Azərbaycan respublikasi təHSİl naziRLİYİ sumqayit döVLƏt universiteti Əlyazması hüququnda

Dissertasiya işinin məqsədi laylı yarımkeçirici gallium seleniddə stimullaşdırılmış elektrik keçiriciliyinin və müxtəlif növ elektrik dayanıqsızlıqlarını kompleks şəkildə təcrübi tədqiq etməklə həmin materialda bu hadisələrin mexanizminin müəyyənləşdirilməsi, həmçinin bərk cisim fizikası və bərk cisim elektronikasında bu materialın praktiki tətbiq imkanlarının üzə çıxarılmasıdır.

İşin elmi yeniliyi ondan ibarətdir ki:

- təcrübi olaraq induksiyalanmış aşqar fotokeçiricilik, injeksiya ilə induksiyalanmış aşqar deşilmə, cərəyanın inyeksiya ilə induksiyalanmış aşqar deşilmə və temperatur-elektrik dayanıqsızlığı ilə şərtlənən aşağı tezlikli rəqsləri müxtəlif təsirlərdən - temperaturdan, işığın və elektrik sahəsinin intensivliyindən asılı olaraq kompleks şəkildə öyrənilmişdir;

- rekombinasiya və dreyf xarakterli potensial baryerlərı olan məkanca qeyri-bircins yarımkeçiricilərdə induksiya olunmuş aşqar keçiriciliyin və injeksiya ilə induksiya olunmuş aşqar deşilmənin xüsusiyyətləri aşkar edilmişdir;

- müvafiq olaraq baryer modelinin və donor-akseptor cütlərinin qarşılıqlı təsiri cəlb edilməklə aşqar deşilmə və temperatur-elektrik dayanıqsızlığı ilə şərtlənən artıq qatışıq halqayla və maneəli modelin cəlb edilməsi və nəticəsində cərəyanın aşağı tezlik rəqsləri üçün məlum modellər təkmilləşdirilmişdir.