6-mavzu: yarimo‘tkazgichlarda kontakt hodisalari yarimo‘tkazgich diodlar. Diodlar

Gann diodlari (GD) – bir jinsli yarimo‘tkazgichda Gann effekti hisobiga MDQka ega yarimo‘tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga ulangan GD O‘YUChli garmonik tebranilar generatsiyalashga qodir.
Diod uzunligi 10^-2÷10^-3 smli bir jinsli yarimo‘tkazgich plastinadan iborat. Plastinanig qarma –qarshi tomonlarida katod K va anod A deb ataluvchi metall kontaktlar hosil qilinadi. Gann diodlarini hosil qilish uchun n – turli GaAs, InSb, InAs va InP kabi birikmalardan foydalaniladi. Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi kontaktlariga kuchlanganligi 3∙10³ V/smga yaqin elektr maydon hosil qiluvchi doimiy kuchlanish berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha bo‘lgan elektr tebranishlar hosil bo‘ladi. Elektr tebranishlar quvvati 10 ÷ 15 Vt gacha bo‘ladi, diodning FIKi esа 10÷12 % ni tashkil etadi.
GD asosidagi generatorning 10 GGs chastotadagi maksimal quvvati 2 Vtga yaqin (FIK

9÷15%). Chastota ortishi bilan u
1/ f 2
qonun bo‘yicha kamayib boradi. Bunday natijalar

nobarqaror hajmiy zaryad sohasi rejimida olingan.
GDlari ko‘chma radiolokatorlarda, aloqa tizimlarida, shuningdek mantiqiy elementlar sifatida va boshqa qurilmalarda keng qo‘llaniladi.
Bir jinsli, n – turli GaAs va InP kristallarida Gann effekti asosini vohalararo o‘tish deb ataluvchi davriy tok impulslari hosil bo‘lishiga olib keluvchi o‘tish tashkil etadi. Qutbli yarimo‘tkazgichlarda o‘tkazuvchanlik zonasi energiyalar oralig‘i bilan bir – biridan ajratilgan bir nechta minimumga yoki “vohaga” ega. Soddalashtirish uchun, o‘tkazuvchanlik zonasi bosh voha ^{1 va ekvivalent voha 2 dan iborat deb hisoblanadi (19.4-rasm). GaAs uchun ∆W}1^{=0,36 эВ,
∆W}g^{=1,43 эВ.}