Respublihasi

MOM va HMOM-xtrukturali mantiqiy elementlar

Himoyalangan va zatvorli maydon tranzistorlari paydo bo‘lishi va keng qo‘llanilishi natijasida kelajagi porloq mantiqiy elementlar oilasiga asos solindi.
79

MDP-mantiq asosida MOM-mantiq (MOMTЛ), MOM- tranzistorlarda sxemalar yaratildi, ularda mantiq nol ochiq tranzistor kuchlanishi 0,05—0,15 V bipolyar to‘yingan tran- zistorlar kabi maydon tranzistorlarida kichik mantiqiy bir birlik kuchlanish sifatida stok—istok yopiq tranzistorning sxema tok manbayiga yaqin kuchlanishi qabul qilinadi.
hunday qilib, mantiqiy kuchlanish farqi tok manbayi kuch- lanishiga yaqin.
Nol va bir zanjirlar orasidagi farq, bipolyar mantiq elementida xalaqitga qarshi bardoshligi sezilarli ortiq bo‘lib, DTM, TTM va, ayniqsa, 3CTM, HCTM va N2M lar uchun MOM mantiqning yana bir afzalligi shundaki, uning kirish (zatvorli) zanjiri amalda tok sarflamaydi. Kirish zanjirining keyingi zanjirga (yuklama) elementi ushbu yacheykaning kirish sig‘imini orttirishga olib keladi. Lekin aynan ushbu afzalligi — kirish zanjirining katta qarshilikka egaligi, parazit sig‘imlarni zaryad va razryadlashning uzoqroq bo‘lishi MOM-mantiqining 3CTM, TTM ga nisbatan tezkorligi kamligining sababidir.
4.19-a, b rasmlarda YOKI-INKOR va VA-INKOR yacheykalarni MOM-tranzistorlarda indutsirlangan n-kanali tasvirlangan. Bu yerda T3 tranzistor dinamik yuklama vazifasini bajaradi. 4.19-rasmda T1 va T2 tranzistorlar parallel ulangan, shuning uchun ularning har biridan mantiqiy birini yoyish mantiqiy nolga kirishni kamaytiradi, ya'ni sxema YOKI-INKOR operatsiyasini bajaradi.
4.19-b rasmdagi mantiqiy sxemada zanjirdagi tok va chiqish kuchlanishining kichik darajasi tranzistorni faqatgina tranzistorlarning (ushbu holda har ikkalasini) hammasini yopib bo‘lganidagina bo‘ladi. Ushbu holatda mantiqiy bir birlikka mos keluvchi yuqori darajadagi kuchlanishni bir vaqtning o‘zida hamma kirishlarga beriladi. Bundan ma'lum bo‘ladiki, bu sxema VA-INKOR funksiyasini bajaradi.
ezilarli energiya sarfi bo‘lganidan dinamik yuklamaning MOM-mantiq ko‘p qo‘llaniladi. Kaplimentar tranzistorli (KMOMTЛ) MOM-tranzistorli mantiqning asosiy afzalligi shuki, uning chiqish kuchlanishi o‘zgarishi tok o‘zgarishiga bog‘liq bo‘lmaydi va nolga yaqin bo‘ladi. 4.19-d, e, rasmda o‘n
80


_d) e)

4. 
   l9- rasm.
   

ikki xil tipik mantiqiy element sxemasi tasvirlangan bo‘lib, ulardan KMOMTЛ strukturasida bir turli tranzistorlar parallel ulangan va boshqa tipdagisi bilan ketma-ket ulangan: Mantiqiy funksiyani boshqaruvchi T1 va T2 „ostki qavat“ tran- zistorlarining ulanishi bilan aniqlanadi. Ko‘rilayotgan sxema n- kanalli tranzistorlardan iborat. Agarda tok manbayining qutbini o‘zgartirsak, „ostki qavatda“ tranzistorlar p-kanalli bo‘ladi.

4.19-d rasmda har ikkala mantiqiy kirishga x1=x2=U_z-i=0 kuchlanish berilgan bo‘lsin. Bunda n-kanalli T1 va T2
tranzistorlarda ular yopiq holatda bo‘lganligidan kanal hosil

bo‘lmaydi. p-kanalli T3 va T4 tranzistorlarda esa aksincha
^U z^-i

 E₀ bo‘sag‘a kuchlanishidan moduli bo‘yicha ortiq bo‘lib ka- nal hosil bo‘ladi. Kanallar orqali T1 va T2 tranzistorlardan
kichik toklar oqqanidan kanaldagi kuchlanish pasayishi ham juda kichik bo‘ladi. huning uchun chiqish kuchlanishi tok manbayi kuchlanishiga teng bo‘ladi, bu esa (y=1) bir birlikni tashkil etadi.
x1 va x2 kirish qismlariga U_z-i=E₀ potensial berilsa, T1 (T2) tranzistorda kanal hosil bo‘ladi, T3(T4) tranzistorda esa

5. 
   — A.A. Xoliqov ₈₁
   

kanal yo‘qolib, tranzistor yopiq bo‘ladi. T3 (T4) tranzistordagi kichik qoldiq tok T1 (T2) kanal orqali oqadi va unda nol (y=0) darajali kuchlanish pasayishi hosil bo‘ladi.
KMOMTЛning MOMTЛga nisbatan avzalligi shundaki, u kichik kuchlanishga egaligi va nisbatan tezkorligi bilan farq- lanadi. 4.19-e rasmdagi sxema yuqorida aytilgan xususiyatlari bilan tavsiflanadi.

82

4. 
   POTENSIAL MANTIQIY ELEMENTLARGA ASOSLANGAN RELAHSATSION GENERATORLAR
   

1.