O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti axborot xavfsizligi fakulteti

O`ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI AXBOROT XAVFSIZLIGI FAKULTETI

MAZU:

Umumiy zatvor ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistorning statistikxarakteri stikalari 

MUSTAQIL ISHI

Guruh: 512-20

Bajardi : Yo’ldoshev Shoxruz

Tekshirdi: Azizova Sayyora

 

 

 

Umumiy zatvor ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistorning statistik xarakteristikalari

• Reja:
• Tranzistorning asosiy struktura tuzilishi
• Tranzistorlarning afzalliklari
• Tranzistorlarning boshqa turlari
• Transistorning ishlash printsipi
• Maydoniy tranzistor
• Maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari
• Xulosa

Transistor Nima?

• Transistor - bu juda katta miqdordagi oqim yoki oz miqdordagi kuchlanish yoki oqim bilan kuchlanishni boshqarish uchun elektronda ishlatiladigan elektron qism. Bu shundan dalolat beradiki, u elektr signallari yoki quvvatini kuchaytirish yoki almashtirish (to'g'rilash) uchun ishlatilishi mumkin va bu elektron qurilmalarning keng doiralarida foydalanishga imkon beradi. Buni bitta yarimo'tkazgichni boshqa ikkita yarimo'tkazgichlar o'rtasida sendvich qilish orqali amalga oshiradi. Chunki oqim odatda yuqori qarshilikka ega bo'lgan material orqali uzatiladi (ya'ni. A.) rezistor), bu "transfer-rezistor" yoki tranzistor.
• Birinchi amaliy kontaktli tranzistor 1948 yilda Uilyam Bradford Shokli, Jon Bardin va Uolter Xaus Bratteyn tomonidan qurilgan. Transistor kontseptsiyasi uchun patentlar Germaniyada 1928 yilda paydo bo'lgan, garchi ular hech qachon qurilmagan bo'lsa ham yoki hech kim hech qachon ularni qurmagan deb da'vo qilsa. Uchta fizik ushbu ish uchun 1956 yil fizika bo'yicha Nobel mukofotini olishdi.