Nə etmək lazımdır

Dielektrik nazik qatın formalaşması. Yarımkeçirici mikrosxemlərdə izoləedici qat kimi adətən nazik oksid və ya silisium nitrid təbəqəsi tətbiq edir. Bu halda alınan qatlar müxtəlif funksiyaları yerinə yetirə bilər. Məsələn, silisium dioksidinin nazik qatı MOY-tranzistorun rəzəsini izolə edib maska rolunu oynaya bilər ki, onun pəncərələri vasitəsilə müəyyən sahələrin aşqarlanması və ya lövhənin səthinə çıxan p-n-keçidlərin şaquli kənarlarının mühafizəsi funksiyası yerinə yetirilə bilər. Belə nazik qatın alınmasının bir neçə üsulu mövcuddur.
Kvars sobalarda yüksək temperaturda (1000...1200^°C temperatura kimi) 1^°C dəqiqliklə termiki oksidləşmə yerinə yetirilir. Ancaq bu proses yavaş-yavaş (bir neçə saat ərzində) yerinə yetirilir və yalnız nazik oksid pərdəsi (~1 mkm) almağa imkan verir. Bundan başqa, altlıq materialında pərdənin yaranması üçün altlıq material turşulaşdırılır.
Epitaksial qurğularda buxar qaz mərhələsində nazik qatın çökdürülməsi kifayət qədər aşağı temperaturda (adətən 400...700°С) həyata keçirilir və altlığın materialı sərf edilmədən qalın oksid qatlarını almağa imkan verir.
Su məhlullarından nazik qatın kimyəvi çökdürülməsi xüsusi elektroliz vannalarında elektroliz yolu ilə yerinə yetirilir və bu vaxt anod rolunu keçirici altlıq oynayır. Elektroliz prosesində anodda yığılan oksigen atomları anod materialı ilə reaksiyaya girir və onun səthində nazik oksid təbəqəsi yaradır. Beləliklə, məsələn, alüminiumun və tantalın nazik oksid təbəqələri alınır.
Ən yüksəkkeyfiyyətli təbəqə ion-plazma püskürmə qurğularından daxil olan oksigen ionları ilə yerinə yetirilən anod oksidləşmə üsulu ilə alınır.
Keçirici pərdənin (plyonkanın) formalaşması. Rezistorların, kondensatorların, əsasən İS elementləri arasındakı birləşmələrin yerinə yetirilməsində keçirici pərdələr geniş tətbiq edilir. Altlığa və bir-birinin üstünə pərdə çəkilməsinin üç əsas üsulu var: termiki vakuum tozlanması, katod tozlanması və elektrokimyəvi çökdürmə.
Termik vakuum tozlandırması xüsusi kameralarda həyata keçirilir. Tozlandırılan maddənin molekulları ilə qaz molekullarının toqquşmasının istisna olması və bərabər qalınlıqda nazik qatın alınması üçün kamerada yüksək təzyiq (qalıq təzyiq 10^-11mm.c.s.-dan 10^-7mm.c.s. qədər) yaradılır. Buxarlandırıcı elektrik cərəyanı ilə qızdırıldıqda yaranan yüksək temperaturun təsiri altında və ya lazer şüasının köməyi ilə tozlandırılan maddə buxarlanır və sonra altlığın səthində kondensasiya olunur.
Katod tozlanması seyrəldilmiş qaz ionları tərəfindən katodun bombardman edilməsi nəticəsində onun dağıdılmasına əsaslanmışdır. Proses 10^-1mm.c.s. təzyiq altında inert qaz doldurulmuş vakuum kamerasında yerinə yetirilir. Katod tozlandırılma qurğularında buxarlandırıcının yerini tozlandırıcı maddədən ibarət olan katod, anod rolunu isə altlıq əvəz edir.
Əgər elektrodlara yüksək (1...3kV) gərginlik verilərsə, onda onların arasındakı sahədə elektron-ion plazmanın yaranması ilə müşayiət edilən közərən plazma (elektrik-qaz) boşalması yaranır. Elektrik sahəsi ilə sürətləndirilən təsirsiz qazın müsbət ionları katodu bombardman edir və ondan elektronlarla yanaşı, həm də neytral atomları vurub çıxarır. Bu elektron və neytral atomlar anoda diffuziya yolu ilə qarışaraq altlığa çökən pərdəni yaradır. Çökmənin sürətini və pərdənin keyfiyyətini yüksəltməyə icazə verən belə tozlanma növü ion-plazma tozlanması adlanır.
Elektrokimyəvi çökmənin əsasını isə lazım olan qarışığın ionlarını özündə saxlayan elektroliz məhlulu təşkil edir. Bu metod qatın nazik keçirici təbəqəsini (onlarla mkm) yaratmağa imkan verir. Burada katod kimi altlıq, anod kimi isə katodun üzərinə çökdürülən material istifadə edilir. Əgər altlıq keçirici material olmazsa, onda qabaqcadan onun üzərinə tozlandırma metodu ilə katod rolunu oynayan pərdə çəkilir.