATÖRLER: Bir osilatör, bir alıcı yada verici sabit bir frekansta çalışacaksa yani çalıştığı frekansta az da olsa bir değişiklik olmayacaksa o zaman devredeki osilatörün kristalli olması en iyi yöntemdir. Kristal osilatörün ana parçası olan piezoelektrik kristal çoğunlukla kuvars madeninden yapılır. Kuvars, çeşitli büyüklüklerde kesilerek, yontularak çeşitli frekanslar için üretilir. Osilatör için üretilmiş bir kuvars yuvarlak vitamin haplarına yada küçük dikdörtgen prizmaya benzer. Bir kuvars kristaline basınç uygularsak iki kenarı arasında bir gerilim oluşturur. Kuvars benzeri maddelerle yapılmış çakmaklar buna bir örnektir. Tersi biçimde bir kuvars kristaline DC gerilim uygularsak bu kez de burkulur. Tersi bir gerilim uygularsak diğer yönde burkulur. AC bir gerilim uygularsak, uygulanan AC gerilimin frekansında her iki yöne burkulur yani titreşir. Uygulanan AC gerilimim frekansı, kristalin bir kesim özelliği olan rezonans frekansında ise o zaman en büyük titreşim elde edilir. Kristalin sembolü aşağıda verilmektedir.
Yukarıda anlatıldığı gibi kristalin hareketleri mekaniktir. Bu mekanik hareketi sağlayan kristalin elektriksel modeli ise aşağıdaki şekildedir. 
Elektriksel modelin sol tarafı bir seri rezonans devresidir. Bu seri kısım kristalin hiç bir bağlantı ucu olmayan halini temsil eder. Sağ taraftaki Cj ise kristalin bağlantı elektrotları ve elektrotları elektronik devreye bağlayan bağlantı telleri arasındaki kapasiteyi temsil eder. Piezoelektrik kristallerin Q değerleri çok yüksek olur tipik bir değer olarak 20000 diyebiliriz. Bu devrede L ve C kristalin rezonans frekansını belirler. R direnci ise kristalin mekanik salınımına yaptığı direnmedir. R direnci ihmal edilirse seri kısmın rezonans frekansı; 
Sağ tarafta seri rezonans devresine paralel bir Cj kondansatörü var. Bu kondansatörün değeri seri rezonans kısmındaki kondansatörden çok büyüktür. Bir örnek verecek olursak, tipik bir kristalde C=0,025pf ve Cj=3,5pf gibi. Bu durumda kristalin paralel devre olarak rezonans frekansı; 
Paralel rezonansta oluşan frekans, seri rezonansta oluşan frekanstan biraz daha yüksektir. Tipik olarak seri rezonans frekansı paralel rezonans frekansının 0,9 daha düşüğüdür. Kristali paralel rezonansta çalıştırmanın bir avantajı vardır. Cj kondansatörü kristalin bağlantıları ile ilgili olduğu için kristale dışarıdan ayarlı bir kondansatör takarak (trimer kondansatör) frekansı çok az aşağı ya da yukarı çekmek mümkündür. Bu değişim çok fazla olmamak koşulu ile ince ayar için çokça kullanılır. Kristal bir kütleye sahiptir. Bu nedenle ısındığı yada soğuduğu zaman hacmi dolaysıyla frekansı değişir. Bu değişim az olmasına rağmen hassas devrelerde istenmez. Isıya bağlı frekans kaymasını önlemek için kristaller sabit ısıda çalıştırılır. Sabit ısı, içinde kristal ve termostatlı ısıtıcı bulunan küçük fırınlarla (crystal owen) sağlanır.
Aşağıdaki BJT’li devrede de, kristal seri rezonans devresi olarak çalışmaktadır. Dikkat edilirse kristal, devreye seri geri besleme elemanı olarak bağlanmıştır. Kristal rezonans frekansında minimum empedans gösterecek ve maksimum geri besleme yapacaktır. R1 ve R2 dirençleri gerilim bölücü olarak kararlı bir DC öngerilim devresi oluşturur. Kristal empedansı minimum olduğu zaman (seri rezonans modunda) kollektörden baza gerilim geribeslemesi maksimumdur. C1 kuplaj kondansatörü büyük değerli örneğin 10 nF gibi seçilir. Çalışma frekansında C1’in empedansı ihmal edilebilecek kadar küçüktür ve kollektör ile baz arasında DC bloklama sağlar. RFC (radyo frekans bobini) ise büyük değerli çok turlu bir bobin olup DC ön gerilim sağlar ve yüksek frekanslı sinyalleri güç kaynağından izole eder. Aşağıdaki devre "Kristal Kontrollü Pierce Osilatörü" olarak bilinir. Devrenin osilasyon frekansı, kristalin seri rezonans frekansıyla belirlenir.
Aşağıdaki devrede FET’li devrede, kristal paralel rezonans devresi olarak çalıştırılır. Bu durumda kristal çok yüksek empedans gösterecektir. FET transistörün akaç tarafındaki LC devresi, kristalin paralel rezonans frekansına yakın bir değere ayarlanır. 
Bir kristalin, paralel rezonansta empedansı maximum olduğu için aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi devreye paralel bağlanır. Paralel rezonans frekansında kristal 'in empedansı yüksek olduğu için üzerindeki gerilim düşümüde maximum olur. 
Paralel Rezonans Devresi Olarak Çalışan Kristal Kontrollü Osilatör Devresi 8.3.2 Op-Amp’lı kristal osilatör Düşük frekanslarda kristal osilatörlere bir örnek olarak işlemsel yükselteçli aşağıdaki devreyi verebiliriz. Bu devrede kristal, geri besleme yoluna seri bağlanmıştır. Dolayısıyla kristal, seri rezonans frekansında çalışır. Bu devrenin çıkışından kare dalga alınır. Tam olarak zener geriliminde çıkış genliğini sağlamak için çıkışa bir çift zener bağlanmıştır. 
OP-AMP 'lı Kristal Kontrollü Osilatör Devresi 8.3.3 Overtone piezoelektrik kristal Bir kristal osilatörün kesim biçimi, kristalin çalışma frekansı ile doğrudan ilişkilidir. Bundan dolayı kristaller iki tür kesilerek üretilirler. Birincisi ana frekans üreten kristaller. Bu tür kristaller genel olarak en çok 50 MHz´e kadar yapılır. İkincisi ise ana frekansının üzerinde çalışan kristaller (over tone). Over tone kristaller en az 50 MHz ya da daha üzeri frekansta çalışacak şekilde üretilir. Over tone kristaller, ana frekansta çalışan bir kristalin kalınlığından daha fazla kalınlığa sahiptir. Örneğin 20 MHz´de çalışan bir kristal 1mm kalınlığında olsun. 30 MHz overton çalışan bir kristal en ve boyu sabit kalmak üzere 3mm kalınlığa sahiptir. Yüksek frekansta çalışan ana frekansa sahip kristal üretilmemektedir. Bunun nedeni, kristalin kalınlığının çok incelmesinden oluşan üretim güçlükleridir. Bu kristallerin bir özelliği de ana frekansın hep tek katı (3, 5 gibi) frekans üretmeleridir. Overtone kristallerin dezvantajı olarak; osilatör devrelerinde ana frekansı bastırmak için filtreler gerektirir. Ayrıca daha düşük Q değerlerine sahiptirler. Yüklə 345,81 Kb. Dostları ilə paylaş:
|
