Mavzu: Yarim o‘tkazgichli diod va uning turlari

---

MAVZU: YARIM
O‘TKAZGICHLI DIOD VA
UNING TURLARI

---

REJA:
A) YARIM O‘TKAZGICHLI DIOD
HAQIDA TUSHUNCHA.
B) YARIM O‘TKAZGICHLI TRIOD, 
BIPOLYAR TRANZISTORLAR.
V) BIPOLYAR TRANZISTORLAR.

---

---

•
Yarim o‘tkazgichli diod (YO’D) ikki
elektrodli qurilma bo‘lib, uning ishlashi n-p 
o‘tishni elektrik xususiyatlarga, yoki metal 
yarim o‘tkazuvchi kontaktini ishlatilishiga
asoslangan. Bu xususiyatlarga quyidagilar
kiradi: bir tomonlama o‘tkauvchanlik, volt-
amper tavsifini nochiziqligi, volt-amperli
tavsifini manfiy qarshilikka ega bo‘lagi
mavjudligi, elektrli buzilishda teskar tokni
keskin oshib ketishi, n-p o‘tishni sig‘imi
mavjudligi N-p o‘tishni qaysi xususiyatlari
ishlatilishiga bog‘liq xolda yarim
o‘tkazuvchi diodlar to‘g‘irlash, detektrlash, 
o‘zgartirish, elektr tebranishlarni
generatsiyalash shuningdek o‘zgarmas tok
zanjirlarida kuchlanishni stabillash va
o‘zgsharuvchan reaktiv elementlari sifatida
qo‘llash mumkin.

---

•
Ko‘p holatlarda YO’D simmetrik n-p o‘tishdan farq qilishi shundaki, diodning
p-xududiga (nosimmetrik n-p-o‘tish) qaraganda, n-xududi ancha ko‘p
miqdorda aralashmalarga ega, ya’ni N
n
>>N
p
. Bunday holatda p-xududi
diod bazasi deb nomlanadi. Bunday o‘tishga teskari kuchlanish berilganda
to‘yinish toki bazan n-xududiga faqat teshiklar oqimidan iborat bo‘ladi va
simmetrik o‘tish uchun qaraganda kam miqdorga ega bo‘ladi. To‘g‘ri
kuchlanish berilganda to‘g‘ri tok xam n-xududidan bazaga to‘liq teshiklar
oqimidan iborat bo‘ladi va endi uncha katta bo‘lmagan to‘g‘ri
kuchlanishlarda eksponensial shaklida oshib boradi (n-p o‘tishni volt-amper
tavsifini tenglamasi quyidagi ko‘rinishga ega bo‘ladi:

---

)
1
(
0



u
e
I
I
Diod tayyorlanadigan kerakli materialni tanlash,
n-p
o‘tishni tayyorlash texnologiyasi va
diodni
konstruksiyasi yordamida bu talablar qondirilishi
mumkin.
Shularga
qarab
YO’Dlar
qator
asosiy
tipik
guruhlarga
bo‘linadi:
a)
vazifalarni
bajarish
bo‘yicha (to‘g‘rilovchilar,
detektorlaydiganlar, varikaplar va boshqa);
b) chastotali xususiyatlari
bo‘yicha (past va yuqori
chastotali, SVCH-
o‘ta yuqori chastotali);
v) tuzilishi
bo‘yicha (yassi, nuqtaviy);
g) birlamchi material
bo‘yicha (grmaniyli, kremniyli,
arsenid-galliyi va x.k).
Bundan tashqari, elektrik parametrlarga qarab bir
guruh ichida YODlar
bo‘linishlari mumkin.

---

•
Asosiy va qo‘shimcha o‘quv adabiyotlar hamda axborot manba’lari 
•
Asosiy adabiyotlar
•
Simon M. Sze, Ming-Kwei Lee, Semiconduktor Devices Phusics and Technolgy,2012,JOHN WILEY & SONS,INC., AQSH.
•
Sze S.M.,Lee M.K.. Semiconductor Devices. Phusics and Technolgy. 3
th
. John Wiley & Sons, inc.,USA, 2012. 
•
Aripov X.K., Abdullayev A.M., Bustanov X.X. (va boshq.); O‘zR OO‘MTV. – Toshkent: O‘zbekiston faylasuflari nashriyoti,2012-400b.
•
Akbarov, G‘ofur Akbarovich. O‘zgarmas tok elektr yuritmasi uchun ventilli o‘zgartgich: o‘quv qo‘ll.:[“Elektronika va mikroelektronika”, 
“Avtomatlishtirish va boshq.” bakalavr. ta'lim yo‘nal. uchun] / G‘.A.Akbarov, Sh.Sh.Shaislomov; O‘zR OO‘MTV, TDTU. – Toshkent,2010.-68
•
Qo‘shimcha adabiyotlar.
•
O‘zbekiston Respublikasi Prezidentining 2017 yil 7-fevraldagi PF-4947-son “O‘zbekiston Respublikasini yanada rivojlantirish bo‘yicha
Harakatlar strategiyasi to‘g‘risida”gi farmoni.
•
Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И.. Аналоговая и цифровая элетроника: Учебник для вузов. –М.:Горячая линия –Телеком,2003.
•
Ефимов И.Е.,Козыр И.Я.Основы микроэлектроники.СПб.:Лань,2008.
•
Бориссенко В.Е.Воробьева А.И. Наноэлектроника. Нанотехнология.Часть 8.Минск.:БГУИР.2003.
•
Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М.: ФИЗМАТЛИТ,2007.
•
Пул Ч., Оуенс Ф. Нанотехнологии. –М.: Техносфера,2007.
•
Ратнер М., Ратнер Д. Нанотехнология. Простое обьяснение очередной гениальной идеи. –М.:Вилямс,2004
.
•
•
Axborot manbaalari
•
www.lex.uz
– O‘zbekiston Respublikasi Qonun hujjatlari ma’lumotlari milliy bazasi.
•
www.ziyonet.uz
– O‘zbekiston Respublikasi ta’lim portali.
•
www.radiotech.by.ru
•
www.radio.ru
•
www.electronic.ru