International scientific conference of young researchers
Yüklə 36,69 Mb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS Baku Engineering University 61
- Şəkil 3.
- II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS Baku Engineering University 62
II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS Baku Engineering University 61 27-28 April 2018, Baku, Azerbaijan hər bir elementar özək üçün 10 -27 -10
-28 sm -2 kimidir; bu halda səpilən şüalanmanın gücü 10 -11
—10 -12
Vt olur. Ona görə də Raman spektrini müşahidə etmək üçün güclü monoxromatik şüalanma mənbəyi və həssas qəbuledicilər gərək olur. RS müşahidə etmək üçün öyrənilən obyektin üzərinə yönələn intensiv işıq dəstəsini toplamaq lazımdır. 60-cı illərədək civə lampasından istifadə olunurdu, indi isə lazer şüasından istifadə olunur. Səpilən işıq fokuslanaraq toplanılır və spektroqrafa düşür, RS spektri fotoqrafik ya da fotoelektrik üsulla qeyd olunur. Yarımkeçiricilərdə atomlararası əlaqələr və kristal qəfəsin dinamikası haqqında məlumat almaq üçün Raman spektrinin öyrənilməsi əhəmiyyət kəsb edir. GaSb-CrSb evtektik kompozitində iki faza və fazalararası zonaların mövcudluğunu təsdiq etmək üçün otaq temperaturunda həm GaSb-CrSb, həm də CrSb üçün Raman spektrləri araşdırılıb.
2-ci şəkildən göründüyü kimi GaSb-CrSb üçün 111sm -1 , 148sm -1 , 230sm
-1 , 240sm
-1 tezliklərdə, 3- cü şəklə görə isə CrSb üçün 114sm -1 , 154sm -1 və 240sm -1 tezliklərdə piklər müşahidə olunur. GaSb birləşməsinin monokristal [9-11] və amorf [12,13] nümunələrində Raman tədqiqatları aparılıbdır. III- V yarımkeçiricilər kimi GaSb və digər sink-sulfid tipli birləşmələrin birinci tərtib Raman spektri adətən Brüllien zonasının mərkəzində yerləşən uzununa optik (LO) və eninə optik (TO) fononlardan ibarət olur [15]. TO və LO modalarına uyğun olan mərkəzi fononlar sink-sulfid tipli kristallar üçün mövcud seçmə qaydasına tabe olur. (100) istiqamətində LO modasının səpilməsi icazəli olduğu halda, (110) istiqamətində təkcə TO modasının səpilməsi icazəlidir. GaSb kristalında 236sm -1 dalğa ədədinə yaxın müşahidə olunan Raman xətti LO modadır, 112sm -1 və 155sm -1 dalğa ədədlərində görünən xətlər isə Sb elementin optik fononlarına xas olan Eg, və Alg modalarıdır [10]. 4-cü şəkildən göründüyü (100) istiqamətli GaSb kristalın tablanmış nümunələrində 226sm -1
temperaturu artdıqca LO fononlarına uyğun Raman tezliyinin artması (və ya azalması) isə struktur nizamsızlığın artması kimi izah olunur [14].
Şəkil 4. GaSb birləşməsinin müxtəlif tablama temperaturlarında Raman spektrləri [14].
