Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti nukus filliali raqamli qurilmalarni loyihalashga kirish fani bo

Integral sxema

Integral sxema (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va oʻta zich joylashtirilgan boʻladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. I. s. quyidagi xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha — yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha — raqamli va analog sxemalar; IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi) boʻyicha — kichik (N< 102)? oʻrta (N = 102 — —103), katta {N= W— 104) va juda katta (N> 104) sxemalarga boʻlinadi. I. s. elektron hisoblash mashinalari, nazorat-oʻlchash apparatlari, aloqa texnikasi va b. sohalarda qoʻllaniladi.

5
1-Raqamli integral sxemalar.
Integral mikrosxema (IMS) – bu o`zaro bog`langan bir necha tranzistorlar, diodlar, kondensatorlar. Rezistorlar yig`indisi hisoblanadi va u yagona texnologik siklda tayyorlanib (yani bir paytda), elektr signallarini o`zgartirishda ma`lum funksiyalarni bajaradi.
IMS tarkibiga kirgan komponentlar undan mustaqil ajratib olinishi va mustaqil buyum sifatida ishlatilishi mumkin emas. Ular integral elementlar deb ataladi. Ulardan farqli o`laroq ularga konstruktiv moslashtirilgan detal va qurilmalar diskret komponentlar deb ataladi. Ular asosida tuzilgan bloklar esa diskret sxemalar deb ataladi.
Yuqori puhtalik va sifat, ihchamlik, engillik, arzonlik integral mikrosxemalarini halq ho`jaligini barcha sohalarida keng qo`llanilishga sabab bo`lmoqda. Zamonaviy mikroelektrotexnika asosini yarimo`tkazgichli integral mikrosxemnalar tashkil etmoqda. Zamonaviy yarimo`tkazgichli IMS kristtallarini o`lchamlari 1,5x1,5 dan 6x6 mm gacha.
Kristall maydoni qancha katta bo`lsa unga shuncha ko`p elementli integral mikrosxemani joylashtirish mumkin bo`ladi.
Integral mikrosxemalarida tranzistorlarni ma`lum ulanishlar asosida rezistor va kondensator hosil qilish mumkin.
Yarimo`tkazgichli IMS larni hususiyati shundan iboratki ularni elementlari orasida induktivlik g`altagi yo`q, chunki shu paytgacha qattiq jismlarda elektromagnit induksiyasiga ekvivalent bo`lgan fizik hodisa olish imkoniyati bo`lmagan.