Абшерон игтисади ъоьрафи районун шящярляринин

Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may  2015-ci il 
 
 
 
22 
üçün onlara sadəcə hər hansı kənar tutumun qoşulması kifayət edir ki, bu da mikroelektron üsulları  ilə 
asanlıqla  reallaşa  bilər.  Mənfi  müqavimətli  cihazları  yalnız  funksional  elementlər  kimi  deyil,  həmçinin 
işıq, maqnit, təzyiq və s. ötürücüləri kimi də istifadə etmək olar.  
TlIn
1-x
  Sm
x
  S
2
    bərk  məhlullarının  VAX-nın  tədqiqi  göstərdi  ki,  gərginliyin  kiçik  qiymətlərində 
kontakt  omik  olur  və  I(U)  asılılığı  xəttidir.  Gərginlik  artdıqca  asılılıq  tədricən  qeyri-xəttiliyə  keçir  və 
bundan sonra nümunə sıçrayışla böyük müqavimətli  haldan kiçik müqavimətli hala keçir [3-4]. Alınmış 
təcrübi  nəticələri  elektrotermik  proseslərlə  izah  etmək  olar.  İlkin  yaxınlaşmada  nümunələrin  daxilində 
yaranmış  cərəyan  cığırlarının  nümunənin  bütün  həcmi  üzrə  paylanması,  sonra  onlara  birləşən  paralel 
cərəyanlar halına uyğun cərəyan kanalları və cərəyan qaytanlarına çevrilməsi prosesi baş verir.  
 
TlIn
1-x
 Sm
x
 S
2
  BƏRK MƏHLULLARDA ĠSTĠLĠKKEÇĠRMƏ 
 
İskəndərova S.İ. 
Sumqayıt Dövlət Universiteti 
 
Müxtəlif  təyinatlı  mikro-  və  optoelektron  qurğularının  yaradılması  ilə  bağlı  məlum  materialların 
tərkibini məqsədəyönlü şəkildə dəyişməklə daha yüksək keyfiyyətlərə malik birləşmə və bərk məhlulların 
alınması, onların mümkün tətbiq sahələrinin araşdırılması günün aktual məsələlərindəndir. Bu baxımdan 
TlInS
2
  –  TlSmS
2
  sistemində  müşahidə  olunan  TlIn
1-x
Sm
x
S
2
  0≤x≤0,11    tərkibli  məhlullar  böyük  maraq 
kəsb edir. [1-2] TlInS
2
( Se
2
,Te
2
 ) birləşmələri və onlar arasında alınan bərk məhlullar yaxın infraqırmızı 
şüalanma, rentgen, qamma, neytron şüalanmalarının dedektorları, günəş enerji çeviriciləri, fotoelementlər, 
yaddaşlı  çeviricilər  və  s.  kimi  cihazlarda  geniş  tətbiq  perspektivlərinə  malikdirlər.  Tərkiblərinə 
lantanoidlər  daxil  etdikdə  bu  materiallar  yüksək  ərimə  temperaturu,  böyük  mexaniki  bərklik,yuxarı 
temperaturlarda  belə  öz  yarımkeçirici  xassələrini  saxlamaq,  yüksək  termoeffektivliyə  malik  olmaq  kimi 
xassələr  kəsb  edirlər.  Məlumdur  ki,  Ln  və  In  atomları  TlLnX
vı
2
,  TlInX
vı
2
 tipli  birləşmələrdə  əsasən 
üçvalaentlidirlər  və  onların  ion  radiusları  bir  -birinə  yaxındır.  Ona  görə  də  TlInX
vı
2
tipli  birləşmələrdə 
indium atomlarını tədricən lantanoid atomları ilə rasional əvəzləməklə yarımkeçirici xassələrin daha geniş 
spektrinə malik birləşmə və bərk məhlullar əldə etmək imkanı real bir məsələ kimi qarşıya çıxır. Məhz bu 
prinsip  əsasında  TlIn
1-x
  Sm
x
  S
2
  bərk  məhlullar  sırası  alınıb,  onların  elktro-,  istilikfiziki,  optik  və  sairə 
xassələri geniş temperatur və sahə diapazonunda tədqiq olunmuşdur. 
 
 
 
İstilikkeçirmənin tədqiqi materialın bir sira xassələri barədə qiymətli məlumat əldə etməyə imkan 
verir.  Kristal  qəfəsin  istilikkeçirməsini  tədqiq  edərək  ondakı  bütün  mümkün  olan  defektlər:  yüklü  və 
neytral aşqarlar, vakansiyalar, komplekslər, dislokasiyalar, elastiki gərginliklər, bərk məhlullar sırasının 
mövcudluğu,  birləşmələr,  bərk  məhlulların  alinması  və  parçalanmasının  kinetikası,  qəfəsdə  elastiki 
gərginliklər  və  s.  barədə  çox  geniş  çeşiddə  məlumatlar  əldə  etmək  olar.  Elekteron  və  bipolyar 
istilikkeçirmədən yükdaşıyıcıların səpilmə mexanizmləri; qadağan zonasının eni, onun temperatur gedişi 
və s. barədə mühakimə aparmaq olar.   
 
