65
Məsələn, qalınlığı
sm
4
10
5
olan
nazik
2
CuFeS təbəqəsi üçün bu gərginliyin qiyməti
2
12
/
10
2
sm
dn
- qədərdir.
Nazik təbəqələrdə belə böyük daxili gərginliyin yaranması bizə nazik yarımkeçirici
2
CuFeS
təbəqəsində aşağı temperaturlarda və təzyiqlərdə Yunq modulunu təyin etməyə imkan verir.
Məlumdur ki, nazik təbəqələrdə istidən genişlənmə və ya izotermik sıxılma əmsallarının
ölçülməsi metodikası, temperaturun və ya təzyiqin dəyişməsi zamanı bispiralın sərbəst ucunun
yerdəyişməsinin kifayət qədər böyük dəqiqliklə ölçülməsinə əsaslanır. Ona görə də dilatometrin
həssaslığı temperaturun bir dərəcə dəyişməsinə uyğun stolüstü qalvonometrin şkalasındakı
bölgülər sayı
ilə təyin edilir ki, bu da nümunənin uzunluğunun nisbi dəyişməsini xarakterizə edir.
Külçə şəkilli ( massiv) nümunələrin Yunq modulunu təyin etmək üçün əsasən
nümunənin əyilməsi metodundan geniş istifadə edilir. Lakin bu metod
4
- cü işdə
təbəqə - altlıq sisteminin Yunq modulunu təyin etmək üçün tətbiq edilmişdir. Bu işdə əsasən
bispiral sisteminin Yunq modulunun effektiv qiyməti
0
E
aşağıdakı düsturla təyin edilir :
3
2
2
1
1
2
1
2
2
1
2
2
2
2
1
1
0
4
L
L
E
L
E
E
E
L
L
L
L
E
L
E
E
(2)
Nazik
təbəqənin Yunq modulu, altlıq şüşə spiral götürüldükdə belə təyin edilir :
3
3
4
L
b
l
pl
E
( 3)
Burada,
p
- nümunənin sərbəst ucuna təsir edən yük ;
l
– nisbi uzanma ;
l -
nümunənin
uzunluğu ;
b – nümunənin eni ;
L
- nümunənin qalınlığıdır.
(3) düsturundan istifadə edərək qalınlığ
sm
4
10
5
olan
2
CuFeS təbəqəsi üçün 300 K –
də Yunq modulunun qiyməti
2
15
/
10
8
1
sm
dn
E
t
, şüşə üçün isə
2
16
/
10
8
sm
dn
E
ş
alınmışdır.
l
- in qiyməti isə dəqiqliyi
sm
3
10
5
olan komparator vasitəsilə ölçülmüşdür. Təbəqələr üçün
Yunq modulunun hesablamadan alınan qiymətləri massiv nümunələrin Yunq modulundan
qiymətcə böyük ola bilər. Bu onunla əlaqədardır ki, təbəqələrdə kifayət qədər daxili gərginlik vardır
ki, bu da bispiral sisteminin elastikliyinin qiymətinə təsir edir.
Qeyd edək ki, bispiralın komponentlərinin həndəsi ölçülərini və stolüstü qalvonometrin
ölçmə həddini dəyişməklə dilatometrin həssaslığını
hətta
9
10
1
- a qədər artırmaq olar.
Dilatometrin köməkliyi ilə bispiral sisteminin komponentlərinin istidən genişlənmə
əmsallarının fərqi, yəni
2
1
- in qiyməti məlum olduqda daxili gərginliyi bilməklə tədqiq
olunan nümunənin Yunq modulunu temperaturdan da asılı olaraq aşağıdakı düsturla təyin etmək
olar .
T
E
2
1
( 4 )
burada,
1
- şüşənin,
2
- isə tədqiq olunacaq maddənin istidən genişlənmə əmsallarıdır.
-
təbəqədəki daxili gərginlikdir.
66
Apardığımız tədqiqatlardan bizə məlumdur ki, otaq temperaturunda şüşənin istidən
genişlənmə əmsalı
1
7
1
.
10
90
der
- dir. Qalınlığı
sm
4
10
5
olan nazik
2
CuFeS təbəqəsinin
istidən genişlənmə əmsalı isə
1
6
2
.
10
25
,
8
der
- dir.
K
T
80
- də isə
1
6
2
.
10
2
,
2
der
-
dir.
K
T
80
- də isə
1
7
1
.
10
9
,
8
der
- dir. Bu qiymətlərə əsaslanaraq , (4) düsturundan istifadə
edərək qalınlığı
sm
4
10
5
olan nazik
2
CuFeS təbəqəsində
K
300
və
K
80
temperaturları üçün
Yunq modulunun qiymətləri hesablanmışdır. Belə ki,
K
300
- də
2
15
2
/
10
8
sm
dn
CuFeS
E
,
K
80
- də isə
2
16
2
/
10
8
sm
dn
CuFeS
E
- olmuşdur ki, bu da (3) düsturundan istifadə edərkən
hesablamalardan alınan qiymətlərə uyğun gəlir.
Qeyd edək ki, Yunq modulunun hesablanmasında hərtərəfli bərabər sıxılma zamanı
bispiralın komponentlərinin ikinci xarakteristikasını, yəni Puasson əmsalını
da nəzərə almaq
lazımdır. Bundan başqa həmçinin bütün istiqamətlərdə deformasiya ilə gərginlik arasındakı əlaqəni
də nəzərə almaq lazımdır . Deformasiyanın təsiri o vaxt nəzərə alınmaya bilər ki, bu deforma-
siyanın qiyməti çox kiçik olsun və bispiralı təşkil edən elementlərin en kəsikləri sahələrinin
ölçülərinin dəyişməsinə təsir etməsin.
ƏDƏBIYYAT
1.
Azərbaycan Sovet Ensiklopediyası, 1987, cild.10, səh.43
2.
Qocayev F., Nuriyev M., Sultanova A., Tağıyev E.
Yarımkeçirici CuFeS
2
təbəqəsinin xüsusi elektrik müqavimətinin temperaturdan
asılılığının tədqiqi. NDU., Elmi əsərlər 2014, N-7(63), səh. 51.
3.
Физика магнитных пленок. Сб.статей. 1967, вып.1, стр.200.
4.
Физика магнитных пленок. Сб.статей. 1971, вып.1, стр.170.
ABSTRACT
Farman Gojayev
Aygun Sultanova
Elgun Tagıyev
The research of Jong module in semiconductor layer of
2
CuFeS .
Being semiconductor in tran saction of
sm
L
4
10
5
in
layer of
2
CuFeS . Jong module
cast was calculated at lav temperatures.
For it, before internal tensions have been identified
the thicknees layer of
sm
4
10
5
,
2
CuFeS with helpinf of staun formula.
After, the cast of Jong module has been calculated at
K
300
and
K
80
temperatures with
helping of
T
E
2
1
/
formula.
РЕЗЮМЕ
Фарман Годжаев
Аугюн Султанова
Елгюн Тагиев