Microsoft Word Materiallar Full

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

5 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

ные движения, а также влияние гистонных модификаций на сродство ДНК к гистонам. Такие эксперименты техни-

чески сложны и ресурсоемки. В то же время, современные суперкомпьютеры позволяют производить вычислитель-

ные  эксперименты,  предоставляя  исследователю  своеобразный  «вычислительный  микроскоп»,  позволяющий  наб-

людать явления на атомистическом уровне.На текущий момент исследований были исследованы микросекундные 

траектории  движения  нуклеосом  и  их  интермедиатов,  выявлены  крупномасштабные  перестройки  в  гистонах, 

исследованы сайты посадки гистона H1.  

Работа выполнена с использованием ресурсов суперкомпьютерного комплекса МГУ имени М.В. Ломоносова [7].  

Список литературы 

1. 

Davey, C.A., et al., Solvent mediated interactions in the structure of the nucleosome core particle at 1.9 angstrom 

resolution. J Mol Biol, 2002. 319(5): p. 1097-1113. 

2. 

Richmond, T.J., Hot papers - Crystal structure - Crystal structure of the nucleosome core particle at 2.8 angstrom 

resolution by K. Luger, A.W. Mader, R.K. Richmond, D.F. Sargent, T.J. Richmond - Comments. Scientist, 1999. 

13(23): p. 15-15. 

3. 

Vasudevan, D., E.Y.D. Chua, and C.A. Davey, Crystal Structures of Nucleosome Core Particles Containing the '601' 

Strong Positioning Sequence. J Mol Biol, 2010. 403(1): p. 1-10. 

4. 

Thiriet, C. and J.J. Hayes, Replication-independent core histone dynamics at transcriptionally active loci in vivo. 

Genes & Development, 2005. 19(6): p. 677-682. 

5. 

Studitsky, V.M., D.J. Clark, and G. Felsenfeld, Overcoming a Nucleosomal Barrier to Transcription. Cell, 1995. 83(1): 

p. 19-27. 

6. 

Zlatanova, J., et al., The Nucleosome Family: Dynamic and Growing. Structure, 2009. 17(2): p. 160-171. 

7. 

Воеводин Вл.В., Ж.С.А., Соболев С.И., Антонов А.С., Брызгалов П.А., Никитенко Д.А., Стефанов К.С., 

Воеводин Вад.В. , Практика суперкомпьютера "Ломоносов". Открытые системы., 2012. 7. 

 

 

SiYARIİLETKENİ ÜZERİNDE ’’SPINCOATING’’ YÖNTEMİ İLE OLUŞTURULAN 

Al/MEH-PPV/p-SiMETAL/POLİMER/YARI İLETKEN SCHOTTKY DİODLARIN 

DİELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ 

 

Ahmet ASİMOV, Ahmet KIRSOY 

Uludağ Üniversiteti 

[e-mail], [e-mail] 

TÜRKIYE 

 

Schottky diyotlar fizik alanında teorik ve deneysel olarak önem taşıyan araştırma konularından biridir. Karakteristik-

lerinin çoğunun bilinmesi ve yapılışlarının kolay olması nedeniyle, Schottky diyotların önemi ve kullanım alanları her geçen 

gün artmaktadır. [1-2]. Polimerler ile metallerin üstün özellikleri bir araya getirilerek iletkenlik özelliği taşıyan polimerlerin 

elde edilmesi mümkün olmuştur.  İletken bir polimerin temel özelliği polimerin omurgası (ana zincir) boyunca konjuge 

(ardışık sıralanmış) çift bağların olmasıdır. Özellikle MEH-PPV polimeri fiziksel ve elektriksel özelliklerinden, kolay ve 

ucuz üretiminden dolayı daha fazla önem kazanmıştır. Günümüzde polipirol, polianilin, politiyofen gibi polimer çeşitleri 

daha fazla araştırılmaktadır. Polimerlerin elektrik endüstrisinde kullanımları, moleküler hareketlilik ve relaksasyon süreleri 

ile ilgili dielektrik özelliklerin incelenmesi ile ilgili birçok çalışma yapılmıştır. Dielektrik sabiti (Permitivite ya da 

elektriksel geçirgenlik) bir alanın etkisi altında dış elektrik bölgede ne kadar enerji saklandığını ve malzeme içerisinde ne 

kadar enerji kaybolduğunu gösterir.  

Bu çalışmada Al/MEH-PPV/p-Si Schottky diyotun oluşturulması için (100) doğrultusunda büyütülmüş, 380 mm kalın-

lığındaki, p-Si kristali kullanıldı. Numune hazırlama sırasında kullanılacak malzemeler bir takım kimyasal temizlemeden 

geçirildi. Nümunenin ön yüzeyine spincoater cihazı ile MEH-PPV isimli iletken polimer 1200 rpm döndürme hızıyla 60 san 

döndürülerek kaplandı. Sonra polimer kaplanmış ön yüzeye yaklaşık 2000 A kalınlığında %99.99 saflıkta saf Al 

buharlaştırılarak Al/MEH-PPV/p-Si Schottky diyotlar oluşturuldu. (Şekil 2). Hazırlanan Schottky diyotlarının C-V ve G/ω-

V ölçümleri HP-4192A LF Empedans Analiz-metre (500 kHz ve 1000 kMHz) yardımıyla bilgisayar ile kontrol edilerek 

gerçekleştirildi. Bu ölçümleri kullanarak diyodundielektrik parametrelerini bulabiliriz. Frekans değerlerinin yüksek 

seçilmesiyle, düşük frekanslarda meydana gelebilecek olan ara yüzey durumların etkisi ortadan kaldırılmış oldu. Grafikten 

görüldüğü gibi kapasitans ve iletkenliğin değerleri voltajın artmasıyla, artmaktadır ve bir pik vermektedir. Özellikle pikin 

aşağı frekansta olduğunu görmekteyiz. Bunun başlıca sebebi frekans değeri arttıkça arayüzey halleri a.c sinyali 

izleyemediklerinden dolayı, arayüzey halleri kontak kapasitesine herhangi bir katkıda bulunmazlar ve bu yüzden Sekil 1. 

den de görüleceği gibi frekans arttıkça kapasite değeri azalmıştır. Al/MEH-PPV/p-Si Schottkydiyodun voltaja bağlı 

---

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

6 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

dielektrik sabiti ε

ı

, dielektrik kaybı  ε

ıı

, tanjan kaybı tanδ ve elektrik iletkenliği  σ

ac

 gibi parametreleri C-V ve G-w 

ölçümlerinden hesaplandı. Kompleks geçirgenlik asağıdaki gibi tanımlanabilmektedir [3]: ε*= ε′-jε′′ burada, ε′ : Dielektrik 

sabiti, ε′′: Dielektriksel azalma, j; -1’in hayali köküdür. Dielektrik sabiti (ε′), çesitli frekanslarda, güçlü tüketim bölgesinde 

ölçülen kapasitans değerleri kullanılarak hesaplanmış ve hesaplamalarda aşağıdaki eşitlik kullanılmıştır [4-6]: ε′=C

0x

/C 

Dielektrik kayıp (ε''), çesitli frekanslarda ölçülen iletim değerlerinden asağıdaki eşitlik kullanılarak hesaplanır: ε′′=G/C

0

w. 

Kayıp açı (tanδ),  ε′ ve ε′′ değerlerinin oranı asağıdakisekilde ifade edilebilir. Yani tanδdegeri,  ε'' değerinin  ε' değerine 

oranıdır. Tanδ=  ε''/  ε‘ Arayüzey tabakası olan Polimerin elektrik iletkenliği aşağıdaki formülden bulunabilir. σ

ac

=  ε''wε

0 

. 

Kompleks İmpedans ve kompleks geçirgenlik arasındaki ilişki aşağıdaki gibidir. M

*

=1/ε*=M'+jM''= (ε'/ (ε'+ ε'')) + jε''/( ε'+ 

ε'')).Tecrübi neticeler gösterdi ki, dielektrik sabiti(ε'), dielektrik itkisi(ε''), tangens itkisi (tanδ) ve elektrik keçiriciliği(σ

ac

) ve 

elektrik modülü (M) kimi parametrlertezlik ve gerginliyingüclü bir funksiyasıdır.  ε' veε'' değerleri artan tezlikle 

azalmaktadır. Dielektrik sabitinin (ε') değerleri, 1 MHz tezlikde0,5 V üçün 1,8 ve 5 V üçün 1,7 olaraqtapılmışdır. 

 

Şekil 1. Diyodun farklı frekanslarda (500 kHz ve 1MHz ) kapasitans-gerilim ve dielektrik sabiti-gerilim grafikleri. 

 

 

 

Şekil 2. “Spin coater VTC-100” ve MEH-PPV polimerinin kimyasal ve diyot’un şematik yapısı. 

KAYNAKLAR 

[1]  Rhoderick, E. H. and Williams R. H., “ Metal-Semicondutor Contacts 2

nd

 ed. ”, Oxford University Press, Oxford, 257 

(1988).  

[2]. Lam Y.W, Lam H.C., “Dielectricandinterface-statemeasurements of metalspin-on-oxide-siliconcapacitors”, J. Phys. D: 

Appl. Phys. 9: 1477-1487  

[3].  Chelkowski A.,DielectricPhysics, Elsevier, Amsterdam, 313 (1980). 

[4]   M. Popescu, I. Bunget, Physics of Solid Dielectrics, Elsevier, Amsterdam, 1984.  

[5] F. Yakuphanoglu, M. Okutan, Q. Zhuang, Z. Han, “Thedielectricspectroscopyandsurfacemorphologystudies in a 

newconjugatedpolymerpoly(benzobisoxazole-2,6-diylvlnylene)”, Physica B, 365, 13–19,  

[6]   İyibakalar G., Oktay A., Ocak 2007, Bazı polimerlerin dielektirik özelliklerinin frekansla değişimlerinin incelenmesi, 

Havacılık ve Uzay Teknolojileri Dergisi, Cilt 3, Sayı 1 

 

 

 

 

MEH-PPV Polimer

 

 

p

-Si

 

Al Ohmiccontact

 

Al

Al

 

Al

1.8E-10

1.9E-10

2.0E-10

2.1E-10

2.2E-10

2.3E-10

2.4E-10

2.5E-10

-1.50

-0.50

0.50

1.50

2.50

3.50

500 kHz

1 MHz

C (F

)

V (V)

a)

1.50

1.60

1.70

1.80

1.90

2.00

2.10

-0.5

1.5

3.5

5.5

500 kHz

1 MHz

ε′

V (V)

---