Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali kompyuter injiniringi fakulteti II bosqich ki-11-18-guruh talabasi bajargan

• Yarimo’tkazgichli IMSlarning elementlari yarimo’tkazgich kristalining sirti yoki hajmida joylashadi. Ularning har biri yarimo’tkazgichning ma’lum sohasini egallaydi va mustaqil element – diod, tranzistor, rezistor, kondensator va boshqalar bo’lib xizmat qiladi.

• Yarimo’tkazgichli IMSlarning elementlari yarimo’tkazgich kristalining sirti yoki hajmida joylashadi. Ularning har biri yarimo’tkazgichning ma’lum sohasini egallaydi va mustaqil element – diod, tranzistor, rezistor, kondensator va boshqalar bo’lib xizmat qiladi.

• Yarimo’tkazgichli IMSlarning elementlarini yasash murakkab texnologik jarayon bo’lib, ularning turlari xilma-xildir. Barcha jarayonlarning negizini tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya’ni barcha aktiv va passiv elementlar tranzistor asosida hosil qilinadi. Asos tranzistor vazifasini bipolyar va unipolyar tranzistorlar bajaradi.

• Yarimo’tkazgichli IMSlarning elementlarini yasash murakkab texnologik jarayon bo’lib, ularning turlari xilma-xildir. Barcha jarayonlarning negizini tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya’ni barcha aktiv va passiv elementlar tranzistor asosida hosil qilinadi. Asos tranzistor vazifasini bipolyar va unipolyar tranzistorlar bajaradi.

• Tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarni yasashda uning har ikki formulasi p-n-p va n-p-n dan foydalaniladi. Ulardam n-p-n turi eng ko’p tarqalgan. Elektrod kalit vazifasida ishlatiladi. Ular juda kichik toklarda ishlaydi va o’ta tezkor qurilma hisoblanadi.

• Tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarni yasashda uning har ikki formulasi p-n-p va n-p-n dan foydalaniladi. Ulardam n-p-n turi eng ko’p tarqalgan. Elektrod kalit vazifasida ishlatiladi. Ular juda kichik toklarda ishlaydi va o’ta tezkor qurilma hisoblanadi.

• Diodlar. Odatda diod yasash uchun bitta p-n o’tish yetarli bo’ladi. Lekin IMSlarda tranzistor tarkibi asos qilib olinganligi uchun u bipolyar tranzistorning o’tishlari orqali yaratiladi.

• Gibridli IMSlardagi elektron qurilmalarning, yig'ish zichligi 1 sm 2 ga 60 – 100 tagacha elementni tashkil qilishi mumkin.