12 laboratoriya ishi ub ulanish sxemasidagi btni statik vaxlarini tadqiq etish Ishning maqsadi

12 laboratoriya ishi
UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish


Ishning maqsadi: UB ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o‘lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.


1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko’rish:
Grafik ko‘rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog‘liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy baza ulanish sxemasida mustaqil o‘zgaruvchilar sifatida emitter toki va kollektor – baza kuchlanishi tanlanadi, shunda:
(12.1)
Ikki o‘zgaruvchili funktsiya grafik ko‘rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 1 b-rasmda keltirilgan. Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog‘liqlik bilan ifodalanadi:
, , bo‘lganda (12.2)
, , bo‘lganda (12.3)


a) b)
1- rasm. UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini o‘lchash sxemasi
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog‘liqliklar (12.1-12.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.
(12.4)
yozish mumkin, bu erda , bo‘lganda
, bo‘lganda
, bo‘lganda (12.5)
, bo‘lganda
h- parametrlar (12.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11B va h_12B – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21B va h_22B – chiqish xarakteristikalar oilasidan).


2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. Tajriba o‘tkazishga tayyorgarlik ko‘rish:
Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishib chiqing, tranzistor haqidagi ma'lumotlarni yozib oling, o‘lchash uchun jadval tayyorlang.

1- jadval

Kirish va boshqarish xarakteristikalari

ЕE	V
uEB	V
IE	mkА
iK	mА

.2- jadval

Tranzistor chiqish xarakteristikalari

IE, mkА
	uКB	V
	iK	mА
	uКB	V
	iK	mА
	uКB	V
	iK	mА
vа h.z.

2- rasmda keltirilgan o‘lchash sxemasini yig‘ing. Tranzistor tsokolining sxemasi 3- asmda keltirilgan. Rezistor qarshiliklari R₁= (270-510 ) Om va R₂=(510-1000) Om.

2.2.  = 5 V o‘zgarmas kuchlanish qiymatlarida tranzistorning kirish va boshqarish xarakteristiklarini o‘lchang. O‘lchash natijalari va hisoblarni
1- jadvalga kiriting.

2- rasm. UB ulanish sxemasidagi BTni statik
VAXlarini o‘lchash sxemasi

3- rasm. BTni tashqi elektrodlari ko‘rinishi

2.3. Chiqish xarakteristiklar oilasini o‘lchang:

Chiqish xarakteristiklar oilasini emitter tokining i_E = 0 mA qiymatidan boshlab har 4 mA qiymatlari uchun o‘lchang. Kollektor toki bu vaqtda ko‘rsatilgan chegaraviy qiymatlardan oshmasligi kerak; kuchlanish qiymatining o‘zgarish oralig‘i shunday tanlanishi kerakki, aktiv ( >0) va to‘yinish
( <0) rejimlarida 3-5 ta nuqta olish mumkin bo‘lsin.