Bütün Raman spektrlərində TO modasının intensivliyinin LO modasının intensivliyinə nisbətən güclü olması nümunədə nizamsızlıq dərəcəsi, LO/TO nisbəti isə GaSb kristalların simmetriyasının qərarlaşma göstəricisi sayılır. II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS Baku Engineering University 62 27-28 April 2018, Baku, Azerbaijan [9,15]-ci işlərdə isə GaSb kristalında ancaq 234sm -1 tezliyində optik fonona uyğun olan icazəli LO modasının müşahidə olunduğu, Mn ionları ilə implantasiyadan sonra əlavə qadağan olunmuş TO modasının da yarandığı göstərilir. [15]-ci işin müəllifləri implantasiyadan sonra 111sm -1 və 145sm -1
tezlikdə müşahidə olunmuş pikləri oksidləşmə ilə izah etmişlər. Ədəbiyyatda verilən bilgilərlə müqayisədən görünür ki, 230sm -1 , 240sm -1 tezlikli LO və TO fonon modalarına uyğun iki xətt GaSb monokristallarında olan TO və LO (234sm -1 , 236sm -1 ) fononlarına çox yaxındır. Digər iki xətt – 111sm -1 və 148sm -1 tezlikli xətlər isə Sb-Sb əlaqəsinə (112sm -1 və 155sm -1 ) uyğun
gəlir. Maraqlıdır ki, CrSb üçün yazılmış Raman spektrində də görünən xətlər Sb-Sb əlaqəsinə uyğun gəlir. [10] işin müəllifləri tablanmış GaSb nümunələrində 112sm -1 və 155sm -1 tezlikli Raman xətlərini Sb kristalın optik fononlarına xas olan Eg və Alg modalarını xarakterizə etdiyini göstərmişlər. CrSb kristalında da alınmış Raman xətləri ancaq Sb-Sb əlaqəsini xarakterizə edir. CrSb birləşməsinə uyğun Raman xətlərinin görünməməyi siqnalın zəifliyi ilə əlaqədar ola bilər. Beləliklə, Rentgen-faza analizi ilə piklərin GaSb matrisinə və CrSb qatmalarına uyğun gəldiyi göstərilərək sistemin ikifazalılığı təsdiq edilib, GaSb-CrSb kompozitinin Raman spektrlərində alınan piklərin GaSb birləşməsinə və Sb-Sb əlaqəsinə uyğun olduğu göstərilmişdir.
1.
Umehara Y., Koda S., Structure of a unidirectionally solidified GaSb-CrSb eutectic alloy // J.Japan İnst. Metals, 1986, v.50, pp.666-670 2.
compounds: NiAs structure., J Phys Condens Matter. 2012 Jan 25;24(3) 3.
Rəhimov R.N., Məmmədov İ.X., Kazımov M.V., Araslı D.H., Xəlilova A.Ə., GaSb-CrSb evtektik kompozitin alınması və strukturu // Journal of Qafqaz University-Physics, 2013, v.1, №2, s.166-168 4.
evtektik kompozitin termodinamik xassələri // AMEA-nın Xəbərləri, Fizika-Riyaziyyat və Texnika Elmləri Seriyası, Fizika və Astronomiya, 2015, c.35, №5, s.104-107 9. 5.
1,Section:En,July, 2017,pp. 43-49 6.
Araslı D.H., Rəhimov R.N., Məmmədov İ.X., Xəlilova A.Ə., Kazımov M.V., GaSb-CrSb evtektik kompozitin istilik keçiriciliyində xüsusiyyətlər // AMEA-nın Xəbərləri, Fizika-Riyaziyyat və Texnika Elmləri Seriyası, Fizika və Astronomiya, 2016, c.36, №2, s.56-61 7.
Rahimov R. N., Kazimov M.V., Arasly D.H., and Khalilova A.A., Mammadov I.Kh., Features of Thermal and Electrical Properties of GaSb-CrCb eutectic composite // Journal Ovonic Research, 2017, v. 13, No 3, pp.113 – 118 123 8.
properties of GaSb-CrSb eutectic composite // Moldavian Journal of the Physical Sciences, 2015, v.14, No 2, pp.44-50 9.
Kim S.G., Asahi H., Seta M., Takizawa J., S, Raman scattering study of the recovery process in Ga ion implanted GaSb, Journal of Applied Physics, 74 (1993) 579-585 10.
spectroscopy, Journal of Applied Physics, 89 (2001) 3631-3633. 11.
Winnerl S., Sinning S., Dekorsy T., Helm M.. Increased terahertz emission from thermally treated GaSb, Applied Physics Letters, 85 (2004) 3092-3094. 12.
Dias da Silva J.H., J.C.Galzerani. Crystallization process of amorphous GaSb films studied by Raman spectroscopy, Journal of Applied Physics, 77 (1995) 4044-4048. 13.
F.M.Liu, T.M.Wang, L.D.Zhang. Raman properties of GaSb nanoparticles embedded in SiO2 films, Chinese Physics, 13 (2004) 2169-2173. 14.
Qiao Zai-Xiang, Sun Yun, He Wei-Yu, Liu Wei, He Qing, Li Chang-Jian. Raman scattering of polycrystalline GaSb thin films grown by the coevaporation process, Chinese Physics B, 18 (2009), 2012-2015. 15.
Данилов Ю.А., Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в пористом GaSb, сформированном ионной имплантации, ФТП, 39 (2005) 145-148.
Yüklə 36,69 Mb. Dostları ilə paylaş:
|