Fan: qattiq jism fizikasi 8-semestr

Kremniyda kirishma ionizatsiya energiyasi ancha yuqori, kirishmalar xona haroratida ionlashgan bo’ladi.

Agar Si ga III va V guruh kirishmalari kiritilsa, u holda ta’qiqlangan zonada ham donorli, ham akseptorli sathlar hosil bo’ladi. Donorlar elektronni berish, akseptorlar – olish qobiliyatiga ega bo’lgani uchun, elektronlar donor sathidan akseptor sathiga o’tadi. III va V – guruh kirishmalari soni teng bo’lsa, kirishmalar bir-birini kompensatsiya qiladi va bunday Si xususiy ga ega bo’ladi.

•  

Agar kirishmalarning biri boshqasidan ko’proq kiritilgan bo’lsa, u holda bunday y/o’ning – si ortiqcha kirishmalar hisobiga amalga oshiriladi. Bunday y/o’ qisman kompensatsiyalangan deb ataladi.

Agar kirishmalarning biri boshqasidan ko’proq kiritilgan bo’lsa, u holda bunday y/o’ning – si ortiqcha kirishmalar hisobiga amalga oshiriladi. Bunday y/o’ qisman kompensatsiyalangan deb ataladi.

y/o’li birikmaga donor sifatida VI – guruh elementlari: S, Se, Te kiritiladi, akseptor sifatida II-guruh elementlari: Zn, Cd, Mg, Be kiritiladi.

ga Ge, Si, Sn, Pb kiritilsa, bu elementlar amfoter hisoblanadi, ularning tabiati konsenratsiyaga bog’liq.

Kons. bo’lsa ular panjara tugunida atomlarini almashtiradi (o’rnini egallaydi) va donor hisoblanadi, agar kons bo’lsa, bu elementlar panjaraga juft bo’lib kiradi va panjara tugunlarida qo’shni atomlari o’rnini egallaydi.

•  

Natijada bir-birini kompensatsiya qiluvchi donorli va akseptorli sathlarni hosil qiladi. Shunda IV-guruh elementlari neytral kirishma vazifasini o’taydi.

Natijada bir-birini kompensatsiya qiluvchi donorli va akseptorli sathlarni hosil qiladi. Shunda IV-guruh elementlari neytral kirishma vazifasini o’taydi.

Odatda kirishmali y/o’ larda kirishma kons kam, shuning uchun kirishma atomlari o’zaro ta’sirlashmaydi deb hisoblanadi. Lokal sathlar shunchalik bir-biriga yaqin joylashganki, ularni yagona kirishma sathi deb hisoblash mumkin. Aktivatsiya energiyasi ham bir xil bo’ladi.