Ministry of education of azerbaijan republic sumgayit state university

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ FeSe
2 
 
Зейналова А.О. 
Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана 
E-mail: 
[e-mail]
 
Тонкие пленки полупроводниковых халькогенидов привлекают внимание многих 
исследователи по всему миру из-за широкого спектра их применения в фотоэлектрических, 
оптоэлектронных устройствах, фотодетекторах и преобразователях солнечной энергии. В последнее 
время большое внимание уделяется халькогенидам железа из-за их пригодности в 
магнитоэлектронике, спинтронике и в солнечных элементах. Диселенид железа (FeSe
2
) является 
недостаточно исследованным полупроводником, который чрезвычайно перспективен для 
использования в качестве активного слоя в солнечных фотоэлектрических и фотоэлектрохимических 
элементах. Он является полупроводником p-типа с шириной запрещенной зоны 1,03 эВ, что делает 
его довольно интересным для производства солнечных элементов.
Селенид железа обладает 
необычной структуры и электронных свойств. В системе селенида железа представлены две 
однородные и стабильные фазы a-FeSe и FeSe
2
. Фаза a-FeSe кристаллизуется в тетрагональной и в 
гексагональной структуре, а фаза FeSe
2
кристаллизуется в виде марказита ромбической формы и 
кубической структуры.
Моноселенид (FeSe) и диселенид (FeSe
2
) железа считаются полноценными заменителями 
платины в качестве противоэлектродов для сенсибилизированных кристаллов солнечных элементов. 
Они обладают каталитической активностью и даже более высокой эффективностью преобразования 
энергии чем платина, более того они стабильны в сильно коррозийной среде. 
Тонкие пленки диселенида железа получают различными методами: пиролизным
распылением, мягкой селенизацией пленок железа, мгновенным испарением, металлоорганическим 
химическим осаждением из паровой фазы.
Поликристаллические пленки диселенида железа, содержащие смесь FeSe и FeSe
2
может быть 
получена селенизацией тонких пленок напыленного железа.

По сравнению с известными методами осаждения, изготовление тонких пленок FeSe

2
методом 
электроосаждения представляется привлекательным из-за его низкой стоимости, возможность 
проведения электролиза при низких температурах, получать покрытия на большой площади и 

---