Zamonaviy elektron qurilmalarni sifatli boshqarish texnologiyasi
Yüklə 0,75 Mb. Pdf görüntüsü
|
часть 1 « Научный импульс » Март , 202 3 623 Bundan tashqari, tayyor strukturalar turli elektr testlaridan, masalan, elektromigratsiya va dielektrik o‘yilishga testlardan o‘tkaziladi. Elektromigratsiya testlari mikroprotsessorning tutashmalaridagi qarshilik kontaktlarining sifatini aniqlash va butun strukturaning yashash vaqtini aniqlash uchun zarur bo‘ladi. Kontaktlarning yashash vaqtini hisoblash uchun oshirilgan harorat-350–360 gradus Selsiyda testlar o‘tkaziladi. Yashash vaqti to‘g‘risida ma’lum bir vaqt davomida kontaktlarning yemirilish darajasi bo‘yicha fikr yuritish mumkin. So‘ngra jarayon protsessorning shtatli ishchi haroratlariga ko‘chiriladi. Zatvorning ostidagi kremniy dioksidining dielektrik o‘yilishi — zamonaviy tranzistorlarning eng katta kamchiligi bo‘lib hisoblanadi. Hozirgi kunda zatvorning ostidagi dielektrik juda yupqa qilib ishlanadi (zamonaviy protsessorlarda 1,4-1,2 nm yoki besh-oltita atomar qatlam), shu sababli uning izolyatsiyalash xususiyatlari vaqt o‘tishi bilan yomonlashadi. Bunday yupqa qatlamga qo‘yiladigan unchalik katta bo‘lmagan ~1,4 V ishchi kuchlanish juda ulkan — 1×106 V/m atrofida elektr maydoniga mos keladi (maishiy elektr o‘tkazgichlarning vanil izolyatsiyasi bundan qariyb ming marta kichik maydonga hisoblangan). Dielektrik o‘yilishga nisbatan yashash vaqti bir qator stress-testlar – oshirilgan kuchlanishlarda (2,0–2,9V), oshirilgn haroratda va katta maydonli tranzistorlarda o‘tkaziladigan testlar yordamida aniqlanadi. Olingan natijalar tranzistorlarning real o‘lchamlari va ish sharoitlariga o‘tkaziladi va yo‘l qo‘yiladigan sizish tokining spesifikatsiyalari bo‘yicha o‘rtacha yashash vaqti hisoblanadi. Mikrosxemalarning kristallarini zamonaviy optik tashxislash infraqizil diapazondagi impuls lazerli mikrozonddan foydalanadi. Lazer nuri orqa tomondan (metall qatlamlari bo‘lmagan tomondan) mikrosxema kristallining tagligi orqali o‘tadi va ishlayotgan tranzistorlarning oqib kirish-oqib chiqishlari va kanallarida fokuslanadi. Qaytarilgan kuchsiz optik signal tranzistorning kanalida zaryadlar va kuchlanishning o‘zgarishiga muvofiq modullanadi. Optik datchikdan olingan ishlov berilgan signallar bevosita mikroprotsessor ishlayotgan paytda har qanday tranzistorni detalli tahlil qilish imkonini beradi. Skanerlaydigan lazer nuri mikrosxemaning tanlangan uchastkasida yaxshi yechim bilan tranzistorlarning manzara kartasini berishi mumkin. Yarim o‘tkazgichli strukturalarni tahlil qilishning boshqa bir zamonaviy kontaktsiz uslubi vaqt yechimli spektroskopiya bo‘lib hisoblanadi. Almashib ulanadigan tranzistorlar kuchsiz infraqizil yorug‘lik chaqnashlarini nurlatadi (taxminan har 10 mingta almashib ulanishda bitta foton chiqadi). Bu fotonlarni vaqtda hisoblash tranzistorga hech qanday ta’sir ko‘rsatmasdan tranzistorning ishlashining ossillogrammalarini olish imkonini beradi. Bu yerda vaqtda pikosekund yechim va kenglikda submikron yechimga erishish mumkin. |