Elmi ƏSƏRLƏR, 2016, №3 (77) nakhchivan state university. Scientific works, 2016, №3 (77)

 

19 

 

ABSTRACT 

 

STRUCTURAL ASPECTS OF POLYMORPHIC TRANSİTİONS IN Cu

2

Se 

Single  of  Cu

2

Se  composition  have  been  synthesized  and  grovn.Structural  phase 

transitions in single crystals of the specified compositions are investigated by high-temperature 

X-ray  diffraction  method;  it  is  shown  that  an  orthorhombic  modification  in  Cu

2

Se  transits  into 

the dcc modification at 407K. 

 

Dependence  of  density  of  orthorhombic  and  fcc-modifications  calculated  from  the  lattice 

parameters has shown that the density at the temperature of modification equilibrium (T

0

 = 407 K) 

changes unevenly to 0.062 g/cm

3

. 

Minor  change  in  the  density  of  modifications  made  it  possible  to  obtain  single  crystals  of  low-

temperature orthorhombic modification. 

 

РЕЗЮМЕ 

 

СТРУКТУРНЫЕ  АСПЕКТЫ  ПОЛИМОРФНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ  В  Сu

2

Se. 

Синтезированы и выращены монокристаллы состава Сu

2

Se. Высокотемпературным 

рентгенодифрактометрическим  методом    исследовались  структурные  фазовые 

превращения  в  монокристаллов  указанных  состав  и  показоно  что  в  Сu

2

Se 

орторомбическая модификация при 407K  превращается в ГЦКмодификацию.  

 

Зависимость  плотностей  орторомбической  и  ГЦК-модификаций,  рассчитанная  из 

параметров решетки, показала, что плотность при температуре равновесия модификаций 

(Т

0

  =  407  К)  изменяется  скачком  на  0,062  г/см

3

.  Незначительное  изменение  плотности 

модификаций  дало  возможность  получить  монокристаллы  низкотемпературной 

орторомбической модификации 

        

 

 

NDU-nun Elmi Şurasının 25 may 2016-cı il tarixli qərarı ilə çapa tövsiyə 

olunmuşdur (protokol № 10) 

         Məqaləni  çapa  təqdim  etdi:  Fizika  üzrə  fəlsəfə  doktoru,  dosent  

E.Ağayev 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---

 

20 

 

NAXÇIVAN DÖVLƏT UNİVERSİTETİ.  ELMİ ƏSƏRLƏR,  2016,  № 3 (77) 

 

NAKHCHIVAN STATE UNIVERSITY.  SCIENTIFIC WORKS,  2016,  № 3 (77) 

 

НАХЧЫВАНСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ  УНИВЕРСИТЕТ.  НАУЧНЫЕ  ТРУДЫ,  2016,  № 3 (77) 

 

                                                                                                

   XANƏLİ HƏSƏNOV 

                                                                                                  LEYLA CƏFƏRLİ 

Naxçıvan Dövlət Universiteti 

UOT 621. 315. 592 

 

GÜCLÜ MAQNİT SAHƏSİNDƏ QIRAQ YÜKLÜ DİSLOKASİYALI 

YARIMKEÇİRİCİLƏRDƏ DEŞİKLƏRİN TUTULMASI 

 

Açar sözlər: yarımkeçirici, dislokasiya, rekombinasiya, deşik 

Keywords: semiconductor, dislocation, recombination, hole  

Ключевые слова: полупроводник, дислокация, рекомбинация, дырка 

 

  

 İşdə  kənar  yüklü  dislokasiyalı  yarımkeçiricilərdə  elektronların  və  deşiklərin  rekombinasi-

yasına baxılaraq elektron-deşik cütünün yaşama müddətinin artıq yükdaşıyıcıların konsentrasiyasın-

dan asılılığı alınmışdır. 