 
 
 
 
Ümumi  istilikkeçirmənin  tədqiqi  həmçinin  böyük  tətbiqi  əhəmiyyətə  malikdir.  Termoelektron 
soyuducuları  və  generatorlarının  faydalı  iş  əmsalının  təyinində,  diod,  tranzistor  və  lazerlərin  iş 
rejimlərinin hasabatında ümumi istilikkeçirmədən birbaşa istifadə olunur. 
 
 
Təcrübədən  alınan  nəticələr  göstərdi  ki,  TlIn
1-x
Sm
x
S
2
  bərk  məhlullarında  laylara  paralel  və 
perpendikulyar  istiqamətlərdə  aşkar  anizotropluq  müşahidə  olunur,  istilikkeçirmədə  əsas  rolu  qəfəs 
istilikkeçirməsi  oynayır,    temperaturun  azalması  ilə  anizotropluq  artır,  ümumi  istilikkeçirmə 
nəzəriyyəsinə  müvafiq  əvazetmədə  iştirak  edən  kationun  atom  kütləsinin  artması  ilə  istilikkeçirmənin 
azalması  müşahidə  olunur.  Bununla  bərabər  TlInS
2
  birləşməsindən  onun  əsasında  alınan  bərk  TlIn
1-
x
Sm
x
S
2
 məhlullarına keçərkən atom kütləsinin artması ilə istilikkeçirmənin azalması qanunundan kənara 
çıxmalar  müşahıdə  olunur.  Buna  səbəb  məhlulllarda  lokal  nöqtəvi  defektlərdən  səpilmələrin  ciddi  rol 
oynamağa başlamasıdır ki, bu da In atomlarını Sm atomları ilə əvəz etdikcə sıxlığın və elastiki xassələrin 
lokal dəyişməsi isə onların orta atom radiuslarının  fərqi ilə müəyyən olunur.  
 
 
 
Hesablamalar  göstərir  ki,  tədqiq  olunan  bərk  məhlullarda  kristal  qəfəsdə  sıxlığın  lokal 
dəyişmələrinin  qəfəs  istilikkeçirmələrinə  təsirinin  nəzərə  alınması  təcrübi  nəticələri  və  nəzəri 
hesablamaları  xeyli  yaxınlaşdırır.  Amma  bütün  təcrübələrdə  hələ  müəyyən  qədər  istilik  müqaviməti 
qalmaqda  davam  edir.  Buna  səbəb  istilikkeçirməyə  normal  proseslərin  (  N  –  proseslər)  təsiridir. 

---

Magistrantların XV Respublika Elmi konfransı, 14-15 may  2015-ci il 
 
 
 
23 
Məlumdur  ki,  normal  proseslər  istilikkeçirməyə  birbaşa  təsir  etmirlər.  Amma  normal  proseslər 
nəticəsində  fononların  dalğa  vektorları  elə  dəyişirlər  ki,  onlar  sonradan  qayıdış  (  U-  proseslər) 
proseslərində  iştirak  etmək  imkanı  qazanırlar  ki,  bu  da  dolayı  yolla  normal  proseslərin  istilik 
müqavimətinin artmasına təsiri kimi qiymətləndirilir. Tədqiq etdiyimiz TlIn
1-x
Sm
x
S
2
  bərk məhlullarında 
bu  halların  baş  verməsi  üçün  real  imkan  yaranır  və  aldığımız  nəticələr  söylədiyimiz  mülahizələrin 
reallığını təsdiq edir. [1-3]  
 
                                           
TlIn
1-x
 Sm
x
 S
2
 BƏRK MƏHLULLARINDA ĠSTĠDƏN GENĠġLƏNMƏ 
 
Qurbanova N.N. 
Sumqayıt Dövlət Universiteti 
 
TlIn
1-x
Sm
x
S
2
  bərk  məhlulları  TlInS
2
–TlSmS
2
  sistemində  indium  atomlarını  tədricən  ion  radiusları 
onlarınkına yaxın olan üçvalentli samarium atomları ilə əvəzetməklə alınır [1]. Rasional əvəzetmə yolu 
ilə  reallaşan  belə  əvəzləmədə  alınan  bərk  məhlullar  ilkin  üçqat  TlInS
2
  birləşməsi  kimi  telraqonal 
sinqoniyada  kristallaşır.TlIn
1-x
Sm
x
S
2
  (0≤x≤0,11)  bərk  məhlullarının  istidəngenişlənmə  əmsalları  80  - 
400K  temperatur  intervalında

