Elektronika mühazirələr

n-tip
adlanır. Atomları elektronları verən
aşqarlar 
donor 
adlanır.
Şəkil 3.4. Aşqarlı 
n
-tip yarımkeçiricinin quruluşu.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---

Silisiuma 3-valentli element, məsələn, bor B, indium İn və b. daxil etdikdə
aşqarın hər atomunun valent elektronu kristal qəfəsdə 3 qonşu Si atomlarının
valent elektronları ilə kovalent rabitəyə girir, 4-cü rabitə üçün isə aşqar atomu
silisiumun digər rabitəsindən elektron götürür və bu halda deşik əmələ gətirir (şək.
3.5.). Nəticədə aşqar atomu hərəkətsiz mənfi iona çevrilir. Beləliklə, 3-valentli
aşqar deşiklərin konsentrasiyasını artırır ki, o da öz növbəsində elektronların
konsentrasiyasını azaldır. Bu yarımkeçiricilərdə deşiklər əsas yükdaşıyıcılar,
elektronlar isə qeyri-əsas yükdaşıyıcılar olduğundan, p-tip (deşik tipli) adlanırlar.
Elektronları alan aşqar maddələr akseptorlar adlanırlar.
Aşqar keçiriciliyin məxsusidən çox olması üçün aşqar atomlarının
konsentrasiyası N, məxsusi keçiricidəki elektronların konsentrasiyası n
i
və
deşiklərin konsentrasiyası p
i 
–dən çox olmalıdır. Qeyd etmək lazımdır ki, məxsusi
yarımkeçiricidə n
i 
= p
i
olur. Praktiki olaraq N, n
i 
və p
i 
– dən xeyli çox olur. Belə ki,
aşqarın miqdarından asılı olaraq N, n
i
- dən 1000 - lərlə və hətta 10000 - lərlə
dəfələrlə çox ola bilər.
Yarımkeçiricilər xarici təsirlərə çox həssas olduğundan onların əsasında
çoxlu vericilər, və bu vericiləri istifadə etməklə bir sıra texniki sistemlər yaradılır.
Yarımkeçiricilər qızdırıldıqda və soyudulduqda, işıqla, yüklənmiş
hissəciklərlə işıqlandırıldıqda, təzyiqin, elektrik və maqnit sahələrinin təsiri ilə öz
elektrik müqavimətlərini kəskin dəyişirlər. Yarımkeçiricilərdə elektrofiziki
xassələri dəyişməklə onlar əsasında hazırlanmış cihazlarda elektrik cərəyanını çox
asanlıqla idarə etmək olar. Hal-hazırda yarımkeçiricilərdən çoxtəbəqəli,
çoxelementli kompozisiyalar tərtib edərək daha geniş tərkibli idarə olunan
Şəkil 3.5. Aşqarlı 
p
-tip yarımkeçiricinin quruluşu.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---

xassələrə və xarakteristikalara malik olan materiallar alırlar. Mürəkkəb
birləşmələrə misal GaAsP, İnGaSb, ZnCdSeTe birləşmələrini göstərmək olar.
Yarımkeçiricilərin keçiriciliyi keyfiyyətcə metalların keçiriciliyindən xeyli
fərqlənir, və daha çox dielektriklərlə ümumi xassələrə malikdirlər. Aşağıdakı
xassələri ilə yarımkeçiricilər keçiricilərdən kəskin fərqlənirlər:
- keçiriciliyin temperaturdan asılılığının xarakteri və dərəcəsi ilə;
- cüzi miqdarda aşqarın yarımkeçiricinin keçiriciliyinə güclü təsiri ilə;
- keçiriciliyin müxtəlif növ şüalanmalara həssas olması ilə.
Malik olduqları üstünlükləri ilə yanaşı yarımkeçiricilərin bir sıra
çatışmazlıqları vardır. Belə ki, yarımkeçirici cihazın parametrlərinin temperaturdan
asılı olması, giriş müqavimətinin kiçik olması, hazırlanma texnologiyasının
mürəkkəbliyi onların əsas çatışmazlıqları hesab olunur.