Elektronika mühazirələr

3.4.5. Çevrilmiş diodlar.
Bu diodlar digər diodlardan VAX-ın enli düz
budağı
və kəskin əks budağı ilə fərqlənir. Çevrilmiş diodların bu xüsusiyyəti
yükdaşıyıcıların konsentrasiyasının yüksək olmasının (10
19
1/sm
3
) nəticəsidir. Bu
halda elektrik sahə gərginliyi o qədər böyükdür ki, əks gərginliyin bir neçə on
millivolt qiymətində selvari deşilmə baş verir (şək. 3.12). Adətən əks diodlar VAX-
ın əks budağına uyğun rejimində işləyirlər. Əks işçi gərginlik az olduğundan bu
diodlar yüksək qənaətcilliyə malikdirlər. Çevrilmiş diodlar əsasən elektron
hesablama maşınlarının elementlərində istifadə ololunurlar.
Şək. 3.11. Varikap (parametrik diod):
a, b – p-n- keçidin tutumunun sürüşmə gərginliyindən 
və zamandan asılılığı ; c - qrafiki işarələnməsi.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---

3.4.6. İnjeksiyalı – uçub keçmə diodları.
Bu növ diodlar yarımkeçirici
lövhədə yerinə yetirilmiş bir p-n- keçidi və üç elektrodu olan yarımkeçirici
cihazlardır. Çox vaxt bu diodları
birkeçidli tranzistor
adlandırırlar. Yarımkeçirici
lövhənin kənar uclarına birləşmiş elektrodlar bazalar (b
1
və b
2
) və p-n- keçidin p-
oblastına birləşmiş elektrod isə emitter adlanır. Cihazın emitteri ikinci baza
adlanan b
2
elektroduna yaxın yerləşdirilir. Ona görə də yarımkeçirici çubuğun b
1
elektrodu ilə emitterdən keçən kəsik arasındakı hissəsinin müqaviməti nisbətən
çox, b
2
ilə həmin kəsik arasında olan hissənin müqaviməti isə nisbətən az olur.
U
gir.

0 olduqda p-n-keçiddən ibarət olan emitter keçidi bağlı olur. Qida gərginliyi
verildikdə silisium çubuqdan bazalar arası cərəyan axır. Cihazın b
2 
elektrodu qida
gərginliyinin “+” qütbünə, b
1
isə “-“ qütbünə qoşulur.
Emitter keçidindən keçən
kəsiyə tətbiq olunan gərginlik bu hissələrin və b
1
və b
2
aralarındakı müqavimətlə
təyin olunur. Bu cihazın düz budağı b
2
elektroduna (ikinci bazaya) gərginlik
verilmədikdə, İ
e
emitter cərəyanının, emitter və b
1
(birinci baza) arasında tətbiq
olunmuş gərginliyin qiymətindən asılılığı olub, adi diodda olduğu kimi
xarakteristikaya malikdir. Xarakteristikalarının təhlili göstərir ki, müəyyən
rejimlərdə injeksiyalı – uçma diodu mənfi rejimlərə malikdir və cihazın bazaları
arasındakı gərginlik dəyişdikdə onun parametrləri dəyişir. İki bazaya malik
olduğundan bu diodları həm də ikibazalı diodlar adlandırırlar. Bir keçidli
tranzistorların əsas parametrləri aşağıdakılardır: Giriş qoşulma gərginliyi - U
qoş.
=

E
q
, burada adətən cihazın tipindən asılı olaraq

= 0,7

0,9 təşkil edir.; qida
gərginliyi - E
q
= 7

30V; giriş qoşulma cərəyanı - I
qoş.
= 10

20mkA; ayrılma
cərəyanı – I
ayr..
= 10

20mA;
İnleksiyalı-uçuş diodları (birkeçidli tranzistorlar) əsasən, yüzlərlə kilohers
tezliklərdə işləyən relaksasiya generatorlarında və çevirici sxemlərdə aktiv
element kimi tətbiq olunurlar.
Şək. 3.12. Çevrilmiş diodun volt-amper xarakteristikası.
Downloaded by Mehman Mammadov ([e-mail])
lOMoARcPSD|30503707

---