Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali kompyuter injiniringi fakulteti II bosqich ki-11-18-guruh talabasi bajargan

• Gibridli IMSlardagi elektron qurilmalarning, yig'ish zichligi 1 sm 2 ga 60 – 100 tagacha elementni tashkil qilishi mumkin.

•Yarimo’tkazgichli IMSni tayyorlash uchun legirlangan yarimo’tkazgichlarda izolatsiyalangan qismlar hosil qilish kerak. Izolatsiyalangan qismlarni n-tipli kremniyda vujudga keltirish texnologik operatsiyasi ketma-ketligi:

Xulosa: Mazkur mustaqi;l ishini bajarish mobaynida integral mikrosxemalar haqida bilib olib, ularning aktiv va passiv elementlari haqida tushunchaga ega bo’ldim.

• Xulosa: Mazkur mustaqi;l ishini bajarish mobaynida integral mikrosxemalar haqida bilib olib, ularning aktiv va passiv elementlari haqida tushunchaga ega bo’ldim.
• Foydalanilgan adabiyotlar:
• “ELEKTRONIKA VA SXEMOTEXNIKA” - SAYDUMAROV I.M., SHUKUROVA S.M
• www.aim.uz
• www.ziyouz.com