21-rasm. Arsenid galliy lazerining sxematik
tasviri: 1 – silliqlangan uch tomonidagi
yuzalar; 2 -
p-
soha; 3 –
n
– soha; 4 – elektr
o`tkazgichlar; 5 – oltin bilan qoplangan molibden
plastinka; 6 -
p-n
– soha (shtrixlangan);
7- chiqayotgan nurlanish.
Past temperaturalarda GaAs injeksion
lazerlari impuls rejimida xam,
uzluksiz rejimda xam ishlashi mumkin. Yuqori temperaturalarda esa, faqat
impuls rejimida ishlaydi. Zaryad tashuvchilarni injeksiya qilish uchun, xar
xil qaytarish chastotasidagi (yuzlab kilogersgacha) xar xil davomiylikdagi
(mikrosekundlardan kichikdan boshlab, birnecha mikrosekundgacha)
impuls toklaridan foydalaniladi.
Yarim o`tkazgichli lazerlarda generasiya hosil bo`lish
manzarasi
quyidagicha bo`ladi. Injeksiyasini kichik toklarida lazerdan nurlanishi
kuchsiz yo‘nalishga ega bo`lgan keng lyuminessensiya chizig`ini
nurlanishini kuzatish mumkin. Tokni qiymati
biror pogona qiymatiga
yetkazilganda, nurlanishni intensivligi va yo‘nalishi keskin oshadi,
lyuminessensiya chizig`i kengligi esa, keskin torayadi.
GaAs da
p-n
-
o`tishlardagi nurlanishni taxlil qilamiz.
Tajribalarda
kuchli legirlangan diodlarda
p-
sohaga elektronlarni
injeksiyasi kuchli
bo`lishi aniqlangan. Bu holatlda,
nurlanish manbai
p-
soha bo`ladi va
nurlanish chizig`i
p-
tipidagi bir jinsli materialning (uchinchi chiziq)
asosiy nurlanish chizig`iga o‘xshash bo`ladi. Bu xildagi manzara ko`pgina
yarim o`tkazgichlarda kuzatiladi. Ba‘zi xollarda donorlarning kichik
konsentrasiyasida
va yuqori temperaturalarda
n-
sohaga kovaklarning
injeksiyasi xam ro`y berishi mumkin. Bu holatlda
nurlanish energiyasi
ikinchi chiziqqa to‘g‘ri keladi. Ko`pgina injeksion lazerlarda
Dostları ilə paylaş: