Zamonaviy elektron qurilmalarni sifatli boshqarish texnologiyasi
Yüklə 0,75 Mb. Pdf görüntüsü
|
часть 1 « Научный импульс » Март , 202 3 624 Yana bir uslubning asosiy g‘oyasi — lazer ishlayotgan mikrosxemaning yuzasini skanerlaydi va nur kritik rejimda (ishonchlilikning kam zahirasi bilan) ishlayotgan elementga tushganda test uziladi. Shu tariqa ularning ishlashi mikrosxemaning uzilish bilan ishlashiga olib kelishi mumkin bo‘lgan ko‘proq zaif uchastkalar aniqlanadi. Aniqlangan nuqsonlarni bartaraf qilish uchun yo‘lga qo‘yishning dastlabki bosqichida kremniy nanojarrohligidan keng foydalaniladi. Odatda mikrosxemalarning chiplarida asosiy sxemada harakatga keltirilmaydigan tranzistorlarni joylashtirish uchun mo‘ljallangan qandaydir bir joy ko‘zda tutiladi. Aytaylik,tashxislash jarayonida nuqson aniqlangan bo‘lsin va kompyuterda modellashtirish sxemaga qo‘shimcha elementni kiritish bilan bu nuqsonni bartaraf qilish mumkinligini ko‘rsatgan bo‘lsin. Shunda tekshirish uchun nanojarrohlikdan foydalaniladi, u zarurat bo‘lganda hatto tutashmalarni qirqish bilan zahira elementni to‘g‘ridan-to‘g‘ri kristalldagi asosiy sxemaga kiritish imkonini beradi. Bunday operatsiyani o‘tkazish uchun kristallning orqa tomonida (taglikda) eritish yo‘li bilan torayib boruvchi chuqurchalar ochiladi. Aniq eritish joyi optik uslublar bilan aniqlanadi, bunda eritish jarayonida chuqurchaning holati doimo korreksiyalab turiladi. Chuqurcha sxema bilan kontaktga yetib borgandan keyin ishonchli elektr kontaktini hosil qilish uchun u metallashtiriladi. Sxemaning turli uchastkalarida olingan metall kontaktlarni plastinkanig orqa tomonidan tutashmalar purkash bilan kerakli ketma-ketlikda o‘zaro tutashtirish mumkin. Kristallning modifikatsiyalangan elektron sxemasi yana bir marta diqqat bilan tekshiriladi, agar nuqsonlarni to‘g‘irlash muvaffaqiyatli o‘tgan bo‘lsa, yangi fotoshablonlar ishlab chiqiladi. Agar to‘g‘irlash protsedurasi qoniqarli natijalarni bermasa, operatsiyani qayta-qayta takrorlash mumkin (operatsiya bor-yo‘g‘i bir necha soat vaqtni oladi). Tasvirlangan usul uchta darajadagi muammolarni bartaraf qilish uchun q‘llaniladi: - Faoliyat ko‘rsatishdagi xatolar; - Unumdorlikning yetarli emasligi; -Energiya iste’moli bilan bog‘liq muammolar. Xususan, kristallarning ishchi chastotalarini yetarlicha tezkorlik bilan oshirish, iste’mol qilinadigan quvvatni kamaytirish, yaroqli kristallarning chiqishini oshirishga muvaffaq bo‘linadi. Energiya iste’moli bilan bog‘lanadigan muammolarni tahlil qilish va bartaraf qilish uchun infraqizil mikroskop qo‘llaniladi, u kristall ishlayotganda oshiqcha qizigan uchastkalarni (hatto alohida tranzistorlargacha) kuzatish imkonini beradi. Olingan termomikrogrammalardan kristallda oshiqcha sizish joylarini, ko‘proq qizigan elementlarni qidirish, kristallarni yaxshilash bo‘yicha yechimlarni ishlab chiqish uchun foydalaniladi. |