Son illərdə elektronoikanın sürəti inkişafı yarımkeçiricilərdə xarici elektromaqnit sahəsində 

rekombinasiya proseslərinin tədqiqi zərurətini ön plana çəkmişdir. Yarımkeçiricilərdə elektromaqnit 

dalğalarının  yayılması  məsələsinin  həlli  həm  onların  fiziki  xassələrinin  öyrənilməsi  üçün  yeni 

imkanlar  açır,  həm  də  yüksək  və  ifrat  yüksək  tezlikli  inteqral  elektronikasının  funksional 

qurğularının  yaradılması  baxımından  praktiki  əhəmiyyət  kəsb  edir.  Müxtəlif  zona  quruluşlu, 

yükdaşıyıcılarının  paylanma  statistikası  fərqli  olan  yarımkeçiricilərdə  elektromaqnit  dalğalarının 

yayılması zamanı bu dalğaların güclənməsi və ya zəifləməsi praktiki tətbiqlər baxımından mühüm 

əhəmiyyətə malikdir. Yarımkeçirici  kristalların  elektrofiziki  xassələrinə  və  elektronikada  istifadə 

edilən cihazların parametrlərinə təsir edən mühüm amillər sırasına qıraq yüklü dislokasiyalar və bu 

tip dislokasiyalı yarımkeçiricilərdə baş verən rekombinasiya prosesləri daxildir. Bu baxımdan güclü 

maqnit sahəsində deşik- mənfi  yük sisteminin temperaturu nəzərə alınmaqla tsiklotron tezliyindən 

çox-çox  kiçik  və  ya  çox-çox  böyük  olan  tezlik  diapozonlarından  deşiklərin  qıraq  yüklü 

dislokasiyalar tərəfindən zəbt olunması prosesinin tədqiqi elmi və praktiki əhəmiyyət kəsb edir.  

Yarımkeçirici  ikikristallarda  dislokasiya  səviyələrinin  ölçülməsi,  dislokasiyalarda  Viqner 

kristallaşmasının  qeyd  alınması  və  bir  sıra  rezonans  effektləri  xarici  elektonmaqnit  sahəsində 

rellaşdığı  üçün  bu  sahələrdə  yükdaşıyıcıqıraq  dislokasiya  qarşılıqlı  təsirinin  öyrənilməsi  aktual 

məsələ kimi ortaya çıxır. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Yarımkeçiricilərdə  keçiricilik  zonasındakı  elektronların  konsentrasiyasına  ionlaşma  və 

rekombinasiya  prosesləri  güclü  təsir  edir.  Əgər  rekombinasiya  və  ionlaşmanın  effektiv  kəsiyi 

enerjidən asılıdırsa, onda xarici elektromaqnit sahəsi ilə yükdaşıyıcıların qızdırılması bu proseslərə 

təsir edərək son nəticədə onların konsentrasiyasını dəyişdirəcək.   

 

 

 

 

İonlaşma və rekombinasiya yükdaşıyıcıların sərbəst halda yaşama müddətini müəyyən edir. 

Hesab  edilir  ki,  yaşama  müddəti  impulsa  görə  relaksasiya  müddətindən  çox-  çox  böyükdür.  Belə 

fərzetmə  bir  qayda  olaraq  yarımkeçiricilərdə  təcrübə  şərtlərinə  uyğun  gəlir  və  yükdaşıyıcıların 

paylanma funksiyasının anizotrop hissəsini kiçik edir.  

 

 

 

 

 

Əgər  elektronların  qəfəsin  defektlərindən  səpilmə  kvazielastikdirsə  və  enerjivermə  tezliyi 

impulsvermə  tezliyindən  kiçikdirsə,  onda  elektronların  yaşama  müddəti  enerjinin  effektiv 

verilməsini  xarakterizə  edən  müddətlə  eyni  tərtibdə  və  ya  onda  az  ola  bilər.  Belə  bir  şəraitdə 

enerjinin  elektron  altsistemindən  alınıb  kristal  qəfəsə  verilməsində  rekombinasiya  və  ionlaşma 

mexanizmi  əsas  rol  oynayacaq.  Rekombinasiya  yolu,  yəni  toqquşmaların  tam  qeyri-elastik  və 

ionlaşma  tezliyinin  impulsvermə  tezliyindən  kiçikliyi  deşiklərin  paylanma  funksiyasının  anizotop 

---