T=3’5K  temperatur  addımı  ilə  ölçülmüşdür.  Ölçmələr  oturacağının 
diametri  4’6  mm,  hündürlüyü  isə  30mm  olan  silindrik  formada    hazırlanmış  polikristallik  nümunələr 
üzərində aparılmışdır. Nümunələr x= 0,01; 0,02; 0,04; 0,06; 0,08; 0,10 tərkiblərinə uyğun hazırlanmışdır. 
TlIn
1-x
Sm
x
S
2
 bərk məhlulları ilkin TlInS
2
 üçqat birləşməsi kimi tetraqonal sinqoniyada kristallaşır. 
Tərkibdə samariumun nisbi miqdarı artdiqca qəfəs parametrləri Veqard qaydasına müvafiq olaraq additiv 
artır  [  1].  [  1-3]  işlərində  qeyd  olunduğu  kimi  bu  materiallar  yüksək  təmizlik  dərəcəsinə  malik  ilkin 
komponentlərindən birbaşa  sintez  yolu  ilə  ikitemperaturlu  sintez  üsulu  ilə alınmışdır: Tl-5N  (99,999%), 
In  5N-7N  (99,999%),  S-XT  15-3(99,999%)  kükürdü  vakuumda  sublimasiya  üsulu  ilə  dəfələrlə 
təmizləndi. Sintez prosesi 10
-2
 Pa təzyiqə qədər evakuasiyaya məruz qalmış kvars ampulalarda hər tərkibə 
müvafiq ümumi kütləsi 10 qram olmaqla stexiometrik çəki nisbətində götürülmüş ilkin komponenetlərdən 
uygun  temperatur  rejiminə  müvafuq  sintez  etməklə  əldə  olunmuşdur.  Sintez  prosesinin  başa  çatması, 
alınan  ərintilərin  homogenlikləri  və  eləcə  də  onların  fərqliliyi  diferensial-termik  analiz  (DTA)  və 
rentgenfaza analizləri (PФА) ilə yoxlanılmışdır.  
 
 
 
 
 
 
İstidən xətti genişləmnə əmsalının temperatur asılılığından görunur ki, bütün tədqiq olunan nümulər 
üçün ~80 ’200K temperatur intervalında bu kəmiyyət sürətlə artır, sonra isə bu artım yavaşıyır və ~230K- 
dən  sonra  hər  bir  tərkibə  uyğun  müəyyən  bir  sabitə  yaxınlaşmaqda  davam  edir.  Bundan  əlavə  tədqiq 
olunan  tərkiblərin  heç  birində  faza  keçidi  müşahidə  olunmadı.  α  (T)  asılılığında  müşahidə  olunan  bu 
dəyişmələr  tərkibə  daxil  olan  samarium  atomlarının  nisbi  miqdarının  dəyişməsi  ilə  atomların  kristal 
qəfəsdəki  istilik  rəqslərində  anharmonikliyin  və  buna  müvafiq  Qrünhayzen  sabitinin  dəyişməsi  ilə  izah 
oluna  bilər.  Tədqiq  olunan  tərkiblərdə  istidən  xətti  genişlənmə  əmsalının  temperatur  asılılıqlarında 
müşahidə olunan bu oxşarlıqlara səbəb, TlIn
1-x
Sm
x
S
2
  bərk  məhlullarının  da  ilkin  TlInS
2
  birləşməsi  kimi 
tetraqonal  sinqoniyada  kristallaşması,  bu  kristallarda  kimyəvi  rabitənin  diferensial-termik,  rentgenfaza 
analizlərindən təsdiq olunduğu kimi oxşarlığıdır. 
 
 
 
 
 
Məlumdur  ki,  istənilən  bərk  cismin  xətti  genişlənmə  əmsalı  bu  cismin  təşkil  olunduğu  atomların 
qarşılıqlı  təsirinin  xarakterindən  asılıdır.  Xətti  genişlənmə  əmsalı  kristal  qəfəsin  düyünlərində  yerləşən 
atomların reqslərindəki anhormonikliklə qəfəsdəki vakansiyalar, dislokasiyalar, defektlərin qəfəs atomları 
ılə  qarşılıqlı  təsiri,  onun  fiziki  xassələrinə  ciddi  təsir  edir.  Ona  görə  də  qəbul  etmək  olar  ki, 
anhormonizmə,  qəfəsin  rəqs  spektrinə  təsir  edən  faktorlar  bu  və  ya  digər  şəkildə  xətti  genişlənmə 
əmsalına  da  təsir  etməlidir.  Beləliklə,  deyilənlərdən  bu  qənaətə  gəlmək  olar  ki,  kristaldakı  fluktuasiya, 
konsentrasiya  prosesləri,  daxili  gərginliklər,  tədqiq  olunan  nümunələrdəki  struktur  bircinsliyi  kristalın 
xətti  genişlənmə  əmsalının  dəyişmə  xarakterinə  ciddi  təsir  edir.  Tərkibdə  samarium  atomlarının  nisbi 
miqdarı  artdiqca  struktur  defektlərin  konsentrasiyası  da  artıq  və  bu,  elastiki  xassələrdə  də  özünü  aydın 
şəkildə biruzə verir.    
 
 

---